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氮化鋁陶瓷微觀結構對熱導率的影響：在實際應用中，常在AlN中加入各種燒結助劑來降低AlN陶瓷的燒結溫度，與此同時在氮化鋁晶格中也引入了第二相，致使熱傳導過程中聲子發生散射導致熱導率下降。添加燒結助劑引入的第二相會出現幾種情況：從分布形式來看，可分為孤島狀和連續分布在晶界處；從分布位置來看，可分為分布在晶界三角處和晶界其他處。連續分布的晶粒可為聲子提供了更直接的通道，直接接觸AlN晶粒比孤立分布的AlN晶粒具有更高的熱導率，所以第二相是連續分布的更好；分布于晶界三角處的AlN陶瓷在熱傳導過程中產生的干擾散射較少，而且能夠使AlN晶粒間保持接觸，故而第二相分布在晶界三角處更好。此外，晶界相若分布不...

氮化鋁陶瓷是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。性能指標：各種電性能(介電常數、介質損耗、體電阻率、介電強度)優良；機械性能好...

氮化鋁的應用：應用于發光材料，氮化鋁（AlN）的直接帶隙禁帶很大寬度為6.2eV，相對于間接帶隙半導體有著更高的光電轉換效率。AlN作為重要的藍光和紫外發光材料，應用于紫外/深紫外發光二極管、紫外激光二極管以及紫外探測器等。此外，AlN可以和III族氮化物如GaN和InN形成連續的固溶體，其三元或四元合金可以實現其帶隙從可見波段到深紫外波段的連續可調，使其成為重要的高性能發光材料。可以說，從性能的角度講，氮化鋁與氮化硅是目前很適合用作電子封裝基片的材料，但他們也有個共同的問題就是價格過高。高致密度是氮化鋁陶瓷具有高熱導率的前提。嘉興片狀氮化鋁粉體生產商提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑：選擇合適的燒結...

氮化鋁在陶瓷在常溫和高溫下都具有良好的耐蝕性、穩定性，在2450℃下才會發生分解，可以用作高溫耐火材料，如坩堝、澆鑄模具。氮化鋁陶瓷能夠不被銅、鋁、銀等物質潤濕以及耐鋁、鐵、鋁合金的溶蝕，可以成為良好的容器和高溫保護層，如熱電偶保護管和燒結器具；也可以抵御高溫腐蝕性氣體的侵蝕，用于制備氮化鋁陶瓷靜電卡盤這種重要的半導體制造裝備的零部件。由于氮化鋁對砷化鎵等熔鹽表現穩定，用氮化鋁坩堝代替玻璃來合成砷化鎵半導體，可以消除來自玻璃中硅的污染，獲得高純度的砷化鎵半導體。影響氮化鋁陶瓷熱導率的主要因素有晶格的氧含量、致密度、顯微結構、粉體純度等。大連導熱氮化硼銷售公司氮化鋁陶瓷的流延成型：料漿均勻流到或...

氮化鋁化鋁陶瓷是以氮化鋁（AlN）為主晶相的陶瓷，氮化鋁晶體以四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。化學組成Al（65.81%）、N（34.19%），比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450°C，為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數（4.0-6.0）*10-6/℃。多晶氮化鋁熱導率達260W/（m.k），比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的高溫。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。氮化鋁陶瓷有很多優良特性，但是其難加工屬性限制了氮化鋁陶瓷的發揮。氮化鋁陶瓷用普通...

氮化鋁陶瓷具有優良的絕緣性、導熱性、耐高溫性、耐腐蝕性以及與硅的熱膨脹系數相匹配等優點，成為新一代大規模集成電路、半導體模塊電路及大功率器件的理想散熱和封裝材料。成型工藝是陶瓷制備的關鍵技術，是提高產品性能和降低生產成本的重要環節之一。隨著工業技術的高速發展，傳統的成型方法已難以滿足人們對陶瓷材料在性能和形狀方面的要求。陶瓷的濕法成型近年來成為研究的重點，因為濕法成型具有工藝簡單、生產效率高、成本低和可制備復雜形狀制品等優點，易于工業化推廣。濕法成型包括流延成型、注漿成型、注射成型和注凝成型等。隨著近年來全球范圍內電子陶瓷產業化規模的不斷擴大，CIM 技術誘人的應用前景更值得期待。杭州絕緣氧化...

