5mA輸出）整流脈沖輸出G1~G6K1~K6接1~6號晶閘管控制極接1~6號晶閘管陰極8、發光二極管工作狀態代號發光二極管亮時指示狀態POWER控制板帶電工作WPL水壓低故障OC過電流故障LV控制板欠電壓故障OV中頻過電壓故障OP三相輸入缺相故障LED1-LED6六路整流脈沖指示，正常為微亮，過亮表示SCR門極接反或開路9、電位器代號電位器工作狀態W1IF比較大輸出電流設定電位器；當有電流反饋時可設定比較大輸出電流，順時針方向為最小，比較大調節范圍約2倍。W2VF比較大中頻輸出電壓設定電位器；當有電壓反饋時可設定比較大中頻輸出電壓，順時針方向為最小，比較大調節范圍約2倍。W3（θMAX）比較大逆變引前角設定電位器，順時針方向為增大，比較大調節范圍約為40度至60度。W4（θMIN）最小逆變引前角設定電位器，順時針方向為增大，比較大調節范圍約為20度至40度。W5FHZ外接頻率表設定電位器，順時針方向為讀數增大，比較大調節范圍約3倍。W6FMAX比較大它激逆變頻率設定電位器，順時針方向為增大，比較大調節范圍約2倍。10、安裝與連接MPU-2控制板的G1-G6、K1-K6觸發脈沖連接導線用，建議用不同顏色的導線表示極性，其余連接導線用。正高電氣擁有業內權威人士和高技術人才。濟南MTAC450晶閘管智能模塊

晶閘管模塊使用注意事項

科學合理的選型和適當的維護可有效延長產品的使用壽命，用戶可參考以下標準進行產品的維護和保養：

（1）初次使用該產品的用戶一定要熟讀說明書，了解產品的基本情況和使用方法；

（2）在產品選型時根據使用條件按標準要留出足夠的電流余量，并保證足夠的散熱條件。

（3）工作場所環境溫度范圍：-25℃～+45℃；

（4）模塊周圍應干燥、通風、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體和氣體；

（5）模塊不能當作隔離開關使用，為保證安全，模塊前面需加空氣開關；

（6）模塊各緊固螺釘一定要擰緊，避免因接觸不良導致次生熱量產生，且會降低通過的電流量。初次使用應在工作一段時間后（建議8小時之內）再把同模塊連接的所有螺釘緊固一遍；

（7）模塊基板底部的導熱硅脂建議三至四個月更換一次，或采用導熱墊，可有效延長產品使用壽命。

（8）電網電壓不穩定或電流變化大的場所一定要在產品輸入端安裝快速熔斷器或加裝穩流穩壓板。 濟南MTAC450晶閘管智能模塊正高電氣是多層次的模式與管理模式。

晶閘管智能模塊的保護

在實際應用中，除合理選擇智能可控硅調壓模塊的額定電壓及電流外，還必須采取有效的保護措施來保證晶閘管智能模塊能可靠工作。

過熱保護：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣，在實際工作中由于自身功耗，都會引起芯片溫度上升，溫度過高后，會使漏電流增加，芯片特性變軟，直至過熱擊穿，在實際應用中，通常采用強迫風冷的方法來及時散除晶閘管工作時產生的熱量，控制散熱器比較高溫度不超過75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。

晶閘管智能模塊電流規格的選取方法

考慮到晶閘管智能模塊產品一般都是非正弦電流，存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規格時需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算：

I>K×I負載×U較大∕U實際

K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；

I負載：負載流過的較大電流；    U實際：負載上的較大電壓；

U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標稱的電流一定要大于該值。

例：某系統用三相整流模塊電爐調溫，380V輸入，輸出電流130A，輸出直流電壓可調350V～450V，應選擇什么型號的模塊？

選擇方法：三相整流模塊，380V輸入，較大輸出直流電壓為380×1.35=513V,電爐為阻性負載,按公式輸出電流應不小于1.5×130×513/350=285.81A,可選取接近（但一定要大于）值，即320A的模塊，型號為:3MTDC320。 正高電氣用先進的生產工藝和規范的質量管理，打造優良的產品！

晶閘管智能調壓模塊的使用方法

1、各功能端相對com端必須為正，若com端為負極，極性相反，則晶閘管智能調壓模塊主回路輸出端可能失控。

2、晶閘管智能調壓模塊各功能端的控制特性均為正極性，即控制電壓越高，模塊強電主回路輸出電壓越高。

3、晶閘管智能調壓模塊在某一時刻宜使用一種輸入控制方式，若2種以上方式同時輸入使用，則輸入信號較強的一種起主要作用。

4、晶閘管智能調壓模塊電源為上進下出，三相交流電路的進線R、S、T無相序要求，導線粗細按實際使用電流選擇。

5、晶閘管智能調壓模塊N線僅為模塊內部開關電源用，用1平方細導線即可，N線與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設計。

6、晶閘管智能調壓模塊在使用過程中若發生過流現象，應首先檢查負載有無短路等故障。可在模塊的進線R、S、T端之前安裝快速熔斷器進行過流保護，規格可按實際負載電流的1.5倍選配。

7、智能晶閘管智能調壓模塊應與散熱器配合使用，在機柜中與其他器件之間有足夠的散熱空間。必要時可安裝風扇強制散熱。 正高電氣提供周到的解決方案，滿足客戶不同的服務需要。淄博MTDC100晶閘管智能模塊生產廠家

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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態轉入通態的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯RC阻容吸收網絡。濟南MTAC450晶閘管智能模塊

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