事實表明，無論是電力、機械、礦冶、交通、石油、能源、化工、輕紡等傳統產業，還是通信、激光、機器人、環保、原子能、航天等高技術產業，都迫切需要高質量、高效率的電能。而電力電子正是將各種一次能源高效率地變為人們所需的電能，實現節能環保和提高人民生活質量的重要手段，它已經成為弱電控制與強電運行之間、信息技術與先進制造技術之間、傳統產業實現自動化、智能化改造和興建高科技產業之間不可缺少的重要橋梁。而新型電力電子器件的出現，總是帶來一場電力電子技術的**。電力電子器件就好像現代電力電子裝置的心臟，它對裝置的總價值，尺寸、重量、動態性能，過載能力，耐用性及可靠性等，起著十分重要的作用 [3]。TO-247 大功率表面貼裝封裝，3/4引腳設計，適配高功率MOSFET/IGBT（如電動汽車OBC）。中國臺灣制造功率器件MOS產品選型供應商

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類：

1.半控型器件，例如晶閘管；

2.全控型器件，例如GTO（門極可關斷晶閘管）、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）；

3.不可控器件，例如電力二極管。

按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質分類：

1.電壓驅動型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（靜電感應晶閘管）；

2.電流驅動型器件，例如晶閘管、GTO、GTR。

根據驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類：

1.脈沖觸發型，例如晶閘管、GTO；

2.電子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。

按照電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類：

1.雙極型器件，例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR；

2.單極型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管；

3.復合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）、IGBT、SITH和IGCT。 無錫20V至100V N+P MOSFET功率器件MOS產品選型中低壓MOS產品功率器件是電力電子領域的重要組件，處理高壓大電流，廣泛應用于新能源、汽車電子和工業控制。

1、超級結的性能提升方法使溝槽和溝槽間距盡可能小和深。SJ-MOS可以設計為具有較低電阻的N層，從而實現低導通電阻產品。2、超級結存在的問題本質上超級結MOSFET比平面MOSFET具有更大的pn結面積，因此trr比平面MOSFET快，但更大的irr流動。內部二極管的反向電流irr和反向恢復時間trr會影響晶體管關斷開關特性。

二、超結MOS的結構超結MOSFET的創新在于其“超結”結構。這個結構通過在垂直方向上交替排列的P型和N型區域來實現。每個P型區域和其旁邊的N型區域共同構成一個“超結單元”，這些單元在整個器件中交替排列。這種結構設計使得在導通狀態下，電流可以通過較低的電阻路徑流動，同時在關斷狀態下仍然能夠承受高電壓。

功率MOSFET的基本特性

靜態特性MOSFET的轉移特性和輸出特性。

漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為MOSFET的轉移特性，ID較大時，ID與UGS的關系近似線性，曲線的斜率定義為跨導Gfs

MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區（對應于GTR的截止區）；飽和區（對應于GTR的放大區）；非飽和區（對應于GTR的飽和區）。電力MOSFET工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區之間來回轉換。電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力MOSFET的通態電阻具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。

功率器件屬于分立器件，單獨封裝且功能不可拆分（如IGBT單管）；

電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發展。80年代晶閘管的電流容量已達6000安，阻斷電壓高達6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率，取決于器件關斷期間如何加快基區少數載流的復合速度和經門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關斷電流的過程，卻導致器件導通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉換速度和器件通態功率損耗的要求。80年代這類器件的比較高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作，其控制電流容量已達數百安，阻斷電壓1千多伏,但維持通態比其他功率可控器件需要更大的基極驅動電流。由于存在熱激發二次擊穿現象，限制抗浪涌能力。進一步提高其工作頻率仍然受到基區和集電區少子儲存效應的影響。70年代中期發展起來的單極型MOS功率場效應晶體管， 由于不受少子儲存效應的限制，能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性，不易出現熱激發二次擊穿現象；需要擴大電流容量時，器件并聯簡單，具有線性輸出特性和較小驅動功率；在制造工藝上便于大規模集成。但通態壓降較大，制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量*達數十安，阻斷電壓近千伏。MOSFET具有較高的開啟電壓，即是閾值電壓.浙江定制功率器件MOS產品選型晶圓

TO-Leadless（如TOLL） 無引腳封裝，減少電遷移，占用空間較D2PAK減少30%（如電動工具）。中國臺灣制造功率器件MOS產品選型供應商

20世紀50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發展起來的晶閘管，因其工作可靠、壽命長、體積小、開關速度快，而在電力電子電路中得到廣泛應用。70年代初期，已逐步取代了汞弧閘流管。80年代，普通晶閘管的開關電流已達數千安，能承受的正、反向工作電壓達數千伏。在此基礎上，為適應電力電子技術發展的需要，又開發出門極可關斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場效應晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。中國臺灣制造功率器件MOS產品選型供應商