AlN陶瓷基片的成型：流延成型制備氮化鋁陶瓷基片的主要工藝，將氮化鋁粉料、燒結助劑、粘結劑、溶劑混合均勻制成漿料，通過流延制成坯片，采用組合模沖成標準片，然后用程控沖床沖成通孔，用絲網印刷印制金屬圖形，將每一個具有功能圖形的生坯片疊加，層壓成多層陶瓷生坯片，在氮氣中約700℃排除粘結劑，然后在1800℃氮氣中進行共燒，電鍍后即形成多層氮化鋁陶瓷。流延成型分為有機流延成型和水基流延成型兩種。流延成型法在AlN陶瓷基片方面的應用具有極強的優勢，如設備要求低，可連續生產、生產效率高、自動化程度高，其生產成本低廉，非常適合現代工業生產。注射成型：首先將AlN粉體與有機粘結劑按一定比例混合，經過造粒得到性能穩定的喂料，然后在注射成型機上成型素坯，再經過脫脂、燒結很終獲得AlN陶瓷基片。氮化鋁抗熔融金屬侵蝕的能力強，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。紹興球形氮化硼廠家直銷

氮化鋁材料有陶瓷型和薄膜型兩種。氮化鋁熱導率高、絕緣性能好電阻率高達4x lUfs7,"cm.,熱膨脹系數小(2.55一3.8U; x i0一“K一‘，化學性能穩定，在innU℃時才與空氣發生氧化。在真空中可穩定到ISUU}}。致密型氮化鋁是抗水的，幾乎不與濃無機酸發生反應。密度為3.26gIcm3,熔點24UU C'彈性模量為3U( -- 31 f7C}Pa,抗彎強度為2sa一350MPa ,莫氏硬度為g.A1N陶瓷用粉末冶金法制得』氮化鋁薄膜用反應濺射法制得。AlU陶瓷片川于大功率半導體集成電路和大功率的厚模電路,AIN薄膜用于薄膜器件的介質和耐磨、耐熱、散熱好的鍍層。紹興球形氮化硼廠家直銷直接氮化法：直接氮化法就是在高溫的氮氣氣氛中，鋁粉直接與氮氣化合生成氮化鋁粉體。

結晶氮化鋁：無色斜方品系結晶工業品為淡黃色或深黃色結晶。密度2. 398}!cm3。加熱到lUU℃分解釋放出氯化氫。溶于水、無水乙醇、，微溶于鹽酸，其水溶液呈酸性。易潮解，在濕空氣中水解生成氯化氫白色煙霧。由煤，堿石粉經沸騰焙燒，再經粉碎后與ir}酸反應.經澄清后，把清液濃縮，析出結晶，固液分離制得。主要用于情密鑄造模殼的硬化劑，木材防腐劑，造紙施膠沉淀劑，石汕1一業加氫裂化催化劑單體的原料。也用干羊毛的精制、染色。以及飲用水、含高氟水‘工業水的處理，含油污水凈化。

熱導率K在聲子傳熱中的關系式為：K=1/3cvλ；上式c為陶瓷體本身的熱容，v為聲子的平均運動速度，λ為聲子的平均自由程。材料本身的熱容（c）接近常數，氮化鋁的熱容大是氮化鋁的熱導率高的原因之一，聲子速度（v）與晶體密度和彈性力學性質有關，也可視為常數，所以，聲子的傳播距離（平均自由程），是影響很終宏觀上氮化鋁陶瓷的熱導率表現的關鍵。所以我們通過氮化鋁內部聲子的熱傳導機理可知，要想熱導率高，就要使聲子的傳播更遠（自由程大），也即減少傳播的阻力，這種阻力一般來自于聲子擴散過程中的各種散射。燒結后的陶瓷內部通常會有各種晶體缺陷、雜質、氣孔以及引入的第二相，這些因素的作用使聲子發生散射，也就影響了很終的熱導率。通過不斷研究證實，在眾多影響AlN陶瓷熱導率因素中，AlN陶瓷的顯微結構、氧雜質含量尤為突出。氮化鋁由于造價高，只能用于磨損嚴重的部位。

具有優良的耐磨損性能，可用作研磨材料和耐磨損零件，但由于造價高，只能用于磨損嚴重的部位。將某些易氧化的金屬或非金屬表面包裹AlN涂層，可以提高其抗氧化、耐磨的性能；也可以用作防腐蝕涂層，如腐蝕性物質的處理器和容器的襯里等。純度高、致密度高、氣孔率少的氮化鋁陶瓷呈透明狀，可用來制作電子光學器件。也可用作雷達和紅外線的透過材料，因此，在國防方面同樣具有良好的發展。氮化鋁陶瓷同樣可以用來制作納米陶瓷管，可以用在發熱板，作載熱材料，在微電子工業用途范圍較廣。砷化鎵表面的氮化鋁涂層，能保護它在退火時免受離子的注入。紹興球形氮化硼廠家直銷

氮化鋁有較高的傳熱能力，至使氮化鋁被大量應用于微電子學。紹興球形氮化硼廠家直銷

活性金屬釬焊法是在普通釬料中加入一些化學性質較為活潑的過渡元素如：Ti、Zr、Al、Nb、V等。一定溫度下，這些活潑元素會與陶瓷基板在界面處發生化學反應，形成反應過渡層，如圖7所示。反應過渡層的主要產物是一些金屬間化合物，并具有與金屬相同的結構，因此可以被熔化的金屬潤濕。共燒法是通過絲網印刷工藝在AlN陶瓷生片表面涂刷一層難熔金屬（Mo、W等）的厚膜漿料，一起脫脂燒成，使導電金屬與AlN陶瓷燒成為一體結構。共燒法根據燒結溫度的高低可分為低溫共燒(LTCC)和高溫共燒(HTCC)兩種方式，低溫共燒基板的燒結溫度一般為800-900℃，而高溫共燒基板的燒結溫度為1600-1900℃。燒結后，為了便于芯片引線鍵合及焊接，還需在金屬陶瓷復合體的金屬位置鍍上一層Sn或Ni等熔點較低的金屬。紹興球形氮化硼廠家直銷

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