本發明涉及銅蝕刻液技術領域,具體涉及一種酸性銅蝕刻液的生產工藝。背景技術:高精細芯片和顯示集成電路主要采用銅制程,其光刻工藝中形成銅膜層結構所需用的銅刻蝕液中主要的為過氧化氫系銅刻蝕液。過氧化氫系銅蝕刻液較其他銅刻蝕液體系(如三氯化鐵體系,過硫酸銨體系)具有不引人其他金屬離子在銅層表面或線路體系中,產物親和、友好、環境污染少,刻蝕效率高且使用壽命較長的特點。大部分過氧化氫系銅刻蝕液包括參與氧化的過氧化氫組分、參與溶解的無機酸/有機酸組分,以及部分銅緩蝕劑等各類添加三個部分。由于銅蝕刻液中各物質的反應為放熱反應,體系中又含有過氧化氫在制備銅蝕刻液的生產過程中需要保證生產安全。技術實現要素:本發明的目的在于,克服現有技術中存在的缺陷,提供一種銅蝕刻液大規模量產的生產工藝,該生產工藝溫控嚴格,生產過程中安全性高。為實現上述目的,本發明的技術方案是設計一種酸性銅蝕刻液的生產工藝,所述工藝包括以下步驟:第一步:將純水進行低溫處理,使純水溫度≤10℃在純水罐中備用;第二步:配制和準備原料,將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對應的原料罐中,經過過濾器循環過濾,備用。蝕刻液使用時要注意什么?池州銀蝕刻液蝕刻液按需定制
該宣泄孔121的上孔徑a1與下孔徑a2亦不相等,且該上孔徑a1小于該下孔徑a2,或該宣泄孔121由該第二擋板12的下表面122朝向上表面123的方向漸縮,以維持毛細現象而避免該藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題。當該風刀裝置40的***風刀41與該第二風刀42為了減少該基板(本圖式未標示)上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時,該氣體43碰到該擋液板結構10后部分會往該復數個宣泄孔121流動,并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出(如圖10與圖11所示),除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的顯影不均現象,亦可達到避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問題;為了必須避免由該噴灑裝置50噴灑而出的藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題,故該復數個宣泄孔121的孔徑a0必須要足夠小,例如:孔徑a0小于3mm,即可因毛細現象的作用,亦即該水滴于該宣泄孔121孔洞內的夾角θ等于該水滴與該第二擋板12的該上表面123所夾的接觸角θ4,而達到防止位于該第二擋板12上表面的藥液51水滴經由該復數個宣泄孔121滴下至該基板20上(如圖12所示)。另請參閱圖13所示,為本實用新型蝕刻設備的蝕刻方法的步驟流程圖,其中本實用新型蝕刻設備的蝕刻方法主要包括有下列步驟。池州銀蝕刻液蝕刻液按需定制好的蝕刻液的標準是什么。
也很難保證拖車在地磅頂部不移動。在地磅的頂部平臺中設置有兩條卡塊40,卡塊與平臺之間形成一插槽,在地磅的頂部設置有包括氣缸50和壓緊塊60的氣動夾緊機構,壓緊塊位于插槽中,氣缸的伸縮桿與壓緊塊固連。拖車的邊緣沿插槽插入后,氣缸帶動壓緊塊下行將拖車緊緊壓在地磅的頂部。實施例二本實施例基于實施例一。如圖2所示,在拖車的頂部設置有一圈圍設在儲存罐外部的護欄70,以防止其它物品碰撞儲存罐。實施例三本實施例基于實施例一。如圖3所示,在拖車的頂部設置有一集液盒,儲存罐安裝在集液盒80中,過濾器的出液管及灌裝頭的快速接頭從儲存罐中拔出時滴落的鋁蝕刻液,由集液盒進行收集。實施例四本實施例基于實施例一。如圖4所示,拖車的頂部于儲存罐的旁側設置有集液腔室22,過濾器的出液管及灌裝頭的快速接頭從儲存罐中拔出時滴落的鋁蝕刻液被集液腔室內收集。綜上所述,將原有的大型儲存罐更換成數個小型儲存罐,并采用液壓升降式拖車帶著儲存罐在鋁蝕刻液生產車間與自動灌裝車間之中周轉,如此便可為鋁蝕刻液生產設備配備全自動灌裝線,即提高了單瓶灌裝精度和效率,又降低了企業的人力成本投入;而且,將原有的大型儲存罐更換成數個小型儲存罐。
