本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域:,特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)::隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展,電子器件和電子產(chǎn)品對(duì)多功能化和微型化的要求越來(lái)越高。在這種小型化趨勢(shì)的推動(dòng)下,要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積小,立體空間大,引線距離短,信號(hào)傳輸快,所以能夠更好地實(shí)現(xiàn)封裝的微型化。晶圓疊層是3d疊層封裝的一種形式。疊層晶圓在制造的過(guò)程中會(huì)對(duì)**外層的晶圓表面進(jìn)行顯影蝕刻,當(dāng)中會(huì)用到光刻膠剝離液。剝離液蝕刻后如何判斷好壞 ?池州哪家蝕刻液剝離液私人定做
若所述過(guò)濾器被所述薄膜碎屑阻塞,則關(guān)閉連接被阻塞的所述過(guò)濾器的管道上的閥門開(kāi)關(guān);取出被阻塞的所述過(guò)濾器。在一些實(shí)施例中,所述若所述過(guò)濾器被所述薄膜碎屑阻塞,則關(guān)閉連接被阻塞的所述過(guò)濾器的管道上的閥門開(kāi)關(guān)包括:若所述過(guò)濾器包括多個(gè)并列排布的子過(guò)濾器,則關(guān)閉連接被阻塞的所述子過(guò)濾器的管道上的閥門開(kāi)關(guān)。本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種剝離液機(jī)臺(tái),包括:依次順序排列的多級(jí)腔室、每一級(jí)所述腔室對(duì)應(yīng)連接一存儲(chǔ)箱;過(guò)濾器,所述過(guò)濾器的一端設(shè)置通過(guò)管道與當(dāng)前級(jí)腔室對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱連接,所述過(guò)濾器的另一端通過(guò)第二管道與下一級(jí)腔室連接;其中,至少在所述管道或所述第二管道上設(shè)置有閥門開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)。通過(guò)閥門開(kāi)關(guān)控制連接每一級(jí)腔室的過(guò)濾器相互獨(dú)立,從而在過(guò)濾器被阻塞時(shí)通過(guò)閥門開(kāi)關(guān)將被堵塞的過(guò)濾器取下并不影響整體的剝離進(jìn)程,提高生產(chǎn)效率。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的種結(jié)構(gòu)示意圖。池州哪家蝕刻液剝離液私人定做蘇州剝離液哪家好?;
參考圖7),這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會(huì)被增強(qiáng)呈現(xiàn),傳遞到柵極成型工序時(shí)會(huì)對(duì)柵極圖形產(chǎn)生嚴(yán)重的影響,即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷,在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開(kāi)或橋接,直接降低了產(chǎn)品良率。另外,在氧氣灰化階段,由于等離子氧可以穿透襯底表面上的氧化層到達(dá)襯底硅區(qū),直接與硅反應(yīng)產(chǎn)生二氧化硅,增加了硅損失,會(huì)影響器件閾值電壓及漏電流,也會(huì)影響產(chǎn)品良率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念,該簡(jiǎn)化形式的概念均為本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)簡(jiǎn)化,這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征,更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,能降低光刻膠去除殘留物的光刻膠剝離去除方法。為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法,包括以下步驟:s1,在半導(dǎo)體襯底上淀積介質(zhì)層;可選擇的,淀積介質(zhì)層為二氧化硅薄膜。可選的,進(jìn)一步改進(jìn),淀積二氧化硅薄膜厚度范圍為5埃~60埃。s2,旋涂光刻膠并曝光顯影,形成光刻圖形阻擋層。
以往的光刻膠剝離液對(duì)金屬的腐蝕較大,可能進(jìn)入疊層內(nèi)部造成線路減薄,藥液殘留,影響產(chǎn)品的質(zhì)量。因此有必要開(kāi)發(fā)一種不會(huì)對(duì)疊層晶圓產(chǎn)生過(guò)腐蝕的光刻膠剝離液。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的主要目的在于提供一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液,既具有較高的光刻膠剝離效率,又不會(huì)對(duì)晶圓內(nèi)層有很大的腐蝕。本發(fā)明通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)上述目的:一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液,配方包括10~20wt%二甲基亞砜,10~20wt%一乙醇胺,5~11wt%四甲基氫氧化銨,~1wt%硫脲類緩蝕劑和~2wt%聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑,5~15wt%n-甲基吡咯烷酮和余量的去離子水。具體的。如何挑選一款適合自己公司的剝離液?
