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更推薦滿足。參照圖4，在添加劑(硅烷系偶聯劑)的aeff處于，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良**少化，在硅烷系偶聯劑的aeff處于，能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此，在利用上述范圍所重疊范圍(規格(spec)滿足區間)即aeff為2以上，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內的情況下，上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力，由此，即使沒有消耗費用和時間的實際的實驗過程，也能夠選擇具有目標防蝕能力的硅烷系偶聯劑等添加劑。本發明的上述硅烷系偶聯劑等添加劑推薦按照保護對...

故仍舊會有少量的藥液51噴灑在擋液板結構10上而留下該藥液51的水滴，而該藥液51的水滴亦不能落入該基板20上，以避免基板20的蝕刻不均的現象產生；此外，該輸送裝置30用以承載并運送至少一該基板20于該濕式蝕刻機內運行，并接受濕式蝕刻的噴灑裝置50的制程運作，故該輸送裝置30具有一驅動機構以驅動該滾輪31轉動，以帶動該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風刀裝置40的該***風刀41下端部的方向移動。步驟三s3：使用一設置于該擋液板結構10下方的風刀裝置40對該基板20吹出一氣體43，以使該基板20干燥；在本實用新型其一較佳實施例中，該風刀裝置40設置于該擋液板結構10的一端部，該風刀...

經除霧組件3除霧后的氣體會夾帶著泡沫，泡沫中還是含有銅元素，為進一步提高回收效率，需對氣體和泡沫進行分離，泡沫與絲網碰撞時會吸附在絲網的細絲表面，細絲表面上泡沫不斷累積和泡沫的重力沉降，使泡沫形成較大的液滴沿細絲流至兩根絲的交點，當液滴累積至其自身產生的重力超過氣體的上升力和液體表面張力合力時，液滴就從細絲上分離下落，氣體在通過絲網除沫后，基本上不含泡沫。在一個實施例中，如圖1所示，所述分離器設有液位計7、液位開關9、液相氣相溫度傳感器6和壓力傳感器8。蒸汽從加熱器11到分離器會因分離器內壓力小而發生閃蒸，產生二次蒸汽，使氣液分離的效率更高，所以要維持分離器內的壓力不變，通過觀察液位計...

影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素：1、Cu2+離子濃度的影響：Cu2+是氧化劑，所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關系表明：在0~82g/L時，蝕刻時間長；在82~120g/L時，蝕刻速率較低，且溶液控制困難；在135~165g/L時，蝕刻速率高且溶液穩定；在165~225g/L時，溶液不穩定，趨向于產生沉淀。2、氯化銨含量的影響：通過蝕刻再生的化學反應可以看出：[Cu（NH3）2]+的再生需要有過量的NH3和NH4Cl存在，如果溶液中缺乏NH4Cl，大量的[Cu（NH3）2]+得不到再生，蝕刻速率就會降低，以致失去蝕刻能力。所以，氯化銨的含量對蝕刻速率...

從蝕刻速度及安全性的觀點來看，推薦為40℃至70℃，更推薦為45℃至55℃。處理時間視對象物的表面狀態及形狀等而變化，通常為30秒至120秒左右。實施例然后，對本發明的實施例與比較例一起進行說明。此外，本發明并非限定于下述實施例而解釋。制備表1及表2所示的組成的各蝕刻液，在下述條件下進行蝕刻試驗及蝕刻液的穩定性試驗。此外，表1及表2所示的組成的各蝕刻液中，剩余部分為離子交換水。另外，表1及表2所示的鹽酸的濃度為以氯化氫計的濃度。(蝕刻試驗)通過濺鍍法在樹脂上形成50nm的鈦膜，然后成膜200nm的銅膜，進而通過電鍍銅在該銅膜上形成圖案，將所得的基板用作試樣。使用銅的蝕刻液，將試樣的濺鍍...

使硝酸鉀儲罐21和其它儲罐的內部形成一個密閉的空間，避免環境外部的雜質進入儲罐內，有效的提高了裝置使用的密封性；緊接著，將磷酸與醋酸在個攪拌倉23中充分攪拌混合均勻，然后在第二個攪拌倉23中與硝酸充分攪拌混合均勻后，再進入配料罐中混合，將陰離子表面活性劑和聚氧乙烯型非離子表面活性劑在第三個攪拌倉23混合后再進入第四個攪拌倉23中，與氯化鉀、硝酸鉀、去離子水一起在第四個攪拌倉23中混合均勻，然后過濾后封裝，先檢查過濾板26進行更換或安裝，過濾部件9的內部兩側嵌入連接有過濾板26，常規的生產方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合，其分散混合性能差，蝕刻液雜質含量多，過濾板26能將蝕刻...

