但現有的回收裝置普遍存在如下問題:剝離廢液利用水洗裝置水洗過濾出光刻膠樹脂成分,回收率低。為了解決這一問題,現有技術通常再向剝離廢液中加入沉淀劑繼續反應,而后沉淀過濾出光刻膠樹脂成分,但所得到的光刻膠樹脂成分品質不宜再用于光刻膠原料,只能用于其他要求較低的樹脂需求場所。技術實現要素:本實用新型的目的是為了提供一種結構設置更為合理、使用方便可靠的光刻膠廢剝離液回收裝置,從根本上解決現有回收裝置回收率低的問題,同時分級回收輸出線性酚醛樹脂成分,分級儲存,以用于不同場合,物盡其用。為達到上述目的,本實用新型采用的技術方案是:一種光刻膠廢剝離液回收裝置,包括攪拌釜和與攪拌釜連通的過濾罐,攪拌釜頂部設有廢剝離液投料口,其技術要點是:所述過濾罐的數量為兩個,由一級過濾罐和二級過濾罐組成,所述一級過濾罐和二級過濾罐在垂直方向上位于攪拌釜下方,一級過濾罐和二級過濾罐的進料管路分別與攪拌釜底部連通,且進料管路上分別設有電磁閥,所述一級過濾罐的底部出液口連接有提升泵,所述提升泵的出料管路末端與攪拌釜頂部的循環料口連通,所述攪拌釜頂部另設有功能切換口。哪家的剝離液的價格優惠?揚州銀蝕刻液剝離液推薦廠家
本發明提供的光刻膠剝離去除方法第二實施例,用于半導體制造工藝中,可應用于包括但不限于mos、finfet等所有現有技術中涉及光刻膠剝離去除的生產步驟,主要包括以下步驟:s1,在半導體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質層;s2,旋涂光刻膠并曝光顯影,形成光刻圖形阻擋層;s3,執行離子注入,離子注入劑量范圍為1×1013cm-2~1×1016cm-2。s4,采用氮氫混合氣體執行等離子刻蝕,對光刻膠進行干法剝離,氫氮混合比例范圍為4:96~30:70。s5,對襯底表面進行清洗,清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液。本發明提供的光刻膠剝離去除方法第三實施例,用于半導體制造工藝中,可應用于包括但不限于mos、finfet等所有現有技術中涉及光刻膠剝離去除的生產步驟,主要包括以下步驟:s1,在半導體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質層;s2,旋涂光刻膠并曝光顯影,形成光刻圖形阻擋層;s3,執行離子注入,離子注入劑量范圍為1×1013cm-2~1×1016cm-2。s4,采用氮氫混合氣體執行等離子刻蝕,對光刻膠進行干法剝離,氫氮混合比例范圍為4:96~30:70。s5,對硅片執行單片排序清洗,清洗液采用h2so4:h2o2配比范圍為6:1~4:1且溫度范圍為110℃~140℃的過氧化硫磺混合物溶液。滁州格林達剝離液訂做價格天馬微電子用的哪家的剝離液?