IC去除剝離液MSDS1.產(chǎn)品屬性產(chǎn)品形式:混合溶液產(chǎn)品名稱:ANS-908產(chǎn)品功能描述:用于COG重工,使IC與玻璃無(wú)損傷分離2.組成成份化學(xué)名稱CASNo含量%(v)1-METHYL-2-PYRROLIDINONE872-50-445~90N,N-DIMETHYLACETAMIDE127-19-510~58Other12~45SurfactantThickener3.危險(xiǎn)識(shí)別可燃性液體和蒸汽警示標(biāo)識(shí)外觀:透明或微黃氣味:類氨對(duì)人類和環(huán)境的危害:對(duì)眼睛和皮膚有刺激性吸入:會(huì)引起呼吸道受刺激,肝臟、腎受傷害,對(duì)系統(tǒng)有影響攝取:會(huì)引起呼吸道和消化道刺激長(zhǎng)期接觸:會(huì)引起皮膚傷害4.緊急處理吸入:移至空氣新鮮處,呼吸困難時(shí)輸氧、看醫(yī)生攝取:迅速嘔吐或者看醫(yī)生皮膚接觸:用大量水沖洗15分鐘以上,更換衣服、鞋,或者看醫(yī)生眼睛接觸:用大量水沖洗15分鐘以上,嚴(yán)重時(shí)看醫(yī)生5.防火措施合適的滅火裝置:水槍、泡沫滅火器、干粉滅火器、CO2滅火器特別防護(hù)措施:穿戴防護(hù)面罩閃點(diǎn):>110℃自燃溫度:>340℃6.意外泄漏注意事項(xiàng)人員:避免吸入,避免皮膚、眼睛、衣物的接觸,霧狀時(shí)戴防護(hù)面罩環(huán)境:迅速移除火源,避免吸入和接觸清潔方法:大量泄漏應(yīng)截流并泵入容器,用吸附材料吸掉殘余物;少量泄漏用水沖洗7.存儲(chǔ)和搬運(yùn)搬運(yùn):遠(yuǎn)離火源、煙霧;不要吸入蒸汽。剝離液的特性是什么?池州哪家蝕刻液剝離液私人定做
剝離液中加入特有添加劑可有效保護(hù)對(duì)應(yīng)金屬;池州哪家蝕刻液剝離液私人定做
所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種。技術(shù)方案中,所述的環(huán)胺為氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種。技術(shù)方案中,所述的緩蝕劑為三唑類物質(zhì)。的技術(shù)方案中,所述的緩蝕劑為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一種。技術(shù)方案中,所述的潤(rùn)濕劑含有羥基。技術(shù)方案中,所述的潤(rùn)濕劑為聚乙二醇、甘油中的任意一種。經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明中加入環(huán)胺與鏈胺,能夠滲透、斷開(kāi)光刻膠分子間弱結(jié)合力,能夠快速、有效地溶解光刻膠,而配方中加入潤(rùn)濕劑,能夠有效地減少接觸角,增強(qiáng)親水性,使得剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。附圖說(shuō)明:圖1為配方一和配方二的剝離液滴落在平面時(shí)兩者的接觸角對(duì)比圖。圖2為配方一和配方二的剝離液應(yīng)用是光刻膠的殘留量對(duì)比圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)有技術(shù)中的剝離液其水置換能力較差,容易造成面板邊緣光刻膠殘留,本申請(qǐng)經(jīng)過(guò)大量的試驗(yàn),創(chuàng)造性的發(fā)現(xiàn),在剝離液中加入潤(rùn)濕劑,能夠使固體物料(高世代面板)更易被水浸濕的物質(zhì),通過(guò)降低其表面張力或界面張力,使水能展開(kāi)在固體物料。池州哪家蝕刻液剝離液私人定做