平面結構晶體管的缺點是如果提高額定電壓，漂移層會變厚，因此導通電阻會增加。MOSFET的額定電壓取決于垂直方向的漂移區的寬度和摻雜參數。為了提高額定電壓等級，通常增加漂移區的寬度同時降低摻雜的濃度，但會造成MOSFET的導通電阻大幅增加。同時，也是為了克服平面MOSFET的局限性，超結MOSFET應運而生。超結MOSFET利用了一種創新的結構設計，明顯降低了導通電阻，同時維持了高擊穿電壓。那么，接下來要重點討論超結MOSFET（super junction mosfet）。

超結MOS（Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor，簡稱SJ-MOS）是電力電子領域中廣泛應用的一類功率器件，其主要特征是在傳統MOSFET基礎上引入了超結結構，使其在高電壓、大電流條件下具備更優越的性能。超結MOS器件相較于傳統的MOSFET有著更低的導通電阻和更高的耐壓性能，廣泛應用于高效能電力轉換領域，如開關電源、逆變器、電動汽車、光伏發電等。 它屬于金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的一種，具有驅動電路簡單、開關速度快、工作頻率高等特點。南京便攜式儲能功率器件MOS產品選型技術指導

關于選擇功率mosfet管的步驟:

1、找出應用的所有參數，例如最大電壓、最大電流和工作溫度。

2、找出電路的總負載。

3、計算 MOSFET 所需的峰值電流和峰值負載。

4、找出系統的效率。

5、計算有損耗的負載。

6、增加安全系數（視操作溫度而定）。

7、檢查設備是否將作為雙向設備運行。

關于MOSFET管的選型參數，這里只是簡單的帶過一下，如果想要了解更為詳細的參數，歡迎聯系我們無錫商甲半導體有限公司，有專業人員為您提供專業選型服務及送樣。 杭州12V至300V N MOSFET功率器件MOS產品選型技術指導TO-252（DPAK） 表面貼裝型，底部焊盤散熱，安世LFPAK衍生技術（如汽車電子）。

電力二極管：結構和原理簡單，工作可靠；

晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中比較高

IGBT：開關速度高，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅動，驅動功率小；缺點：開關速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO

GTR：耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低；缺點：開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路復雜，存在二次擊穿問題

GTO：電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導調制效應，其通流能力很強；缺點：電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低

電力MOSFET：開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題；缺點：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。

制約因素：耐壓，電流容量，開關的速度 。

功率場效應晶體管（Power MOSFET）?是一種電壓控制型半導體器件，主要用于功率放大和開關應用。它屬于金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的一種，具有驅動電路簡單、開關速度快、工作頻率高等特點。功率場效應晶體管（VF）又稱VMOS場效應管。在實際應用中，它有著比晶體管和MOS場效應管更好的特性。

隨著電子技術在工業、交通、消費、醫療等領域的蓬勃發展，當代社會對電力電子設備的要求也越來越高，功率半導體就是影響這些電力電子設備成本和效率的直接因素之一。自從二十世紀五十年代真空管被固態器件代替以來，以硅(Si)材料為主的功率半導體器件就一直扮演著重要的角色，功率MOSFET是其中**典型的。MOSFET，全稱金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor），是一種非常重要的電子元件，廣泛應用于各種電子電路中。它的基本作用是作為一個開關，控制電流的流動。 半導體，這一在我們日常生活中不可或缺的器件，其應用多元且功能多樣.

無錫商甲半導體MOS 管封裝形式及散熱性能分析

DPAK 封裝

DPAK 封裝也稱為 TO-252 封裝，屬于表面貼裝封裝形式，兼具一定的散熱能力和較小的體積。它的底部有一個較大的金屬焊盤，可直接焊接在電路板上，增加了與電路板的接觸面積，有利于熱量傳導。DPAK 封裝的熱阻一般在 50 - 80℃/W，適用于功率在 10 - 30W 的電路，在汽車電子、電源適配器等領域應用***。例如，在汽車的車燈控制電路中，DPAK 封裝的 MOS 管既能滿足功率需求，又能適應汽車電路板緊湊的布局要求。

 D2PAK 封裝   

 D2PAK 封裝是 DPAK 封裝的升級版，也被稱為 TO-263 封裝。它在 DPAK 封裝的基礎上，進一步增大了底部金屬焊盤的面積，散熱性能得到明顯提升，熱阻可降低至 30 - 50℃/W 。D2PAK 封裝能夠承受更高的功率，常用于功率在 30 - 100W 的電路，如服務器電源、光伏逆變器等。其表面貼裝的形式也便于自動化生產，提高了生產效率。 SOT是一種貼片型小功率晶體管封裝，這種封裝以小巧體積和良好可焊性見稱，廣泛應用于低功率場效應管中。蘇州新能源功率器件MOS產品選型銷售價格

TO-251 中小功率表面貼裝，尺寸緊湊（類似SOT-89），用于消費電子輔助電路。南京便攜式儲能功率器件MOS產品選型技術指導

80年代初期出現的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發展高頻電力電子技術提供了條件，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發展。

80年代發展起來的靜電感應晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、 MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優點，在性能上又有新的發展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優點，結構上避免了一般晶閘管在門極觸發時必須在門極周圍先導通然后逐步橫向擴展的過程，所以比一般晶閘管有更高的開關速度，而且容許的結溫升也比普通晶閘管高。這些新器件，在更高的頻率范圍內滿足了電力電子技術的要求。

功率集成電路其制造工藝既概括了***代功率電子器件向大電流、高電壓發展過程中所積累起來的各種經驗，又綜合了大規模集成電路的工藝特點。這種器件很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積，能夠有效地減少當器件處于高頻工作狀態時寄生參數的影響，對提高電路工作頻率和抑制外界干擾十分重要。 南京便攜式儲能功率器件MOS產品選型技術指導