氮化鋁陶瓷的流延成型：料漿均勻流到或涂到支撐板上，或用刀片均勻的刷到支撐面上，形成漿膜，經干燥形成一定厚度的均勻的素坯膜的一種料漿成型方法。流延成型工藝包括漿料制備、流延成型、干燥及基帶脫離等過程。溶劑和分散劑，高固相含量的流延漿料是流延成型制備高性能氮化鋁陶瓷的關鍵因素之一。溶劑和分散劑是高固相含量的流延漿料的關鍵。溶劑必須滿足以下條件：必須與其他添加成分相溶，如分散劑、粘結劑和增塑劑等；化學性質穩定，不與粉料發生化學反應；對粉料顆粒的潤濕性能好；易于揮發與燒除；使用安全、衛生且對環境污染小。坯體強度高、坯體整體均勻性好、可做近凈尺寸成型、適于制備復雜形狀陶瓷部件和工業化推廣、無排膠困難、成...

提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑：提高氮化鋁粉末的純度，理想的氮化鋁粉料應含適量的氧。除氧以外，其他雜質元素如Si、Mn和Fe等，也能進入氮化鋁晶格，造成缺陷，降低氮化鋁的熱導率。雜質進入晶格后，使晶格發生局部畸變，由此產生應力作用，引起位錯、層錯等缺陷，增大聲子散射，故應該提高氮化鋁的粉末的純度。改進氮化鋁粉末合成方法，制備出粒徑在1μm以下，含氧量1%的高純粉末，是制備高導熱氮化鋁陶瓷的前提。此外，對含燒結助劑的氮化鋁粉末，引入適量的碳，在制備氮化鋁陶瓷的燒結過程中，于致密化之前，先對氮化鋁粉末表面的氧化物進行還原碳化，也能使氮化鋁陶瓷的熱導率提高。氮化鋁具有六方纖鋅礦晶體結構，具有密度低、強度...

氮化鋁粉體的合成方法：自蔓延高溫合成法：該方法為鋁粉的直接氮化，充分利用了鋁粉直接氮化為強放熱反應的特點，將鋁粉于氮氣中點然后，利用鋁和氮氣之間的高化學反應熱使反應自行維持下去，合成AlN。其反應式與Al粉直接氮化法相同，即為2Al＋Ｎ2→2AlN。化學氣相沉積法：利用鋁的揮發性化合物與氮氣或氨氣反應，從氣相中沉淀析出氮化鋁粉末；根據選擇鋁源的不同，分為無機物（鹵化鋁）和有機物（烷基鋁）化學氣相沉積法。該工藝存在對設備要求較高，生產效率低，采用烷基鋁為原料會導致成本較高，而采用無機鋁為原料則會生成腐蝕性氣體，所以目前還難以進行大規模工業化生產。環氧樹脂作為一種有著很好的化學性能和力學穩定性的高...

致密度不高的材料熱導率也不會高。為了獲得高致密度的氮化鋁陶瓷，一般采取的方法有：使用超細粉、改善燒結方式、引入燒結助劑等方法。因此，氮化鋁粉體粒徑的大小會直接影響到氮化鋁陶瓷燒結的致密度。超細氮化鋁粉體由于其高的比表面積，會在燒結的過程中增加燒結的推動力，加速燒結的過程。此外，粉體的尺寸變小也就意味著物質的擴散距離變短，高溫下有利于液相物質的生成，極大地加強了流動傳質作用。由于氮化鋁自擴散系數小，燒結非常困難。只有使用純度高的超細粉，才可以在燒結的過程中盡可能地減少氣孔的出現，保持高致密度。因此，據中國粉體網編輯的了解，工業上一般要求超細氮化鋁粉體的D50（即顆粒累積分布為50%的粒徑）尺寸盡...