所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種。技術方案中,所述的環胺為氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種。技術方案中,所述的緩蝕劑為三唑類物質。的技術方案中,所述的緩蝕劑為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一種。技術方案中,所述的潤濕劑含有羥基。技術方案中,所述的潤濕劑為聚乙二醇、甘油中的任意一種。經由上述的技術方案可知,與現有技術相比,本發明具有以下有益效果:本發明中加入環胺與鏈胺,能夠滲透、斷開光刻膠分子間弱結合力,能夠快速、有效地溶解光刻膠,而配方中加入潤濕劑,能夠有效地減少接觸角,增強親水性,使得剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。附圖說明:圖1為配方一和配方二的剝離液滴落在平面時兩者的接觸角對比圖。圖2為配方一和配方二的剝離液應用是光刻膠的殘留量對比圖。具體實施方式現有技術中的剝離液其水置換能力較差,容易造成面板邊緣光刻膠殘留,本申請經過大量的試驗,創造性的發現,在剝離液中加入潤濕劑,能夠使固體物料(高世代面板)更易被水浸濕的物質,通過降低其表面張力或界面張力,使水能展開在固體物料。
本申請涉及半導體工藝技術領域,具體涉及一種剝離液機臺及其工作方法。背景技術:剝離(lift-off)工藝通常用于薄膜晶體管(thinfilmtransistor)制程中的光罩縮減,lift-off先形成光阻并圖案化,再在光阻上成膜,移除光阻的同時,沉積在光阻上的膜層也被剝離,從而完成膜層的圖形化,通過該制程可以實現兩次光刻合并為一次以達到光罩縮減的目的。現有技術中,由于光阻上沉積了薄膜(該薄膜材料可以為金屬,ito(氧化銦錫)等用于制備tft的膜層),在剝離光阻的同時薄膜碎屑被帶入剝離液(stripper)中,大量的薄膜碎屑將會導致剝離液機臺中的過濾器(filter)堵塞,從而導致機臺無法使用,并且需要停止所有剝離液機臺的工作,待將filter清理后再次啟動,降低了生產效率。技術實現要素:本申請實施例提供一種剝離液機臺及其工作方法,可以提高生產效率。本申請實施例提供一種剝離液機臺,包括:依次順序排列的多級腔室、每一級所述腔室對應連接一存儲箱;過濾器,所述過濾器的一端設置通過***管道與當前級腔室對應的存儲箱連接,所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級腔室連接;其中,至少在所述***管道或所述第二管道上設置有閥門開關。在一些實施例中。京東方用的哪家的剝離液?
如遇水,圖案則隨著背膠的脫落而脫落。這種印刷方法是通過滾筒式膠質印模把沾在膠面上的油墨轉印到紙面上。由于膠面是平的,沒有凹下的花紋,所以印出的紙面上的圖案和花紋也是平的,沒有立體感,防偽性較差。膠版印刷所需的油墨較少,模具的制造成本也比凹版低。目前我國汽車尾氣直接排入空氣中,并未進行回收處理,對空氣造成了巨大污染,同時會對人體造成傷害。技術實現思路本**技術的目的就在于為了解決上述問題而提供一種印刷品膠面印刷剝離復合裝置。專業配方,博洋剝離液是您的明智之選。東莞哪家蝕刻液剝離液供應
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能夠除去抗蝕劑。用本發明剝離液處理施加有抗蝕劑的基材的條件沒有特別限定,例如,可以舉出在設為10~80℃的本發明剝離液中浸漬基材1~60分鐘左右的條件、將設為10~80℃的本發明剝離液向基材噴霧1~60分鐘左右的條件。需要說明的是,浸漬時,可以搖動基材,或對本發明剝離液施加超聲波。抗蝕劑的種類沒有特別限定,可以是例如干膜抗蝕劑、液體抗蝕劑等中的任一種。干膜抗蝕劑的種類也沒有特別限定,例如推薦堿可溶型的干膜抗蝕劑。作為這樣的堿可溶型的干膜抗蝕劑,例如,可以舉出rd-1225(sap用25μm厚)(日立化成株式會社制)等。施加抗蝕劑的基材沒有特別限定,例如,可以舉出印刷布線板、半導體基板、平板顯示器、引線框中使用的各種金屬、合金所形成的、薄膜、基板、部件等。按照上述方式本發明剝離液能夠從施加有抗蝕劑的基材除去抗蝕劑,因此能夠在包括除去這樣的抗蝕劑的工序的印刷布線板、半導體基板、平板顯示器、引線框等的制造方法中使用。上述制造方法之中推薦包括從施加有抗蝕劑的基材除去抗蝕劑的工序的印刷布線板的制造方法,特別推薦基于半加成法的印刷布線板的制造方法。本發明剝離液能夠除去的線/間距(l/s)沒有特別限定。揚州銀蝕刻液剝離液推薦廠家