本實用涉及電子化學品生產設備技術領域,具體為高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置。背景技術:近年來,人們對半導體裝置、液晶顯示器的需求量不斷增加的同時,對于這些裝置所具有的配線、電極等的微小化、高性能化的要求也越來越嚴格,而蝕刻的效果能直接導致電路板制造工藝的好壞,影響高密度細導線圖像的精度和質量,為了解決蝕刻液組合物蝕刻鋁材料過程中,對蝕刻速率慢、難以控制蝕刻角度和不同金屬層的蝕刻量而造成的多層配線的半導體裝置的配線的斷路、短路,得到較高的成品率,為保證其穩定性及蝕刻的平滑度及精度,在蝕刻液中需要加入多種組分,而常規的生產方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合。現有的高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置密封性差,連接安裝步驟繁瑣,還需要使用工具才能進行連接安裝或拆卸,而且現有的高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置沒有過濾的部件,蝕刻液中的各組份蝕刻液雜質含量多,且多種強酸直接共混存在較大的安全隱患,裝置不夠完善,難以滿足現代社會的需求。所以,如何設計高蝕刻速率無殘留酸性鋁蝕刻液生產裝置,成為我們當前需要解決的問題。哪家蝕刻液的的性價比好。綿陽銅蝕刻液蝕刻液生產
銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學品產品,廣泛應用于平板顯示、LED制造及半導體制造領域。隨著新技術的不斷進步,對該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎上我司自主進行了無氟,無硝酸,低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發,并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝。產品特點:1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度(32)下可穩定72H,常溫可穩定120H;無暴沸現象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好,taper符合制程要求。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結構不同膜厚度的機種。廣州BOE蝕刻液蝕刻液按需定制蘇州BOE蝕刻液公司哪家好?
上述硅烷系偶聯劑的選擇方法的特征在于,選擇上述硅烷系偶聯劑的反應位點(activesite)的數量除以上述硅烷系偶聯劑的水解(hydrolysis)形態的分子量之后乘以。以下,通過實施例更加詳細地說明本發明。但是,以下的實施例用于更加具體地說明本發明,本發明的范圍并不受以下實施例的限定。實施例和比較例的蝕刻液組合物的制造參照以下表1(重量%),制造實施例和比較例的蝕刻液組合物。[表1]參照以下表2和圖5,利用實施例和比較例的蝕刻液組合物,對于包含作為氧化物膜sio2和作為上述氧化物膜上的氮化物膜sin的膜的、總厚度的膜進行如下處理。在160℃用硅烷系偶聯劑%對上述膜處理10,000秒的情況下,可以確認到,aeff值與蝕刻程度(etchingamount,e/a)呈線性相互關系。具體而言,可以判斷,作為硅烷系偶聯劑,包含aeff值處于~14的蝕刻程度(etchingamount,e/a)優異,從而阻止氧化物膜損傷不良和因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良的效果優異。另一方面,可以判斷,作為硅烷系偶聯劑,包含aeff值不處于~11的蝕刻程度不佳,從而發生氧化物膜損傷不良。[表2]例如,參照以下表3,包含雙。
在上述硅烷系偶聯劑的含量處于上述含量范圍內的情況下,能夠調節添加劑本身凝膠化,且獲得合適的sio2防蝕和sin蝕刻性能。(c)水本發明的蝕刻液組合物中所包含的上述水可以為用于半導體工序的去離子水,推薦使用18mω/㎝以上的上述去離子水。上述水的含量可以為使包含本發明的必須成分以及除此以外的其他成分的組合物總重量成為100重量%的余量。推薦可以按照本發明的組合物總重量的2~45重量%來包含。<選擇添加劑的方法、由此選擇的添加劑及利用其的蝕刻方法>此外,本發明提供選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*對上述氮化物膜選擇性蝕刻的蝕刻液組合物的添加劑的方法、由此選擇的添加劑以及利用該添加劑的蝕刻方法。上述蝕刻液組合物中說明的、對于添加劑選擇等的一切內容均可以同樣地應用于本發明的選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的添加劑的方法、由此選擇的添加劑以及利用該添加劑的蝕刻方法。具體而言,提供選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜的蝕刻液組合物的硅烷系偶聯劑的方法、由此選擇的硅烷系偶聯劑以及包含該硅烷系偶聯劑的蝕刻方法。BOE蝕刻液歡迎咨詢蘇州博洋化學股份。
更推薦滿足。參照圖4,在添加劑(硅烷系偶聯劑)的aeff處于,能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良**少化,在硅烷系偶聯劑的aeff處于,能夠使氧化物膜損傷不良**少。因此,在利用上述范圍所重疊范圍(規格(spec)滿足區間)即aeff為2以上,能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良以及氧化物膜損傷不良**少化。在上述添加劑的aeff值處于上述范圍內的情況下,上述添加劑可以具有適宜水平的防蝕能力,由此,即使沒有消耗費用和時間的實際的實驗過程,也能夠選擇具有目標防蝕能力的硅烷系偶聯劑等添加劑。本發明的上述硅烷系偶聯劑等添加劑推薦按照保護對象膜(氧化物膜)的蝕刻程度(etchingamount,e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來添加。例如,對于包含氧化物膜(例如,sio2)和上述氧化物膜上的氮化物膜(例如,sin)的膜在160℃以添加劑濃度1000ppm基準處理10,000秒的情況下,推薦按照保護對象膜的蝕刻程度(etchingamount,e/a)滿足以上以下的范圍的濃度添加。本發明的添加劑的防蝕能力可以通過上述添加劑的aeff值與濃度之積來計算,由蝕刻程度(etchingamount,e/a)來表示。蝕刻程度的正的值表示蝕刻工序后厚度增加。蘇州博洋化學股份有限公司蝕刻液;成都市面上哪家蝕刻液廠家現貨
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銅蝕刻液適用于印制版銅的蝕刻,蝕刻速度快。蝕刻速度達4~5um/min。廢液回收簡單,用于印制板,線路板。本劑也可用于銅工藝品等的蝕刻。蝕刻后的板面平整而光亮。銅蝕刻液的反應速度快、使用溫度低、溶液使用壽命長,后處理容易,對環境污染小。用于銅質單面板,雙面板、首飾蝕刻,可以蝕刻出任意精美的形態,有效提高蝕刻速度,節約人工水電。常常應用于印刷線路板銅的蝕刻處理
1、蝕刻速度快,效率高。使用方便。蝕刻速度可達10微米/分鐘。2、可循環使用,無廢液排放。
1、藍色透明液體,有氣味。2、比重:1.10~1.13。3、PH值:10~11.0。
1、采用浸泡的方法即可,浸泡過程中要攪動蝕刻液或移動工件。蝕刻溫度為20~40℃,在通風排氣處操作,操作時要蓋好蓋子。2、蝕刻時間可以根據蝕刻的深度確定。 綿陽銅蝕刻液蝕刻液生產