氮化鋁粉體的合成方法：直接氮化法：在高溫氮氣氛圍中，鋁粉直接與氮氣化合生產氮化鋁粉末，反應溫度一般在800℃~1200℃。反應式為：2Al＋Ｎ2→2AlN。該方法的缺點很明顯，在反應初期，鋁粉顆粒表面會逐漸生成氮化物膜，使氮氣難以進一步滲透，阻礙氮氣反應，致使產率較低；又由于鋁和氮氣之間的反應是強放熱反應，速度很快，造成AlN粉體自燒結，形成團聚，使得粉體顆粒粗化。碳熱還原法：將氧化鋁粉末和碳粉的混合粉末在高溫下（1400℃~1800℃）的流動氮氣中發生還原氮化反應生成AlN粉末。其反應式為：Al2O3＋3Ｃ＋Ｎ2→２AlN＋3CO。該方法的主要難點在于，對氧化鋁和碳的原料要求比較高，原料難以...

氮化鋁粉體的制備工藝：碳熱還原法：碳熱還原法就是將混合均勻的Al2O3和C在N2氣氛中加熱，首先Al2O3被還原，所得產物Al再與N2反應生成AlN，其化學反應式為：Al2O3(s)+3C(s)+N2(g)→2AlN(s)+3CO(g)；其優點是原料豐富，工藝簡單；粉體純度高，粒徑小且分布均勻。其缺點是合成時間長，氮化溫度較高，反應后還需對過量的碳進行除碳處理，導致生產成本較高。高能球磨法：高能球磨法是指在氮氣或氨氣氣氛下，利用球磨機的轉動或振動，使硬質球對氧化鋁或鋁粉等原料進行強烈的撞擊、研磨和攪拌，從而直接氮化生成氮化鋁粉體的方法。其優點是：高能球磨法具有設備簡單、工藝流程短、生產效率高等...

AlN陶瓷基片的燒結工藝：燒結助劑及其添加方式，燒結助劑主要有兩方面的作用：一方面形成低熔點物相，實現液相燒結，降低燒結溫度，促進坯體致密化；另一方面，高熱導率是AlN基板的重要性能，而實際AlN基板中由于存在氧雜質等各種缺陷，熱導率低于其理論值，加入燒結助劑可以與氧反應，使晶格完整化，進而提高熱導率。常用的燒結助劑主要是以堿土金屬和稀土元素的化合物為主，單元燒結助劑燒結能力往往很有限，通常要配合1800℃以上燒結溫度、較長燒結時間及較多含量的燒結助劑等條件。燒結過程中如果只采用一種燒結助劑，所需要的燒結溫度難以降低，生產成本較高。二元或多元燒結助劑各成分間相互促進，往往會得到更加明顯的燒結效...

氮化鋁陶瓷是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數（4.0-6.0）X10-6/℃。多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。性能指標：各種電性能(介電常數、介質損耗、體電阻率、介電強度)優良；機械性能好...

氮化鋁陶瓷的注射成型：排膠工藝，由于注射成型坯體中有機物含量較高，排膠過快會造成坯體開裂、起泡、分層和變形，因此，如何快速高效排膠成為注射成型的一大難點。排膠工藝包括熱排膠和溶劑排膠。起初主要采用熱排膠，簡單地把有機物燒除，這種方式能耗高、時間長。為了提高排膠效率，一些學者探索了溶劑排膠的工藝。由于粘結劑中石蠟占比重較大，溶劑排膠主要是將坯體中的石蠟溶解，其他粘結劑仍能維持坯體形狀。溶劑排膠結合熱工藝排膠可以縮短排膠時間。注射成型的工藝特點：可近凈尺寸成型各種復雜形狀，很少(或無需)進行機械加工；成型產品生坯密度均勻，且表面光潔度及強度高；成型產品燒結體性能優異且一致性好；易于實現機械化和自動...

氮化鋁陶瓷有哪些特性和應用呢：高導熱性和出色的電絕緣性使氮化鋁適用于各種極端環境。氮化鋁是一種高性能材料，特別適用于要求嚴苛的電氣應用。我們將較廣的技術理解與與客戶合作的承諾相結合，確保我們的材料解決方案滿足嚴格的規格，同時提供的性能。氮化鋁可以通過干壓和燒結或使用適當的燒結助劑通過熱壓生產，這些過程的結果是一種在包括氫氣和二氧化碳氣氛在內的一系列惰性環境中在高溫下穩定的材料。氮化鋁主要用于電子領域，特別是當散熱是一項重要功能時。氮化鋁的特性也使其特別適用于制造耐腐蝕產品。典型的氮化鋁特性包括：非常好的導熱性、熱膨脹系數與硅相似、良好的介電性能、良好的耐腐蝕性、在半導體加工環境中的穩定性。典型...

