更推薦滿足。參照圖4，在添加劑(硅烷系偶聯劑)的aeff處于，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良**少化，在硅烷系偶聯劑的aeff處于，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此，在利用上述范圍所重疊范圍(規格(spec)滿足區間)即aeff為2以上，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內的情況下，上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力，由此，即使沒有消耗費用和時間的實際的實驗過程，也能夠選擇具有目標防蝕能力的硅烷系偶聯劑等添加劑。本發明的上述硅烷系偶聯劑等添加劑推薦按照保護對象膜(氧化物膜)的蝕刻程度(etchingamount，e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來添加。例如，對于包含氧化物膜(例如，sio2)和上述氧化物膜上的氮化物膜(例如，sin)的膜在160℃以添加劑濃度1000ppm基準處理10,000秒的情況下，推薦按照保護對象膜的蝕刻程度(etchingamount，e/a)滿足以上以下的范圍的濃度添加。本發明的添加劑的防蝕能力可以通過上述添加劑的aeff值與濃度之積來計算，由蝕刻程度(etchingamount，e/a)來表示。蝕刻程度的正的值表示蝕刻工序后厚度增加。什么樣的蝕刻液可以蝕刻鋁同時保護銅？合肥格林達蝕刻液產品介紹

    所述有機硫化合物具有作為還原劑及絡合劑(chelate)的效果。作為所述硫酮系化合物，例如可舉出硫脲、N-烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N'-二烷基硫脲、N,N,N'-三烷基硫脲、N,N,N',N'-四烷基硫脲、N-苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲、N,N'-二苯基硫脲及亞乙基硫脲等。烷基硫脲的烷基并無特別限制，推薦為碳數1至4的烷基。這些硫酮系化合物中，推薦使用選自由作為還原劑或絡合劑的效果及水溶性優異的硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。作為所述硫醚系化合物，例如可舉出甲硫氨酸、甲硫氨酸烷基酯鹽酸鹽、乙硫氨酸、2-羥基-4-(烷硫基)丁酸及3-(烷硫基)丙酸等。烷基的碳數并無特別限制，推薦為碳數1至4。另外，這些化合物的一部分也可經取代為氫原子、羥基或氨基等其他基。這些硫醚系化合物中，推薦為使用選自由作為還原劑或絡合劑的效果優異的甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。有機硫化合物的濃度并無特別限制，推薦為％至10重量％，更推薦為％至5重量％。在有機硫化合物的濃度小于％的情況下，無法獲得充分的還原性及絡合效果，有鈦的蝕刻速度變得不充分的傾向，若超過10重量％則有達到溶解極限的傾向。上海鋁鉬鋁蝕刻液蝕刻液銷售廠BOE蝕刻液的生產廠家。

    silane)系偶聯劑和水，上述硅烷系偶聯劑使上述硅烷系偶聯劑的反應位點(activesite)的數量除以上述硅烷系偶聯劑的水解(hydrolysis)了的形態的分子量之后乘以。此外，提供一種選擇硅烷系偶聯劑的方法，其是選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的硅烷系偶聯劑的方法，其特征在于，選擇上述硅烷系偶聯劑的反應位點(activesite)的數量除以上述硅烷系偶聯劑的水解(hydrolysis)了的形態的分子量之后乘以。發明效果本發明的蝕刻液組合物提供即使不進行另外的實驗確認也能夠選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防蝕能力優異的硅烷系偶聯劑的效果。此外，本發明的蝕刻液組合物提供在不損傷氧化物膜的同時*選擇性蝕刻氮化物膜的效果。附圖說明圖1是示出3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分的圖。圖2和圖3是示出制造3dnand閃存時氮化物膜去除工序(濕法去除氮化物(wetremovalofnitride))中所發生的工序不良的圖。圖4是示出能夠將3dnand閃存制造工序中發生的副反應氧化物的殘留以及氧化物膜損傷不良**少化的、硅烷系偶聯劑適宜防蝕能力范圍的圖。圖5是示出硅烷系偶聯劑的aeff值與蝕刻程度。

