流延成型的體系，有機流延體系和水基流延體系。有機流延體系所用到的添加劑的成分均有毒，對綠色生產提出了很大的挑戰。近年來，研究者一直致力于尋找添加劑毒性小的流延成型方法。郭堅等以無水乙醇和異丙醇為混合溶劑，利用流延成型制備AlN生坯，燒結后得到AlN陶瓷的熱導率為178 W/(m·K)。水基流延體系因為其綠色環保等特點，成為流延成型發展趨勢。但其在成型后需要對陶瓷生坯進行干燥，目前干燥技術還有待進一步完善。相對而言，流延成型的生產效率高，產品質量高，但此種方法存在的局限性是只能成型簡單外形的陶瓷生坯，無法滿足復雜外形的陶瓷生坯成型要求。近年來，隨著微電子技術的飛速發展，大規模集成電路和大功率微波器件對高尺寸精度的異形封裝和散熱器件的需求正在每年成倍增加，因而需要越來越多的微型、復雜形狀高導熱AlN陶瓷零部件，但是傳統的加工方法很難制備出形狀和尺寸精度滿足需要的零部件。于是，另一種成型方法——粉末注射成型獲得越來越多的關注。提高氮化鋁陶瓷熱導率的途徑：加入適當的燒結助劑，可促進氮化鋁陶瓷致密化。臺州陶瓷氮化硼生產商

氮化鋁陶瓷基片（AlN）是新型功能電子陶瓷材料，是以氮化鋁粉作為原料，采用流延工藝，經高溫燒結而制成的陶瓷基片。氮化鋁陶瓷基板具有氮化鋁材料的各種優異特性，符合封裝電子基片應具備的性質，能高效地散除大型集成電路的熱量，是高密度，大功率，多芯片組件等半導體器件和大功率，高亮度的LED基板及封裝材料的關鍵材料，被認為是很理想的基板材料。較廣應用于功率晶體管模塊基板、激光二極管安裝基板、半導體制冷器件、大功率集成電路，以及作為高導熱基板材料在IC封裝中使用。臺州陶瓷氮化硼生產商在現有可作為基板材料使用的陶瓷材料中，氮化硅陶瓷抗彎強度很高，耐磨性好。

由于AlN基板不具有電導性，因此在用作大功率LED散熱基板之前必須對其表面進行金屬化和圖形化。但AlN與金屬是兩類物理化學性質完全不同的材料，兩者差異表現很為突出的就是形成化合物的成鍵方式不同。AlN是強共價鍵化合物，而金屬一般都表現為金屬鍵化合物，因此與其它化學鍵的化合物相比，在高溫下AlN與金屬的浸潤性較差，實現金屬化難度較高。因此，如何實現AlN基板表面金屬化和圖形化成為大功率LED散熱基板發展的一個至關重要問題。目前使用很較廣的AlN基板金屬化的方法主要有：機械連接法、厚膜法、活性金屬釬焊法、共燒法、薄膜法、直接覆銅法。

結晶氮化鋁：無色斜方品系結晶工業品為淡黃色或深黃色結晶。密度2. 398}!cm3。加熱到lUU℃分解釋放出氯化氫。溶于水、無水乙醇、，微溶于鹽酸，其水溶液呈酸性。易潮解，在濕空氣中水解生成氯化氫白色煙霧。由煤，堿石粉經沸騰焙燒，再經粉碎后與ir}酸反應.經澄清后，把清液濃縮，析出結晶，固液分離制得。主要用于情密鑄造模殼的硬化劑，木材防腐劑，造紙施膠沉淀劑，石汕1一業加氫裂化催化劑單體的原料。也用干羊毛的精制、染色。以及飲用水、含高氟水‘工業水的處理，含油污水凈化。氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，膨脹系數低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小。

隨著電子和光電行業蓬勃發展，電子產品的功能越發，同時體積也越來越小，使集成電路(IC)和電子系統在半導體工業上也朝向高集成密度以及高功能化的方向發展。目前，封裝基板材料主要采用氧化鋁陶瓷或高分子材料，但隨著對電子零件的承載基板的要求越來越嚴格，它們的熱導率并不能滿足行業的需求，而AlN因具有良好的物理和化學性能逐步成了封裝材料的首要選擇。氮化鋁陶瓷室溫比較強度高，且不易受溫度變化影響，同時熱導率高（比氧化鋁高5-8倍）且熱膨脹系數低，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱，是一種優良的耐熱沖材料及熱交換材料，作為熱交換材料，可望應用于燃氣輪機的熱交換器上。利用AlN陶瓷耐熱耐侵蝕性，可用于制作坩堝、Al蒸發皿等高溫耐蝕部件。臺州陶瓷氮化硼生產商

直至980℃，氮化鋁在氫氣及二氧化碳中仍相當穩定。臺州陶瓷氮化硼生產商

氮化鋁粉體制備技術發展趨勢：AlN粉體作為一種性能優異的粉體原料，國內外研究者通過不斷的科技創新來解決現有工藝存在的技術問題，同時也在不斷探索新的、更高效的制備技術。在微米級AlN粉體合成方面，目前很主要的工藝仍是碳熱還原法和直接氮化法，這兩種工藝具有技術成熟、設備簡單、得到產品質量好等特點，已在工業中得到大規模應用。獲得更高純度、粒度可控、形貌均勻分散的高性能粉體是AlN制備技術的發展方向，針對不同應用領域應開發多種規格的粉體，以滿足導熱陶瓷基板、AlN單晶半導體、高純靶材、導熱填料等領域對AlN粉體原料的要求。同時，在生產中也需要對現有技術及裝備進行不斷優化，進一步提高產品的批次穩定性，增加產出效率，降低生產成本。臺州陶瓷氮化硼生產商

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