目前，AlN陶瓷燒結氣氛有3種：中性氣氛、還原型氣氛和弱還原型氣氛。中性氣氛采用常用的N2、還原性氣氛采用CO，弱還原性氣氛則使用H2。在還原氣氛中，AlN陶瓷的燒結時間及保溫時間不宜過長，且其燒結溫度不能過高，以免AlN被還原。而在中性氣氛中不會出現上述情況，因此一般選擇在氮氣中燒結，以此獲得性能更高的AlN陶瓷。在氮化鋁陶瓷基板燒結過程中，除了工藝和氣氛影響著產品的性能外，燒結助劑的選擇也尤為重要。AlN燒結助劑一般是堿金屬氧化物和堿土金屬氧化物，燒結助劑主要有兩方面的作用：一方面形成低熔點物相，實現液相燒結，降低燒結溫度，促進坯體致密化；另一方面，高熱導率是AlN基板的重要性能，而實現A...

熱壓燒結：即在一定壓力下燒結陶瓷，可以使加熱燒結和加壓成型同時進行。無壓燒結：常壓燒結氮化鋁陶瓷一般溫度范圍為1600-2000℃，適當升高燒結溫度和延長保溫時間可以提高氮化鋁陶瓷的致密度。微波燒結：微波燒結也是一種快速燒結法，利用微波與介質的相互作用產生介電損耗而使坯體整體加熱的燒結方法。放電等離子燒結：融合等離子活化、熱壓、電阻加熱等技術，具有燒結速度快，晶粒尺寸均勻等特點。自蔓延燒結：即在超高壓氮氣下利用自蔓延高溫合成反應直接制備AlN陶瓷致密材料。但由于高溫燃燒反應下原料中的Al易熔融而阻礙氮氣向毛坯內部滲透， 難以得到致密度高的AlN陶瓷。以上5中燒結工藝中，熱壓燒結是目前制備高熱導...

氮化鋁陶瓷有哪些特性和應用呢：高導熱性和出色的電絕緣性使氮化鋁適用于各種極端環境。氮化鋁是一種高性能材料，特別適用于要求嚴苛的電氣應用。我們將較廣的技術理解與與客戶合作的承諾相結合，確保我們的材料解決方案滿足嚴格的規格，同時提供的性能。氮化鋁可以通過干壓和燒結或使用適當的燒結助劑通過熱壓生產，這些過程的結果是一種在包括氫氣和二氧化碳氣氛在內的一系列惰性環境中在高溫下穩定的材料。氮化鋁主要用于電子領域，特別是當散熱是一項重要功能時。氮化鋁的特性也使其特別適用于制造耐腐蝕產品。典型的氮化鋁特性包括：非常好的導熱性、熱膨脹系數與硅相似、良好的介電性能、良好的耐腐蝕性、在半導體加工環境中的穩定性。典型...

生產方法：將氨和鋁直接進行氮化反應，經粉碎、分級制得氮化鋁粉末。或者將氧化鋁和炭充分混合,在電爐中于1700℃還原制得氮化鋁。將高純度鋁粉脫脂(用抽提或在氮氣流中加熱到150℃)后，放到鎳盤中，將盤放在石英或瓷制反應管內，在提純的氮氣流中慢慢地進行加熱。氮化反應在820℃左右時發出白光迅速地進行。此時，必須大量通氮以防止反應管內出現減壓。這個激烈的反應完畢后，在氮氣流中冷卻。由于產物內包有金屬鋁,可將其粉碎，并在氮氣流中于1100～1200℃溫度下再加熱1～2h，即得到灰白色氮化鋁。另外，將鋁在1200～1400℃下蒸發氣化，使其與氮氣反應即得到氮化鋁的須狀物(金屬晶須)。此外,也有將AlCl...