其中輸送裝置借由至少一呈順時針方向轉動的滾輪帶動基板由噴灑裝置的下端部朝向風刀裝置的***風刀的下端部的方向移動。如上所述的蝕刻方法，其中風刀裝置分別借由一設置于該輸送裝置的上端部的***風刀與一設置于該輸送裝置的下端部的第二風刀朝向基板的上表面與下表面吹送氣體。借此，本實用新型所產生的技術效果：本實用新型的擋液板結構與以之制備的蝕刻設備主要借由具有復數個宣泄孔的擋液板結構搭配風刀裝置的硬體設計，有效使風刀裝置吹出的氣體得以經由宣泄孔宣泄，并利用水滴的表面張力現象防止水滴由宣泄孔落下造成基板蝕刻不均等異常現象，確實達到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板導...

影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素：1、Cu2+離子濃度的影響：Cu2+是氧化劑，所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關系表明：在0~82g/L時，蝕刻時間長；在82~120g/L時，蝕刻速率較低，且溶液控制困難；在135~165g/L時，蝕刻速率高且溶液穩定；在165~225g/L時，溶液不穩定，趨向于產生沉淀。2、氯化銨含量的影響：通過蝕刻再生的化學反應可以看出：[Cu（NH3）2]+的再生需要有過量的NH3和NH4Cl存在，如果溶液中缺乏NH4Cl，大量的[Cu（NH3）2]+得不到再生，蝕刻速率就會降低，以致失去蝕刻能力。所以，氯化銨的含量對蝕刻速率...

伸縮桿12下端固定安裝有圓環塊13，圓環塊13與噴頭10之間固定連接有連接桿14，分隔板2與承載板3相互垂直設置，電解池4內部底端的傾斜角度設計為5°，進液管8的形狀設計為l型，且進液管8貫穿分隔板2設置在進液漏斗6與伸縮管9之間，圓環塊13通過伸縮桿12活動安裝在噴頭10上方，且噴頭10通過伸縮管9活動安裝在電解池4上方，通過設置有伸縮管9與伸縮桿12，能夠在蝕刻液通過進液管8流入到電解池4中時，啟動液壓缸11帶動伸縮桿12向上移動，從而通過圓環塊13配合伸縮管9帶動噴頭10向上移動，進而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中，避免蝕刻液對電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護...

一種ito蝕刻液及其制備方法、應用方法技術領域1.本技術涉及化學蝕刻技術領域，具體涉及一種ito蝕刻液及其制備方法、應用方法。背景技術：2.目前，電子器件的基板表面(例如顯示器件的陣列基板)通常帶有一定圖案的氧化銦錫(ito)膜，以便后續給電子器件可控通電。該ito膜通常通過化學蝕刻的方法蝕刻ito材料層形成。其中，對于多晶ito(p-ito)材料，所用蝕刻液主要包括硫酸系、王水系ito蝕刻液。王水系蝕刻液成本低，但其蝕刻速度快，蝕刻的角度難以控制，且容易對ito膜的下層金屬造成二次腐蝕。技術實現要素：3.有鑒于此，為克服目前存在的技術難題，本技術提供了一種ito蝕刻液及其制備方法、應用方法。...

silane)系偶聯劑和水，上述硅烷系偶聯劑使上述硅烷系偶聯劑的反應位點(activesite)的數量除以上述硅烷系偶聯劑的水解(hydrolysis)了的形態的分子量之后乘以。此外，提供一種選擇硅烷系偶聯劑的方法，其是選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的硅烷系偶聯劑的方法，其特征在于，選擇上述硅烷系偶聯劑的反應位點(activesite)的數量除以上述硅烷系偶聯劑的水解(hydrolysis)了的形態的分子量之后乘以。發明效果本發明的蝕刻液組合物提供即使不進行另外的實驗確認也能夠選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜的效果和防...

可以維持合適的蝕刻速度且提高sin/sio2選擇比。(b)硅烷系偶聯劑本發明的蝕刻液組合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶聯劑作為防蝕劑可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化時使用。上述硅烷系偶聯劑推薦使上述硅烷系偶聯劑的反應位點(activesite)的數量除以上述硅烷系偶聯劑的水解(hydrolysis)了的形態的分子量之后乘以，更推薦滿足。上述硅烷系偶聯劑推薦按照蝕刻液組合物的蝕刻程度(etchingamount，e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來添加。上述硅烷系偶聯劑推薦為選自由原硅酸四乙酯(tetraethylorthosilicate)、雙(三...

