功率MOSFET的基本特性

靜態特性MOSFET的轉移特性和輸出特性。

漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為MOSFET的轉移特性，ID較大時，ID與UGS的關系近似線性，曲線的斜率定義為跨導Gfs

MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區（對應于GTR的截止區）；飽和區（對應于GTR的放大區）；非飽和區（對應于GTR的飽和區）。電力MOSFET工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區之間來回轉換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力MOSFET的通態電阻具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。

功率場效應晶體管（VF）又稱VMOS場效應管。在實際應用中，它有著比晶體管和MOS場效應管更好的特性。東莞好的功率器件MOS產品選型批發價

功率場效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）,簡稱功率MOSFET。

功率MOSFET的結構和工作原理

功率MOSFET的種類：按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道，增強型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強型。

功率MOSFET的結構

功率MOSFET的內部結構和電氣符號；其導通時只有一種極性的載流子（多子）參與導電，是單極型晶體管。導電機理與小功率MOS管相同，但結構上有較大區別，小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSFET大都采用垂直導電結構，又稱為VMOSFET（VerticalMOSFET），**提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。 嘉興12V至300V N MOSFET功率器件MOS產品選型代理品牌MOSFET其優點表現在有較寬的安全工作區而不會產生熱點，并且具有正的電阻溫度系數，因此適合進行并聯使用。

單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。因此，由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以，在實用中多用幾個電力電子器件串聯或并聯形成組件，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯時，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓；并聯時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性，串、并聯時，各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流。所以，在電力電子器件串聯時，要采取均壓措施；在并聯時，要采取均流措施。

從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為**的電力電子器件，主要用于相控電路。這些電路十分***地用在電解、電鍍、直流電機傳動、發電機勵磁等整流裝置中，與傳統的汞弧整流裝置相比，不僅體積小、工作可靠，而且取得了十分明顯的節能效果（一般可節電10～40%，從中國的實際看，因風機和泵類負載約占全國用電量的1/3，若采用交流電動機調速傳動, 可平均節電20%以上，每年可節電400億千瓦時）,因此電力電子技術的發展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單，逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內容的新領域。這些器件已普遍應用于變頻調速、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。自上世紀80年代起，MOSFET、IGBT和功率集成電路已成為主流應用類型。

SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET），是一種半新型的功率半導體器件。它基于傳統溝槽MOSFET技術，并通過結構上的改進來提升性能，特別是在降低導通電阻和開關損耗方面表現出色。接下來，我們將詳細介紹SGT MOSFET的特點、優勢以及應用領域。

SGT MOS的關鍵結構創新是將傳統MOSFET的單柵極拆分為兩個柵極：

控制柵（Control Gate）：位于溝槽頂部，直接控制溝道的開啟與關閉，與傳統MOSFET柵極功能類似。

屏蔽柵（Shield Gate）：位于溝槽側壁或底部，通常與源極連接（而非漏極），通過電場屏蔽效應優化器件內部的電場分布。垂直溝槽結構：電流路徑垂直于芯片表面，縮短漂移區長度（Drift Region），降低導通電阻（Rds(on)）。 由于這些明顯的優點，功率場效應晶體管在電機調速，開關電源等各種領域應用的非常多。常州20V至100V N+P MOSFET功率器件MOS產品選型廠家價格

功率場效應晶體管（Power MOSFET）?是一種電壓控制型半導體器件，主要用于功率放大和開關應用。東莞好的功率器件MOS產品選型批發價

即是在大功率范圍應用的場效應晶體管，它也稱作功率MOSFET，其優點表現在以下幾個方面：1. 具有較高的開關速度。2. 具有較寬的安全工作區而不會產生熱點，并且具有正的電阻溫度系數，因此適合進行并聯使用。3. 具有較高的可靠性。4. 具有較強的過載能力。短時過載能力通常額定值的4倍。5. 具有較高的開啟電壓，即是閾值電壓，可達2~6V（一般在1.5V~5V之間）。當環境噪聲較高時，可以選 用閾值電壓較高的管子，以提高抗干擾能力；反之，當噪聲較低時，選用閾值電壓較低的管子，以降低所需的輸入驅動信號電壓。給電路設計帶來了極大地方便。6. 由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此其驅動功率很小，對驅動電路要求較低。由于這些明顯的優點，功率場效應晶體管在電機調速，開關電源等各種領域應用的非常多。東莞好的功率器件MOS產品選型批發價