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企業商機
氮化鋁基本參數
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  • HumiSeal,4A,東京測器
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氮化鋁企業商機

氮化鋁陶瓷基片(AlN)是新型功能電子陶瓷材料,是以氮化鋁粉作為原料,采用流延工藝,經高溫燒結而制成的陶瓷基片。氮化鋁陶瓷基板具有氮化鋁材料的各種優異特性,符合封裝電子基片應具備的性質,能高效地散除大型集成電路的熱量,是高密度,大功率,多芯片組件等半導體器件和大功率,高亮度的LED基板及封裝材料的關鍵材料,被認為是很理想的基板材料。較廣應用于功率晶體管模塊基板、激光二極管安裝基板、半導體制冷器件、大功率集成電路,以及作為高導熱基板材料在IC封裝中使用。氮化鋁要以熱壓及焊接式才可制造出工業級的物料。湖州電絕緣氧化鋁廠家

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納米氮化鋁粉體主要用途:導熱塑料中的應用:納米氮化鋁粉體可以大幅度提高塑料的導熱率。通過實驗產品以5-10%的比例添加到塑料中,可以使塑料的導熱率從原來的0.3提高到5。導熱率提高了1l6倍多。相比較目前市場上的導熱填料(氧化鋁或哦氧化鎂等)具有添加量低,對制品的機械性能有提高作用,導熱效果提高更明顯等特點。目前相關應用廠家已經大規模采購納米氮化鋁粉體,新型的納米導熱塑料將投放市場。高導熱硅橡膠的應用:與硅匹配性能好,在橡膠中容易分散,在不影響橡膠的機械性能的前提下(實驗證明對橡膠的機械性能還有提高作用)可大幅度提升硅橡膠的導熱率,在添加過程中不象氧化物等使黏度上升很快,添加量很小(根據導熱要求一般在5%左右就可以使導熱率提高50%-70%),現較廣應用與,航空以及信息工程中。湖州電絕緣氧化鋁廠家氮化鋁是共價化合物,具有熔點高、自擴散系數小的特點。

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流延法制備氮化鋁陶瓷基板的性質與氮化鋁粉料的質量、流延參數、排膠制度和燒結制度等工藝關系密切。據中國粉體網編輯的學習了解,粗的氮化鋁粉料易于成型,但不宜形成高質量的基片,細氮化鋁粉料只有在嚴格控制流延參數的情況下方能成型,但成型的流延帶質量較好。排膠溫度和速度也需嚴格控制,溫度高和速度快將引起流延帶的嚴重開裂。燒成制度非常關鍵,它將決定基片的很終性能。在生產過程中,通常對流延后的產品質量要求十分嚴格,因此必須要注意以下幾個關鍵點:刮刀的表面粗糙度、漿料槽液面高度、漿料的均勻性、流延厚度、制定并執行很佳的干燥工藝等。

高導熱氮化鋁基片的燒結工藝重點包括燒結方式、燒結助劑的添加、燒結氣氛的控制等。放電等離子燒結是20世紀90年代發展并成熟的一種燒結技術,它利用脈沖大電流直接施加于模具和樣品上,產生體加熱使被燒結樣品快速升溫;同時,脈沖電流引起顆粒間的放電效應,可凈化顆粒表面,實現快速燒結,有效地抑制顆粒長大。使用SPS技術能夠在較低溫度下進行燒結,且升溫速度快,燒結時間短。微波燒結是利用特殊頻段的電磁波與介質的相互耦合產生介電損耗,使坯體整體加熱的燒結方法。微波同時提高了粉末顆粒活性,加速物質的傳遞。微波燒結也是一種快速燒結法,同樣可保證樣品安全衛生無污染。雖然機理與放電等離子體燒結有所不同,但是兩者都能實現整體加熱,才能極大地縮短燒結周期,所得陶瓷晶體細小均勻。氮化鋁還是由六方氮化硼轉變為立方氮化硼的催化劑。

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氮化鋁陶瓷室溫比較強度高,且不易受溫度變化影響,同時具有比較高的熱導系數和比較低的熱膨脹系數,是一種優良的耐熱沖材料及熱交換材料,作為熱交換材料,可望應用于燃氣輪機的熱交換器上。由于氮化鋁具有與鋁、鈣等金屬不潤濕等特性,所以可以用其作坩堝、保護管、澆注模具等。將氮化鋁陶瓷作為金屬熔池可以用在浸入式熱電偶保護管中,由于它不粘附熔融金屬,在800~1000℃的熔池中可以連續使用大約3000個小時以上并且不會被侵蝕破壞。此外,由于氮化鋁材料對熔鹽砷化鎵等材料性能穩定,那么將坩堝替代玻璃進行砷化鎵半導體的合成,能夠完全消除硅的污染而得到高純度的砷化鎵。氮化鋁材料有陶瓷型和薄膜型兩種。湖州電絕緣氧化鋁廠家

AIN陶瓷的金屬化性能較好,可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業中較廣應用。湖州電絕緣氧化鋁廠家

AlN屬于共價化合物,自擴散系數小,燒結致密化非常困難,通常需要使用稀土金屬氧化物和堿土金屬氧化物作為燒結助劑來促進燒結,但仍需要1800℃以上的燒結溫度。近幾年,出于減少能耗、降低成本以及實現AlN與金屬漿料的共同燒結等因素考慮,人們開始注意AlN低溫燒結技術的研究。所謂低溫燒結是個相對概念,指的是將AlN的燒結溫度降低到1600℃至1700℃之間實現致密度高的燒結。一般認為,AlN表層的氧是在高溫下才開始向其晶格內部擴散。因此,低溫燒結另外一個潛在的有利影響是可以延緩高溫燒結時表層氧向AlN晶格內部擴散,增進后續熱處理過程中的排氧效果,有利于制備出高熱導率的陶瓷材料。低溫燒結的關鍵技術是選擇有效的燒結助劑。湖州電絕緣氧化鋁廠家

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