下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。圖1是實施例一中公開的儲存罐與拖車的安裝結構圖；圖2是實施例二中公開的儲存罐與拖車的安裝結構圖；圖3是實施例三中公開的儲存罐與拖車的安裝結構圖；圖4是實施例四中公開的儲存罐與拖車的安裝結構圖。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。實施例一鋁蝕刻液生產設備，包括混合罐、過濾器和數個小型的儲存罐，混合罐通過液管與過濾器連接，過濾器的出液口處安裝有氣動升降式出液管，每個儲存罐的進液口和出液口中安裝有一只單向液動閥，過濾器的出液管自動下行插入儲存罐的進液口中，將過濾后的鋁蝕刻液注入儲...

步驟一s1：設置一擋液板結構10，其中該擋液板結構10設置有復數個宣泄孔121；該擋液板結構10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其中該第二擋板12具有復數個貫穿該第二擋板12且錯位設置的宣泄孔121，該復數個宣泄孔121呈千鳥排列的直通孔態樣，且位于同一列的宣泄孔121之間具有相同的距離，其中該宣泄孔121的孔徑a0比較好小于3mm，以使該宣泄孔121的孔洞內產生毛細現象，若該第二擋板12的該上表面123有水滴出現時，則該水滴不至于經由該宣泄孔121落至下表面122，但仍舊可以提供空氣宣泄的管道，以借由該宣泄孔1...

以帶動該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風刀裝置40的該***風刀41下端部的方向移動。該風刀裝置40設置于該擋液板結構10的一端部，該風刀裝置40包括有一設置于該基板20上方的***風刀41，以及一設置于該基板20下方的第二風刀42，其中該***風刀41與該第二風刀42分別吹出一氣體43至該基板20，以將該基板20上的一藥液51帶往與相反于該基板20的行進方向，以使該基板20上該藥液51減少，其中該氣體43遠離該***風刀41與該第二風刀42的方向分別與該基板20的法線方向夾設有一第三夾角θ3，且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。此外，請一并參閱圖8與圖9所示，為本實用新型蝕...

經除霧組件3除霧后的氣體會夾帶著泡沫，泡沫中還是含有銅元素，為進一步提高回收效率，需對氣體和泡沫進行分離，泡沫與絲網碰撞時會吸附在絲網的細絲表面，細絲表面上泡沫不斷累積和泡沫的重力沉降，使泡沫形成較大的液滴沿細絲流至兩根絲的交點，當液滴累積至其自身產生的重力超過氣體的上升力和液體表面張力合力時，液滴就從細絲上分離下落，氣體在通過絲網除沫后，基本上不含泡沫。在一個實施例中，如圖1所示，所述分離器設有液位計7、液位開關9、液相氣相溫度傳感器6和壓力傳感器8。蒸汽從加熱器11到分離器會因分離器內壓力小而發生閃蒸，產生二次蒸汽，使氣液分離的效率更高，所以要維持分離器內的壓力不變，通過觀察液位計...

對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。實施例一，請參閱圖1-4，本實用新型提供技術方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置，包括裝置主體1、支撐腿2、電源線3和單片機4，裝置主體1的底端固定連接有支撐腿2，裝置主體1的后面一側底部固定連接有電源線3，裝置主體1的一側中間部位固定連接有控制器5，裝置主體1的內部底端一側固定連接有單片機4，裝置主體1的頂部一端固定連接有去離子水儲罐14，裝...

因此存在開發蝕刻液組合物時會過度耗費時間和費用的問題。美國公開**第2號公開了在3dnand閃存的制造工序中，對于硅氧化物膜和硅氮化物膜*選擇性蝕刻硅氮化物膜的蝕刻液組合物。然而，為了選擇構成成分的種類和濃度，不得不需要測試蝕刻液組合物的蝕刻性能，實際情況是，與上述同樣，仍然沒有解決在找尋蝕刻液組合物的適宜組成方面過度耗費時間和費用的問題。現有技術文獻**文獻**文獻1：美國公開**第2號技術實現要素：所要解決的課題本發明是為了改善上述以往技術問題的發明，其目的在于，提供用于選擇硅烷系偶聯劑的參數以及包含由此獲得的硅烷系偶聯劑的蝕刻液組合物，所述硅烷系偶聯劑作為添加劑即使不進行另外的實...

以帶動該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風刀裝置40的該***風刀41下端部的方向移動。該風刀裝置40設置于該擋液板結構10的一端部，該風刀裝置40包括有一設置于該基板20上方的***風刀41，以及一設置于該基板20下方的第二風刀42，其中該***風刀41與該第二風刀42分別吹出一氣體43至該基板20，以將該基板20上的一藥液51帶往與相反于該基板20的行進方向，以使該基板20上該藥液51減少，其中該氣體43遠離該***風刀41與該第二風刀42的方向分別與該基板20的法線方向夾設有一第三夾角θ3，且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。此外，請一并參閱圖8與圖9所示，為本實用新型蝕...