所述液體入口1處設有減壓閥12,所述蒸汽出口5處設有真空泵13、除霧組件3及除沫組件4,所述除霧組件3用于過濾分離器中閃蒸的蒸汽中的含銅液體,所述除沫組件4用于將經除霧組件3除霧的氣體進行除沫。含銅蝕刻液在加熱器11中進行加熱,達到閃蒸要求的溫度,輸送至分離器,通過減壓閥12減壓,真空泵13對分離器內抽氣,使分離器內處于低壓狀態,含銅蝕刻液在分離器內發生閃蒸,閃蒸產生大量蒸汽,蒸汽中攜帶著大小不等的液滴,大液滴中含有銅,通過除霧組件3和除沫組件4對蒸汽進行分離過濾,也可以防止大液滴從蒸汽出口5飛出,減少產品損失。在一個實施例中,如圖1所示,所述除霧組件3為設有多個平行且曲折的通道的折流板。液體在隨著氣體上升時會有慣性,因為液體與氣體的質量不同,他們的慣性也不同,當夾帶著液體的氣體以一定速度通過折流板曲折的通道時,液體流動的方向不斷在曲折的通道中發生變化,液體的慣性較大,依舊保持原來的運動方向,從氣體中脫離,撞擊折流板壁面從而被擋下,氣體則順利通過折流板通道排出,被擋下的液體在壁面上匯集成液流,因重力的作用從折流板上流下。在一個實施例中,如圖1所示,所述除沫組件4為絲網。因為除霧組件3中的撞擊過程。BOE蝕刻液的主要成分。
提高反應體系的穩定性。當體系中加入過氧化氫后有助于提高過氧化氫的穩定性,避免由于過氧化氫分解而引發的,提高生產的安全性。具體實施方式下面結合實施例,對本發明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例用于更加清楚地說明本發明的技術方案,而不能以此來限制本發明的保護范圍。一種酸性銅蝕刻液的生產工藝,所述工藝包括以下步驟:第一步:將純水進行低溫處理,使純水溫度≤10℃在純水罐中備用;純水罐中設有通過電路控制的電磁閥,當純水溫度高于10℃時,電磁閥無法打開。第二步:配制和準備原料,將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對應的原料罐中,經過過濾器循環過濾,備用;將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對應的原料罐,備用。亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸需要稀釋后使用,hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2無需調配可直接用于制備蝕刻液。第三步:根據混酸配制表算出各個原料的添加量,按照純水→亞氨基二乙酸→氫氟酸→hno3→四甲基氫氧化銨→乙醇酸的順序依次將原料加入調配罐,將上述混料充分攪拌,攪拌時間為3~5h。第四步:在第三步的混料中再添加h2o2,繼續攪拌混勻,攪拌時間為3~5h,用磁力泵將混合液通過過濾器循環過濾。蘇州博洋化學您正確的選擇,歡迎咨詢。池州銀蝕刻液蝕刻液按需定制
維信諾用的哪家的蝕刻液?池州銀蝕刻液蝕刻液按需定制
所述有機硫化合物具有作為還原劑及絡合劑(chelate)的效果。作為所述硫酮系化合物,例如可舉出硫脲、N-烷基硫脲、N,N-二烷基硫脲、N,N'-二烷基硫脲、N,N,N'-三烷基硫脲、N,N,N',N'-四烷基硫脲、N-苯基硫脲、N,N-二苯基硫脲、N,N'-二苯基硫脲及亞乙基硫脲等。烷基硫脲的烷基并無特別限制,推薦為碳數1至4的烷基。這些硫酮系化合物中,推薦使用選自由作為還原劑或絡合劑的效果及水溶性優異的硫脲、二乙基硫脲及三甲基硫脲所組成的群組中的至少一種。作為所述硫醚系化合物,例如可舉出甲硫氨酸、甲硫氨酸烷基酯鹽酸鹽、乙硫氨酸、2-羥基-4-(烷硫基)丁酸及3-(烷硫基)丙酸等。烷基的碳數并無特別限制,推薦為碳數1至4。另外,這些化合物的一部分也可經取代為氫原子、羥基或氨基等其他基。這些硫醚系化合物中,推薦為使用選自由作為還原劑或絡合劑的效果優異的甲硫氨酸、乙硫氨酸及3-(甲硫基)丙酸所組成的群組中的至少一種。有機硫化合物的濃度并無特別限制,推薦為%至10重量%,更推薦為%至5重量%。在有機硫化合物的濃度小于%的情況下,無法獲得充分的還原性及絡合效果,有鈦的蝕刻速度變得不充分的傾向,若超過10重量%則有達到溶解極限的傾向。池州銀蝕刻液蝕刻液按需定制