商甲半導體 MOSFET 產品擊穿電壓覆蓋 12V 至 1200V 全范圍，電流承載能力從 50mA 延伸至 600A，無論是微型傳感器供電還是大型工業設備驅動，都能匹配您的電路設計需求，為各類電子系統提供穩定可靠的功率控制**。

采用第三代溝槽柵工藝技術的商甲半導體 MOSFET，導通電阻（RDS (on)）較傳統產品降低 35% 以上，在 175℃高溫環境下仍能保持穩定的導電性能，有效減少功率損耗，大幅提升電能轉換效率，特別適合對能效要求嚴苛的電源設備。

針對高頻開關應用場景，商甲半導體優化柵極結構設計，使柵極電荷（Qg）降低 28%，開關速度提升 40%，在 DC-DC 轉換器、高頻逆變器等設備中可減少開關損耗，助力系統實現更高的工作頻率和功率密度。 40V產品主要用于無人機、BMS、電動工具、汽車電子。中國香港定制MOSFET供應商技術

無錫商甲半導體中低壓 MOSFET 是 BMS 的理想功率器件。公司產品導通電阻和柵極電荷低，降低能量損耗，控制系統溫升，避免 BMS 因過熱出現故障。抗雪崩能力強，能應對電池能量沖擊，保護系統安全。抗短路能力強，確保電路短路時的安全性，為 BMS 提供保障。參數一致性好，同一批次產品性能接近，降低了 BMS 因器件差異導致失效的概率。可靠性高，在極端環境下表現穩定，滿足 BMS 的各種應用場景需求。保證充放電回路工作在適當的條件下，提高電池壽命，并且在鋰電池面臨失控的時候及時切斷鋰電池的通路，保證電池的安全性。中國香港哪里有MOSFET供應商哪里有柵極電壓足夠高時，絕緣層形成導電溝道，電流流通；

在各類電池的 BMS 中，無錫商甲半導體中低壓 MOSFET 表現優異。導通電阻和柵極電荷低的特性，減少了功率損耗，使 BMS 的溫度控制更輕松，避免因過熱影響其他元件。抗雪崩能力強是一大優勢，電池充放電過程中可能出現的能量波動，不會輕易對系統造成損害。抗短路能力確保了電路短路時的安全性，為 BMS 提供了可靠保護。參數一致性好讓裝配和調試更便捷，減少了因器件參數偏差帶來的麻煩，降低產品失效概率。其可靠性更是經過考驗，在極端環境下仍能穩定工作，滿足 BMS 的嚴苛要求。

商甲半導體自公司成立以來，飛速發展，產品已涵蓋了電源管理等諸多種類上20V-300VTrench&SGTN/P溝道MOSFET,用戶可根據電池電壓及功率情況選用合適的料號：

1-3串：SJD20N060、SJD20N030等產品

3-5串：SJD30N042/SJH30N015/SJD30P055/SJD30N030/SH30N015/SJP30P180

5-7串：SJD40N058/SJD40N042/SJD40N022/SJD40P078

7-11串：SJD60N075/SJD60N064/SJH015N06

11-15串：SJD80N075/SJJ80N050/SJJ020NO85/SJJ013N085

15-20串：SJD01N088/SJD080N10/SJD045N10/SJ035N10/SJJ018N10

18-20串：SJJ045N12/SJ022N12

20串以上：SJ015N093/SJJ090N15/SJJ055N15/SJZ038N15 高輸入阻抗搭配高可靠性，多樣場景適配，體驗專業品質。

在醫療設備領域，如便攜式超聲診斷儀，對設備的小型化與低功耗有嚴格要求。SGTMOSFET緊湊的芯片尺寸可使超聲診斷儀在更小的空間內集成更多功能。其低功耗特性可延長設備電池續航時間，方便醫生在不同場景下使用，為醫療診斷提供更便捷、高效的設備支持。在戶外醫療救援或偏遠地區醫療服務中，便攜式超聲診斷儀需長時間依靠電池供電，SGTMOSFET低功耗優勢可確保設備持續工作，為患者及時診斷病情。其小尺寸特點使設備更輕便，易于攜帶與操作，提升醫療服務可及性，助力醫療行業提升診斷效率與服務質量，改善患者就醫體驗可靠性高，滿足極端條件應用需求，保障電池安全穩定運行。中國香港定制MOSFET供應商技術

送樣活動開啟，熱穩定性好、能承載大電流，無錫商甲值得信賴。中國香港定制MOSFET供應商技術

在數據中心的電源系統中，為滿足大量服務器的供電需求，需要高效、穩定的電源轉換設備。SGTMOSFET可用于數據中心的AC/DC電源模塊，其低導通電阻與低開關損耗特性，能大幅降低電源模塊的能耗，提高數據中心的能源利用效率，降低運營成本，同時保障服務器穩定供電。數據中心服務器全年不間斷運行，耗電量巨大，SGTMOSFET可有效降低電源模塊發熱，減少散熱成本，提高電源轉換效率，將更多電能輸送給服務器，保障服務器穩定運行，減少因電源問題導致的服務器故障，提升數據中心整體運營效率與可靠性，符合數據中心綠色節能發展趨勢。中國香港定制MOSFET供應商技術