本發明涉及蝕刻液組合物及選擇添加于該蝕刻液組合物的硅烷系偶聯劑的方法。背景技術：參照圖1，可以確認3dnand閃存(flashmemory)制造工序中的一部分。3dnand閃存可以通過在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜的工序(wetremovalofnitride)來制造。在不損傷氧化物膜的同時將氮化物膜完全去除是這樣的氮化物膜去除工序(wetremovalofnitride)的**技術之一。一般而言，氮化物膜去除工序中所使用的蝕刻液組合物利用具有防蝕能力的添加劑以獲得在不損傷氧化物膜的同時*將氮化物膜完全去除的效果。但是，想要在不損傷氧化物膜的范圍內將氮化物膜完全去除...

技術實現要素：本實用新型的目的在于提供高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置，以解決上述背景技術中提出密封性差，連接安裝步驟繁瑣的問題。為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置，包括裝置主體、支撐腿、電源線和單片機，所述裝置主體的底端固定連接有支撐腿，所述裝置主體的后面一側底部固定連接有電源線，所述裝置主體的一側中間部位固定連接有控制器，所述裝置主體的內部底端一側固定連接有單片機，所述裝置主體的頂部一端固定連接有去離子水儲罐，所述裝置主體的頂部一側固定連接有磷酸儲罐，所述磷酸儲罐的底部固定連接有攪拌倉，所述攪拌倉的內部頂部固定連接有攪拌電機，所述攪...

etchingamount)的相互關系的圖表。具體實施方式本發明人確認了用于氮化物膜去除工序用蝕刻液組合物的具有防蝕能力的添加劑在滿足特定參數值時能夠使在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性去除氮化物膜且不損傷氧化物膜的效果極大化，從而完成了本發明。本發明包括選擇在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*將氮化物膜選擇性去除的能力優異的添加劑的方法、由此選擇的添加劑、包含上述添加劑的蝕刻液組合物以及利用上述蝕刻液組合物的蝕刻方法。本發明中，蝕刻對象膜可以為氮化物膜，保護對象膜可以為氧化物膜。此外，本發明的上述添加劑可以為硅烷(silane)系偶聯劑。<蝕刻液組合物>具體而言，本發明可以包含磷酸、...

如上所述的擋液板結構，其中宣泄孔的孔徑小于3毫米(millimeter，mm)。如上所述的擋液板結構，其中宣泄孔為千鳥排列或矩陣排列等其中的一種排列方式。如上所述的擋液板結構，其中宣泄孔為直通孔或斜錐孔等其中的一種態樣或兩者的混合。如上所述的擋液板結構，其中宣泄孔具有一***壁面，以及一第二壁面，且第二擋板具有一下表面，當宣泄孔為斜錐孔態樣時，***壁面與下表面的***夾角不同于第二壁面與下表面的第二夾角。如上所述的擋液板結構，其中當宣泄孔為斜錐孔態樣時，宣泄孔的上孔徑與下孔徑不相等。如上所述的擋液板結構，其中當宣泄孔為斜錐孔態樣時，宣泄孔的上孔徑小于下孔徑。如上所述的擋液板結構，其中...

避免連接構件11的兩側與操作人員的手接觸的時候，會因操作人員的手沾濕出現手滑的情況，有效的保證了裝置內部構件的連接工作能正常的進行。推薦的，支撐腿2的底端嵌入連接有防滑紋6，在制備蝕刻液的時候，需要將裝置固定的特定的位置，通過支撐腿2將裝置主體1進行支撐固定，在支撐腿2與固定位置的接觸面接觸時，防滑紋6能增大支撐腿2的底端與固定接觸面的摩擦力，使裝置主體1能有足夠的抓地力固定在固定位置上，有效的提高了裝置固定的防滑性。推薦的，過濾部件9的內部兩側嵌入連接有過濾板26，常規的生產方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合，其分散混合性能差，蝕刻液雜質含量多，過濾板26能將蝕刻液內部的雜...

該擋液板結構10包括有一***擋板11、一與該***擋板11接合的第二擋板12，以及一與該第二擋板12接合的第三擋板13，其主要特征在于：該第二擋板12具有復數個貫穿該第二擋板12且錯位設置的宣泄孔121。該***擋板11與該第二擋板12呈正交設置，且該第二擋板12與該第三擋板13呈正交設置，以使該***擋板11、該第二擋板12與該第三擋板13圍設成一凹槽的態樣，在一實施例中，該***擋板11、該第二擋板12與該第三擋板13可以為一體成形，其中該第二擋板12的長度h介于10cm至15cm之間，而該等開設于該第二擋板12上的宣泄孔121可呈千鳥排列或矩陣排列等其中的一種排列的態樣，且該宣...

