Nanoscribe的PhotonicProfessionalGT2雙光子無掩模光刻系統的設計多功能性配合打印材料的多方面選擇性，可以實現微機械元件的制作，例如用光敏聚合物，納米顆粒復合物，或水凝膠打印的遠程操控可移動微型機器人，并可以選擇添加金屬涂層。此外，微納米器件也可以直接打印在不同的基材上，甚至可以直接打印于微機電系統（MEMS）。微米級增材制造能夠突破傳統微納光學設計的上限，借助Nanoscribe雙光子聚合技術的出色的性能，可以輕松實現球形，非球形，自由曲面或復雜3D微納光學元件制作，并具備出色的光學質量表面和形狀精度。雙光子灰度光刻技術可以一步實現真正具有出色形狀精度的多級衍射光學元件（DOE），并且滿足DOE納米結構表面的橫向和縱向分辨率達到亞微米量級。由于需要多次光刻，刻蝕和對準工藝，衍射光學元件（DOE）的傳統制造耗時長且成本高。而利用增材制造即可簡單一步實現多級衍射光學元件，可以直接作為原型使用，也可以作為批量生產母版工具。 Nanoscribe中國分公司-納糯三維科技（上海）有限公司為您講解雙光子灰度光刻技術的運用。黑龍江2PP灰度光刻

灰度光刻的就是利用灰度光刻掩膜版（掩膜接觸式光刻）或者計算機控制激光束或者電子束劑量從而達到在某些區域完全曝透，而某些區域光刻膠部分曝光，從而在襯底上留下3D輪廓形態的光刻膠結構（如下圖4所示，八邊金字塔結構）。微透鏡陣列也是類似，可以通過劑量分布的控制來控制其輪廓形態。需要注意，灰度光刻方法獲得的微透鏡陣列的表面粗糙度相比于熱回流和噴墨法獲得的透鏡要大的多，約為Ra=100nm，前兩者可以會的Ra=50nm的球面。微納3D打印其實和與灰度光刻有點相似，但是原理不同，我們常見的微納3D打印技術是雙光子聚合和微納金屬3D打印技術，利用該技術我們理論上可以獲得任意想要的結構，不光是微透鏡陣列結構（如下圖5所示），該方法的優勢是可以完全按照設計獲得想要的結構，對于雙光子聚合的微結構，我們需要通過LIGA工藝獲得金屬模具，但是對于微納金屬3D打印獲得的微納米結構可以直接進行后續的復制工作，并通過納米壓印技術進行復制。山東高精度灰度光刻雙光子灰度光刻技術將灰度光刻的高性能與雙光子聚合的精確性和靈活性完美結合。

Nanoscribe雙光子聚合技術所具有的高設計自由度，可以在各種預先構圖的基板上實現波導和混合折射衍射光學器件等3D微納加工制作。結合Nanoscribe公司的高精度定位系統，可以按設計需要精確地集成復雜的微納結構。由Nanoscribe研發的IP系列光刻膠是用于特別高分辨率微納3D打印的標準材料。所打印的亞微米級別分辨率器件具有特別高的形狀精度，屬于目前市場上易于操作的“負膠”。IP樹脂作為高效的打印材料，是Nanoscribe微納加工解決方案的基本組成部分之一。我們提供針對優化不同光刻膠和應用領域的高級配套軟件，從而簡化3D打印工作流程并加快科研和工業領域的設計迭代周期，包括仿生表面，微光學元件，機械超材料和3D細胞支架等。

微凹透鏡陣列結構是光學器件中的一種常見組件，具有較強的聚焦和成像能力。以往制備此類結構的方法有熱回流、灰度光刻、干法刻蝕和注射澆鑄等。受加工手段的限制，傳統的微透鏡陣列往往是在1個平板襯底上加工出一系列相同尺寸的凹透鏡結構，這樣的1組微透鏡陣列無法將1個平面物體聚焦至1個像平面上，會產生場曲。在商業生產中，為了消除場曲這種光學像差，只能在后續光路中引入場鏡組來進行校正，從而增加了器件復雜度和成本。如果采用3D飛秒激光打印來加工微凹透鏡陣列即可通過設計一系列具有漸變深度的微凹透鏡單元直接消除場曲。Nanoscribe中國分公司-納糯三維科技（上海）有限公司邀您一起探討雙光子灰度光刻系統。

如何減少甚至避免因此帶來的柔軟樣品表面的形變，以實現對原始表面的精確成像一直是一個重要議題。Nanoscribe公司的系列產品是基于雙光子聚合原理的高精度微納3D打印系統，雙光子聚合技術是實現微納尺度3D打印特別有效的技術，其打印物體的特別小特征尺寸可達亞微米級，并可達到光學質量表面的要求。Nanoscribe Photonic Professional GT2使用雙光子聚合(2PP)來產生幾乎任何3D形狀：晶格、木堆型結構、自由設計的圖案、順滑的輪廓、銳利的邊緣、表面的和內置倒扣以及橋接結構。Photonic Professional GT2 結合了設計的靈活性和操控的簡潔性，以及非常普遍的材料-基板選擇。因此，它是一個理想的科學儀器和工業快速成型設備，適用于多用戶共享平臺和研究實驗室。了解雙光子灰度光刻敬請咨詢Nanoscribe中國分公司-納糯三維科技（上海）有限公司。吉林2GL灰度光刻技術3D打印

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國際上，激光直寫設備是光掩模制備的主要工具，尤其在高世代TFT-Array掩模的平面圖形，面積可達110英寸（瑞典MICRONIC）單價高于1.5億元/套，制備一個線寬分辨率1.5微米的110吋光掩模單價500萬RMB；然而，這種激光直寫設備并不適用于微納3Ｄ形貌結構和深紋圖形制備。已有的基于藍光405nm直接成像光刻（DIL）適合光刻分辨率較低的圖形，也不適用于3D結構的灰度光刻。因此，面向柔性光電子材料與器件的需求，必須攻克大面積3D形貌的微結構的高效高精度制備，解決海量數據高效率轉化、高精度數據迭代與疊加曝光，高速率飛行直寫技術的難題。黑龍江2PP灰度光刻

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