    可以充分的將蝕刻液中的亞銅離子電解轉化為金屬銅，起到循環電解蝕刻液的作用；裝置主體1左端表面靠近上端固定安裝有抽氣泵19，抽氣泵19下方設置有集氣箱21，集氣箱21與抽氣泵19之間連接有排氣管20，電解池4下端連接有二號排液管22，二號排液管22內部上端設置有二號電磁閥23，裝置主體1內部底端靠近左側設置有傾斜板24，裝置主體1前端表面靠近左上邊角位置設置有活動板25，分隔板2右端放置有蓄水箱26，蓄水箱26上端靠近右側連接有進水管27，回流管15下端連接有抽水管28，抽水管28內部上端設置有三號電磁閥29，裝置主體1前端表面靠近右側安裝有控制面板30，傾斜板24的傾斜角度設計為10°，活動板25前端設置有握把，活動板25與裝置主體1之間設置有鉸鏈，且活動板25通過鉸鏈活動安裝在裝置主體1前端，控制面板30的輸出端分別與增壓泵16、一號電磁閥18、二號電磁閥23和三號電磁閥29的輸入端呈電性連接，通過設置有集氣箱21與蓄水箱26，能夠在電解蝕刻液結束后，啟動抽氣泵19，將電解池4中產生的有害氣體抽入到排氣管20并導入到集氣箱21中，實現有害氣體的清理，接著啟動增壓泵16并打開三號電磁閥29，將蓄水箱26中的清水通過抽水管28抽入到進液管8中。好的蝕刻液的標準是什么。

    也不能在回收結束后對裝置內部進行清理的問題。為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種廢銅蝕刻液的回收處理裝置，包括裝置主體，所述裝置主體內部中間位置固定安裝有分隔板，所述分隔板左端表面靠近中間位置固定安裝有承載板，所述承載板上端表面放置有電解池，所述電解池內部中間位置設置有隔膜，所述裝置主體上端表面靠近右側安裝有進液漏斗，所述進液漏斗上設置有過濾網，所述裝置主體內部靠近頂端設置有進液管，所述進液管左端連接有伸縮管，所述伸縮管下端安裝有噴頭，所述裝置主體上端表面靠近左側固定安裝有液壓缸，所述液壓缸下端安裝有伸縮桿，所述伸縮桿下端固定安裝有圓環塊，所述圓環塊與噴頭之間固定連接有連接桿，所述分隔板右端表面靠近上端固定安裝有增壓泵，所述增壓泵下端與電解池之間連接有回流管，所述增壓泵上端與進液管之間連接有一號排液管，所述回流管內部左端設置有一號電磁閥，所述裝置主體左端表面靠近上端固定安裝有抽氣泵，所述抽氣泵下方設置有集氣箱，所述集氣箱與抽氣泵之間連接有排氣管，所述電解池下端連接有二號排液管，所述二號排液管內部上端設置有二號電磁閥，所述裝置主體內部底端靠近左側設置有傾斜板。使用蝕刻液需要什么條件。綿陽鋁鉬鋁蝕刻液蝕刻液溶劑

哪家蝕刻液的的性價比好。合肥格林達蝕刻液產品介紹

    本發明涉及一種用來在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。背景技術：以往，在蝕刻鈦時一直使用含有氫氟酸或過氧化氫的蝕刻液。例如專利文獻1中提出了一種鈦的蝕刻液，該鈦的蝕刻液是用來在銅或鋁的存在下蝕刻鈦，并且該蝕刻液的特征在于：利用由10重量％至40重量％的過氧化氫、％至5重量％的磷酸、％至％的膦酸系化合物及氨所構成的水溶液將pH值調整為7至9。但是，含有氫氟酸的蝕刻液存在毒性高的問題，含有過氧化氫的蝕刻液存在缺乏保存穩定性的問題。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特許第4471094號說明書。技術實現要素：發明所要解決的問題本發明是鑒于所述實際情況而成，其目的在于提供一種蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法，所述蝕刻液可在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦，而且毒性低，保存穩定性優異。解決問題的技術手段本發明的蝕刻液是為了在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦而使用，并且含有：選自由硫酸、鹽酸及三氯乙酸所組成的群組中的至少一種酸；以及選自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所組成的群組中的至少一種有機硫化合物。所述硫酮系化合物推薦為選自由硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。合肥格林達蝕刻液產品介紹