本實用新型有關于一種擋液板結構與以之制備的蝕刻設備，尤其是指一種適用于濕式蝕刻機的擋液排液功能且增加其透氣性以降低產品損耗的擋液板結構與以之制備的蝕刻設備。背景技術：請參閱圖1所示，為傳統擋液板結構的整體設置示意圖，其中一實心pvc板態樣的擋液板結構a設置于一濕式蝕刻機(圖式未標示)內，主要用以阻擋一蝕刻藥液(圖式未標示)對設置于該擋液板結構a下方的基板(圖式未標示)的噴濺而造成蝕刻不均勻的現象，并且在濕式蝕刻的制程步驟中，該基板設置于二風刀b之間，當該基板設置于一輸送裝置(圖式未標示)而由該擋液板結構a的左方接受蝕刻藥液蝕刻后移動至風刀b之間，該等風刀b再噴出一氣體c到該基板的表面以...

所述液位計7安裝于所述分離器的外表面。液位計7安裝在方便工作人員查看的位置，有利于提高工作人員工作的效率。在一個實施例中，如圖1所示，所述液位開關9為控制閥，設置于所述濾液出口2處。控制閥為內螺紋截止閥，通過旋轉操縱盤實現閥門的開關，這種閥結構簡單，維修方便，工作行程小，啟閉時間短，使用壽命長。在一個實施例中，如圖2所示，所述分離器的側壁上設有多個視鏡10。分離器側壁上設置的視鏡10可以幫助工作人員輔助判斷液位計7的工作狀況。在一個實施例中，如圖1所示，所述加熱器11為盤管式加熱器。盤管式加熱器的受熱更加均勻，加熱效率更高。在一個實施例中，如圖1所示，所述分離器底部為錐體形狀。分離器底...

本發明涉及一種用來在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。背景技術：以往，在蝕刻鈦時一直使用含有氫氟酸或過氧化氫的蝕刻液。例如專利文獻1中提出了一種鈦的蝕刻液，該鈦的蝕刻液是用來在銅或鋁的存在下蝕刻鈦，并且該蝕刻液的特征在于：利用由10重量％至40重量％的過氧化氫、％至5重量％的磷酸、％至％的膦酸系化合物及氨所構成的水溶液將pH值調整為7至9。但是，含有氫氟酸的蝕刻液存在毒性高的問題，含有過氧化氫的蝕刻液存在缺乏保存穩定性的問題。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特許第4471094號說明書。技術實現要素：發明所要解決的問題本發明是鑒于所述實際情況而成，其目的在于...

本實用新型有關于一種擋液板結構與以之制備的蝕刻設備，尤其是指一種適用于濕式蝕刻機的擋液排液功能且增加其透氣性以降低產品損耗的擋液板結構與以之制備的蝕刻設備。背景技術：請參閱圖1所示，為傳統擋液板結構的整體設置示意圖，其中一實心pvc板態樣的擋液板結構a設置于一濕式蝕刻機(圖式未標示)內，主要用以阻擋一蝕刻藥液(圖式未標示)對設置于該擋液板結構a下方的基板(圖式未標示)的噴濺而造成蝕刻不均勻的現象，并且在濕式蝕刻的制程步驟中，該基板設置于二風刀b之間，當該基板設置于一輸送裝置(圖式未標示)而由該擋液板結構a的左方接受蝕刻藥液蝕刻后移動至風刀b之間，該等風刀b再噴出一氣體c到該基板的表面以...

裝置主體1的頂部另一端固定連接有硝酸鉀儲罐21，裝置主體1的內部中間部位固定連接有連接構件11，裝置主體1的內部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥10，連接構件11的內側固定連接有過濾部件9，裝置主體1的內部底端另一側固定連接有收集倉8，收集倉8的另一側底部固定連接有密封閥門7，過濾部件9的頂端兩側活動連接有滑動蓋24，過濾部件9的內部中間兩側固定連接有收縮彈簧管25，連接構件11的內側兩端嵌入連接有螺紋管27，連接構件11的內部中間兩側活動連接有活動軸28，連接構件11的內側中間兩側嵌入連接有密封軟膠層29。推薦的，硝酸鉀儲罐21的頂部嵌入連接有密封環22，在將制備蝕刻液儲罐加入...