?IGBT驅動電路是一種復合全控型電壓驅動式功率的半導體器件IGBT驅動電路是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作,并同時對其進行保護的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。圖1圖1所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+ 區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。IGBT驅動:IGBT常被用于中大功率數字電源開發,其驅動電壓范圍為-15~15V。上海質量驅動電路設計
IGBT 的開關特性主要取決于IGBT的門極電荷及內部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖,其中CGE 是柵極-發射極電容、CCE 是集電極-發射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容(Miller Capacitor)。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示,它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響,但與IGBT集電極-發射極電壓VCE 的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值,在實際電路應用中不是一個特別有用的參數,因為它是通過電橋測得的,在測量電路中,加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),在這種測量條件下,所測得的結電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。奉賢區推廣驅動電路貨源充足技術意義:在計算機領域,驅動程序(Driver)是指一種軟件,它使操作系統能夠與硬件設備進行通信。
有些驅動器只有一個輸出端,這就要在原來的Rg 上再并聯一個電阻和二極管的串聯網絡,用以調節2個方向的驅動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅動引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對于大功率IGBT,選擇驅動電路基于以下的參數要求:器件關斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,對IGBT的通態壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,而門極負偏壓則對關斷特性的影響比較大。在門極電路的設計中,還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發等問題(見表1)。
驅動電路隔離技術一般使用光電耦合器或隔離變壓器(光耦合;磁耦合)。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高,容易**擾,故驅動電路應具有良好的電氣隔離性能,以實現主電路與控制電路之間的隔離,使之具有較強的抗干擾能力,避免功率級電路對控制信號的干擾。光耦隔離驅動可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實現電路的電磁隔離,是一種電路簡單可靠,又具有電氣隔離作用的電路,但其對脈沖的寬度有較大限制,若脈沖過寬,磁飽和效應可能使一次繞組的電流突然增大,甚至使其燒毀,而若脈沖過窄,為驅動柵極關斷所存儲的能量可能不夠。電機驅動電路:直流電機驅動電路、步進電機驅動電路和伺服電機驅動電路,通常需要控制電機的轉速和方向。
led驅動電路是一種用于可控硅調光器的電路,分為兩類AC/ DC轉換和DC/ DC轉換兩類,又根據驅動原理的不同,可以分為線性驅動電路和開關驅動電路。LED在具體的使用時,要注意驅動電路的選用。LED 驅動電路除了要滿足安全要求外,另外的基本功能應有兩個方面:根據能量來源的不同,LED驅動電路總體上可分為兩類,一是AC/ DC轉換,能量來自交流電,二是DC/ DC轉換,能量來自干電池、可充電電池、蓄電池等。根據LED驅動原理的不同,又可以分為線性驅動電路和開關驅動電路。根據具體的應用場景和需求,還有推挽驅動、隔離驅動、加速關斷驅動等多種設計方案。奉賢區推廣驅動電路貨源充足
負載特性:了解負載的電流、電壓和功率要求。上海質量驅動電路設計
在安裝驅動程序時,Windows一般要把.inf文件拷貝一份到“Win-dows\Inf”或“Windows\Inf\Other”目錄下,以備將來使用。Inf目錄下除了有.inf文件外,還有兩個特殊文件D和D,以及一些.pnf文件,它們都是Windows為了加快處理速度而自動生成的二進制文件。D和D記錄了inf文件描述的所有硬件設備,也許朋友們會有印象:當我們在安裝某些設備時,經常會看到一個“創建驅動程序信息庫”的窗口,此時Windows便正在生成這兩個二進制文件。上海質量驅動電路設計
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