氮化鋁具有與鋁、鈣等金屬不潤濕等特性，所以可以用其作坩堝、保護管、澆注模具等。將氮化鋁陶瓷作為金屬熔池可以用在浸入式熱電偶保護管中，由于它不粘附熔融金屬，在800~1000℃的熔池中可以連續使用大約3000個小時以上并且不會被侵蝕破壞。此外，由于氮化鋁材料對熔鹽砷化鎵等材料性能穩定，那么將坩堝替代玻璃進行砷化鎵半導體的合成，能夠完全消除硅的污染而得到高純度的砷化鎵。耐熱材料。AlN的介電損耗值較低，為了使之適合作為微波衰減材料，通常添加導電性和導熱性都良好的金屬或者陶瓷作為微波衰減劑制備成Al N 基的微波衰減陶瓷。目前研究中所涉及到的導電添加劑有碳納米管、TiB2、TiC以及金屬Mo、W、C...

提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑：選擇合適的燒結工藝，熱壓燒結：熱壓燒結是指在機械壓力和溫度同時作用下，對粉料進行燒結獲得致密塊體的過程。熱壓燒結可以使加熱燒結和加壓成型同時進行。在高溫下坯體持續受到壓力作用，粉末原料處于熱塑性狀態，有利于物質的擴散和流動，并且外加壓力抵消了形變阻力，促進了粉末顆粒之間的接觸。熱壓燒結可以降低氮化鋁陶瓷的燒結溫度，而且不用燒結助劑也能使氮化鋁燒結致密，且除氧能力強，但是缺點是設備昂貴，而且只能制備形狀簡單的樣品。氮化鋁與氮化硅是目前很適合用作電子封裝基片的材料，但他們也有個共同的問題就是價格過高。上海微米氮化硼價格氮化鋁陶瓷具有優良的絕緣性、導熱性、耐高溫性、耐腐蝕...

氮化鋁陶瓷具有優良的熱、電、力學性能，所以它的應用范圍比較廣。可以制成氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，膨脹系數低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電耗損小，是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。氮化鋁陶瓷硬度高，超過氧化鋁陶瓷，也可用于磨損嚴重的部位。利用氮化鋁陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩定，但在堿性溶液中易被侵蝕。氮化鋁新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛...

由于具有優良的熱、電、力學性能。氮化鋁陶瓷引起了國內外研究者的較廣關注，隨著現代科學技術的飛速發展，對所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領域得到更為較廣的應用！雖然多年來通過許多研究者的不懈努力，在粉末的制備、成形、燒結等方面的研究均取得了長足進展。但就截止2013年4月而言，氮化鋁的商品化程度并不高，這也是影響氮化鋁陶瓷進一步發展的關鍵因素。為了促進氮化鋁研究和應用的進一步發展，必須做好下面兩個研究工作。研究低成本的粉末制備工藝和方法！制約氮化鋁商品化的主要因素就是價格問題。若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末，將會提高其商品化程度！高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發...

活性金屬釬焊法是在普通釬料中加入一些化學性質較為活潑的過渡元素如：Ti、Zr、Al、Nb、V等。一定溫度下，這些活潑元素會與陶瓷基板在界面處發生化學反應，形成反應過渡層，如圖7所示。反應過渡層的主要產物是一些金屬間化合物，并具有與金屬相同的結構，因此可以被熔化的金屬潤濕。共燒法是通過絲網印刷工藝在AlN陶瓷生片表面涂刷一層難熔金屬（Mo、W等）的厚膜漿料，一起脫脂燒成，使導電金屬與AlN陶瓷燒成為一體結構。共燒法根據燒結溫度的高低可分為低溫共燒(LTCC)和高溫共燒(HTCC)兩種方式，低溫共燒基板的燒結溫度一般為800-900℃，而高溫共燒基板的燒結溫度為1600-1900℃。燒結后，為了便...

