納米氮化鋁粉體主要用途:導熱塑料中的應用:納米氮化鋁粉體可以大幅度提高塑料的導熱率。通過實驗產品以5-10%的比例添加到塑料中,可以使塑料的導熱率從原來的0.3提高到5。導熱率提高了1l6倍多。相比較目前市場上的導熱填料(氧化鋁或哦氧化鎂等)具有添加量低,對制品的機械性能有提高作用,導熱效果提高更明顯等特點。目前相關應用廠家已經大規模采購納米氮化鋁粉體,新型的納米導熱塑料將投放市場。高導熱硅橡膠的應用:與硅匹配性能好,在橡膠中容易分散,在不影響橡膠的機械性能的前提下(實驗證明對橡膠的機械性能還有提高作用)可大幅度提升硅橡膠的導熱率,在添加過程中不象氧化物等使黏度上升很快,添加量很小(根據導熱要求一般在5%左右就可以使導熱率提高50%-70%),現較廣應用與,航空以及信息工程中。氮化鋁防導熱性好,熱膨脹系數小,是良好的耐熱沖擊材料。嘉興片狀氧化鋁
環氧樹脂/AlN復合材料:作為封裝材料,需要良好的導熱散熱能力,且這種要求愈發嚴苛。環氧樹脂作為一種有著很好的化學性能和力學穩定性的高分子材料,它固化方便,收縮率低,但導熱能力不高。通過將導熱能力優異的AlN納米顆粒添加到環氧樹脂中,可有效提高材料的熱導率和強度。TiN/AlN復合材料:TiN具有高熔點、硬度大、跟金屬同等數量級的導電導熱性以及耐腐蝕等優良性質。在AlN基體中添加少量TiN,根據導電滲流理論,當摻雜量達到一定閾值,在晶體中形成導電通路,可以明顯調節AlN燒結體的體積電阻率,使之降低2~4個數量級。而且兩種材料所制備的復合陶瓷材料具有雙方各自的優勢,高硬度且耐磨,也可以用作高級研磨材料。上海高導熱氮化硼廠家氮化鋁不但機械性能好,抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷,硬度高,還耐高溫耐腐蝕。
隨著電子和光電行業蓬勃發展,電子產品的功能越發,同時體積也越來越小,使集成電路(IC)和電子系統在半導體工業上也朝向高集成密度以及高功能化的方向發展。目前,封裝基板材料主要采用氧化鋁陶瓷或高分子材料,但隨著對電子零件的承載基板的要求越來越嚴格,它們的熱導率并不能滿足行業的需求,而AlN因具有良好的物理和化學性能逐步成了封裝材料的首要選擇。氮化鋁陶瓷室溫比較強度高,且不易受溫度變化影響,同時熱導率高(比氧化鋁高5-8倍)且熱膨脹系數低,所以耐熱沖擊好,能耐2200℃的極熱,是一種優良的耐熱沖材料及熱交換材料,作為熱交換材料,可望應用于燃氣輪機的熱交換器上。
氮化鋁基板具有極高的熱導率,無毒、耐腐蝕、耐高溫,熱化學穩定性好等特點。氮化鋁陶瓷基板是大規模集成電路,半導體模塊電路和大功率器件的理想封裝材料、散熱材料、電路元件及互連線承載體。同時也是提高高分子材料熱導率和力學性能的很佳添加料,目前在新能源汽車方面應用較廣。隨著智能汽車的電子化程度越來越高,集成電路所占的成本比例將越來越高,擴大氮化鋁基板的應用場景及需求。傳統的IGBT模塊中,氧化鋁精密陶瓷基板是很常用的精密陶瓷基板。但由于氧化鋁精密陶瓷基片相對低的熱導率、與硅的熱膨脹系數匹配不好,并不適合作為高功率模塊封裝材料。氮化鋁精密陶瓷基板在熱特性方面具有非常高的熱導率,散熱快;在應力方面,熱膨脹系數與硅接近,整個模塊內部應力較低;又具有無氧銅的高導電性和優異的焊接性能,是IGBT模塊封裝的關鍵基礎材料。提高了高壓IGBT模塊的可靠性。這些優異的性能都使得氮化鋁覆銅板成為高壓IGBT模塊封裝的。直接氮化法的優點是工藝簡單,成本較低,適合工業大規模生產。
氮化鋁粉體的制備工藝主要有直接氮化法和碳熱還原法,此外還有自蔓延合成法、高能球磨法、原位自反應合成法、等離子化學合成法及化學氣相沉淀法等。直接氮化法:直接氮化法就是在高溫的氮氣氣氛中,鋁粉直接與氮氣化合生成氮化鋁粉體,其化學反應式為2Al(s)+N2(g)→2AlN(s),反應溫度在800℃-1200℃。其優點是工藝簡單,成本較低,適合工業大規模生產。其缺點是鋁粉表面有氮化物產生,導致氮氣不能滲透,轉化率低;反應速度快,反應過程難以控制;反應釋放出的熱量會導致粉體產生自燒結而形成團聚,從而使得粉體顆粒粗化,后期需要球磨粉碎,會摻入雜質。氧化鋁陶瓷基板的熱導率低,熱膨脹系數和硅不太匹配。臺州電絕緣氮化硼銷售公司
利用AlN陶瓷耐熱耐侵蝕性,可用于制作坩堝、Al蒸發皿等高溫耐蝕部件。嘉興片狀氧化鋁
氮化鋁陶瓷的流延成型:粘結劑和增塑劑,在流延漿料中加入粘結劑與增塑劑主要是為了提高薄片的強度和改善薄片的韌性及延展性。流延薄片在室溫下自然干燥時,溶劑不斷揮發,粘結劑則能自身固化成三維網絡結構防止薄片中的顆粒沉降,并且賦予薄片一定的強度。增塑劑的引入保證了薄片的柔韌性,同時降低了粘結劑在室溫和較低溫度時的玻璃化轉變溫度。流延成型的工藝特點:優點:設備不太復雜,工藝穩定,可連續生產,效率高,自動化程度高,坯膜性能均一且易于控制, 適于制造各種超薄形陶瓷器件,氧化鋁陶瓷基片等。缺點:坯體密度小,收縮性高。嘉興片狀氧化鋁
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