MOSFET的主要參數

1、ID：比較大漏源電流它是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流，場效應管的工作電流不應超過ID。

2、IDM：比較大脈沖漏源電流此參數會隨結溫度的上升而有所減額。

3、VGS：比較大柵源電壓VGS額定電壓是柵源兩極間可以施加的最大電壓，主要目的是防止電壓過高導致的柵氧化層損傷。

4、V(BR)DSS：漏源擊穿電壓它是指柵源電壓VGS為0時，場效應管正常工作所能承受的比較大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。

5、RDS(on)在特定的VGS（一般為10V）、結溫及漏極電流的條件下，MOSFET導通時漏源間的比較大阻抗。它是一個非常重要的參數，決定了MOSFET導通時的消耗功率。

6、VGS(th)：開啟電壓（閥值電壓）當外加柵極控制電壓VGS超過VGS(th)時，漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。

7、PD：最大耗散功率它是指場效應管性能不變壞時所允許的比較大漏源耗散功率。

8、Tj：比較大工作結溫通常為150℃或175℃，器件設計的工作條件下須確應避免超過這個溫度，并留有一定裕量。 抗雪崩能力強，規避能量沖擊損壞風險；中國臺灣領域MOSFET供應商銷售價格

MOS 管的性能和適用場景，很大程度上取決于它的關鍵參數。額定電壓（VDSS）是指在柵 - 源極電壓為零、室溫條件下，MOS 管能夠持續承受的最高電壓。在實際使用中，漏極（D 極）和源極（S 極）之間的電壓絕不能超過這個數值，常見的額定電壓有 600V、650V 等，也有 500V 的情況。額定電流（ID）是指在殼溫 25°C、柵 - 源極電壓為 10V（一般 MOSFET 的柵 - 源極導通閾值電壓）時，漏極和源極能夠承受的持續電流值。不過，隨著殼溫升高，額定電流會下降，當殼溫達到 150°C 時，額定電流甚至會降為 0。導通電阻（Rds (on)）是在結溫為室溫、柵 - 源極電壓為 10V 的條件下，漏 - 源極之間的導通電阻，它會隨著結溫上升而增大，當結溫達到 150°C 時，導通電阻可達到室溫時的 2.5 - 2.8 倍。柵 - 源極導通閾值電壓（Vth）則是 MOS 管導通的臨界柵 - 源極電壓，標準的 N 溝道 MOS 管，其柵 - 源極導通閾值電壓約為 10V。此外，MOS 管的三個電極之間還存在極間電容，包括柵源電容 Cgs、柵漏電容 Cgd 和漏源電容 Cds，它們的大小也會對 MOS 管的性能產生一定影響。湖北500V至900V SJ超結MOSFETMOSFET供應商產品介紹基于電場效應，通過柵極電壓改變控制源極與漏極間電流。

商甲半導體產品：SJ MOS（超結MOSFET）

商甲半導體提供擊穿電壓等級范圍為500V至900V的SJ系列功率MOSFET產品，產品以低導通電阻，低柵極電荷，出色的開關速度，以及更好的EMI表現，成為開關電源的理想選擇；針對不同的電路要求，公司開發出多個系列產品，在產品抗沖擊、EMI特性、開關特性、反向恢復特性、性價比等多個因素中相互平衡，致力于為客戶提供比較好的選型方案。產品廣泛應用在家用電器、通信電源、UPS、光伏逆變、電動汽車充電等領域。

電 子?煙是一種模仿卷 煙的電子產品，其原理是通過加熱將電 子 煙油霧化的過程，而霧化是通過電熱絲瞬間大電流大功率來實現。電 子 煙由功率大小分為小煙和大煙兩種。小煙功率一般20W以下，發熱量100-200度之間；大煙功率一般20W以上，發熱量200-500度之間。小煙是利用控制單顆MOSFET占空比大小控制電熱絲電流，通常使用12VP-20VPMOSFET，對內阻要求較高。無錫商甲半導體該領域MOSFET型號齊全，產品內阻低且參數穩定。大煙由于功率高，一般采用DC-DC變壓以提升電壓和電流大小，通常使用30VNSGT大電流MOSFET，常見PDFN3X3-8L和PDFN5X6-8L封裝形式。無錫商甲半導體提供的30VNSGTMOSFET內阻低，電容小，可輕松實現500K-1MHZ的高頻要求；成品設計體積小，電流密度大，內置寄生二極管性能好，且具備更高的可靠性。先試后選# 半導體好物 # MOSFET 送樣 ing！

無錫商甲半導體提供30V-200VTrench&SGTMOSFET,用戶可根據電機電壓及功率情況選用合適的料號：

12V電池：SJD30N026/SJH30N030/SJD30N015

24V電池：SJD40N058/SJH40N045/SJD40N042/SJH40N022/SJJ40N015/SJH023N04/SJH017N04/SJJ010N04

36V電池：SJD60N075/SJ60N064/SJ070ND06/SJJ025N06/SJH018N06/SJ010N06

48V電池：SJ60N045/SJ60N035/SJ80N075/SJJ80N050/SJ020N085/SJ013N085

72V電池：SJDO1N088/SJJ01N060/SJ045N10/SJ035N10/SJ018N10

96V電池：SJ1015N093/SJT015N050/SJ090N15/SJ055N15/SJT038N15

144V電池：SJ090N20/SJJ090N20 打造全系列CSP MOSFET，聚焦Small DFN封裝；重慶500至1200V FRDMOSFET供應商高壓MOS產品

PFC電路中，關鍵器件是MOSFET，選型要點為高耐壓、低柵極電荷和低反向恢復電荷（Qrr）。中國臺灣領域MOSFET供應商銷售價格

榨汁機需要電機能夠快速啟動并穩定運行，以實現高效榨汁。TrenchMOSFET在其中用于控制電機的運轉。以一款家用榨汁機為例，TrenchMOSFET構成的驅動電路，能精細控制電機的啟動電流和轉速。其低導通電阻有效降低了導通損耗，減少了電機發熱，提高了榨汁機的工作效率。在榨汁過程中，TrenchMOSFET的寬開關速度優勢得以體現，可根據水果的不同硬度，快速調整電機的扭矩和轉速。比如在處理較硬的蘋果時，能迅速提升電機功率，保證刀片強勁有力地切碎水果；而在處理較軟的草莓等水果時，又能精細調節電機轉速，避免過度攪拌導致果汁氧化，為用戶榨出營養豐富、口感細膩的果汁。中國臺灣領域MOSFET供應商銷售價格