粉末注射成型是將現代塑料注射成型技術引入粉末冶金領域而形成的一門新型近終形成型技術。據中國粉體網編輯了解，該技術的很大特點是可以直接制備出復雜形狀的零件，而且由于是流態充模，基本上沒有模壁摩擦，成型坯的密度均勻，尺寸精度高。因此，國際上普遍認為該技術的發展將會導致零部件成型與加工技術的一場革命，被譽為“21世紀的零部件成型技術”。粘結劑是注射成型技術的重點，首先，粘結劑是粉末的載體，它在很大程度上決定喂料注射成型的流變性能和注射性能；其次，一種良好的粘結劑還必須具有維形作用，即保證樣品從注射完成到脫脂結束都能維持形狀而不發生變化。為了同時滿足上述要求，粘結劑一般由多種有機物組元組成。氮化鋁可以...

氧雜質對熱導率的影響：AIN極易發生水解和氧化，使氮化鋁表面發生氧化，導致氧固溶入AIN晶格中形成鋁空位缺陷，這樣就會導致聲子散射增加，平均自由程降低，熱導率也隨之降低。因此，為了提高熱導率，加入合適的燒結助劑來除去晶格中的氧雜質是一種有效的辦法。氮化鋁陶瓷的燒結的關鍵控制要素：AlN是共價化合物，原子的自擴散系數小，鍵能強，導致很難燒結致密，其熔點高達3000℃以上，燒結溫度更是高達1900℃以上，如此高的燒結溫度嚴重制約了氮化鋁在工業上的實際應用。此外，AlN表層的氧雜質是在高溫下才開始向其晶格內部擴散的，因此低溫燒結還有另外一個作用，即延緩燒結時表層的氧雜質向AlN晶格內部擴散，減少晶格...

薄膜法是通過真空鍍膜技術在AlN基板表面實現金屬化。通常采用的真空鍍膜技術有離子鍍、真空蒸鍍、濺射鍍膜等。但金屬和陶瓷是兩種物理化學性質完全不同的材料，直接在陶瓷基板表面進行金屬化得到的金屬化層的附著力不高，并且陶瓷基板與金屬的熱膨脹系數不匹配，在工作時會受到較大的熱應力。為了提高金屬化層的附著力和減小陶瓷與金屬的熱應力，陶瓷基板一般采用多層金屬結構。直接覆銅法(DBC)是一種基于陶瓷基板發展起來的陶瓷表面金屬化方法，基本原理是：在弱氧化環境中，與陶瓷表面連接的金屬銅表面會被氧化形成一層Cu[O]共晶液相，該液相對互相接觸的金屬銅和陶瓷基板表面都具有良好潤濕效果，并在界面處形成CuAlO2等化...

AlN陶瓷金屬化的方法主要有：薄膜金屬化（如Ti/Pd/Au）、厚膜金屬化（低溫金屬化、高溫金屬化）、化學鍍金屬化（如Ni）、直接覆銅法（DBC）及激光金屬化。薄膜金屬化法采用濺射鍍膜等真空鍍膜法使膜材料和基板結合在一起，通常在多層結構基板中，基板內部金屬和表層金屬不盡相同，陶瓷基板相接觸的薄膜金屬應該具有反應性好、與基板結合力強的特性，表面金屬層多選擇電導率高、不易氧化的金屬。由于是氣相沉積，原則上任何金屬都可以成膜，任何基板都可以金屬化，而且沉積的金屬層均勻，結合強度高。但薄膜金屬化需要后續圖形化工藝實現金屬引線的圖形制備，成本較高。氮化鋁是纖鋅礦型的晶體結構，無毒，呈白色或灰白色。成都球...

納米氮化鋁粉體主要用途：導熱硅膠和導熱環氧樹脂:超高導熱納米AIN復合的硅膠具有良好的導熱性，良好的電絕緣性，較寬的電絕緣性使用溫度（工作溫度-60℃ --200℃ ，較低的稠度和良好的施工性能。產品已達或超過進口產品，因為可取代同類進口產品而較廣應用于電子器件的熱傳遞介質，提高工作效率。如CPU與散熱器填隙、大功率三極管、可控硅元件、二極管、與基材接觸的細縫處的熱傳遞介質。納米導熱膏是填充IC或三極管與散熱片之間的空隙，增大它們之間的接觸面積，達到更好的散熱效果。其他應用領域:納米氮化鋁應用于熔煉有色金屬和半導體材料砷化銨的紺蝸、蒸發舟、熱電偶的保護管、高溫絕緣件、微波介電材料、耐高溫及耐腐...