這在高溫下尤為嚴重,在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關于連續峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下,可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓VDRM的最大值,此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流,那么硅片上局部的電流密度就很高,使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈,容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流,這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰(毛刺)電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2]。按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、可控硅和小功率可控硅三種。江蘇新型可控硅模塊銷售廠家
觸發電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右,觸發電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發 電壓不宜超過10V,峰值觸發電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙向可控硅實質上是兩個反并聯的單向可控硅,是由NPNPN五層半導體形成四個PN結構成、有三個電極的半導體器件。由于主電極的構造是對稱的(都從N層引出),所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極,而是把與控制極相近的叫做***電極T1,另一個叫做第二電極T2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。這是因為雙向可控硅在一個方向導通結束時,硅片在各層中的載流子還沒有回到截止狀態的位置,必須采取相應的保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路,如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關以及直流電機調速和換向等電路。江蘇新型可控硅模塊銷售廠家“一觸即發”。但是,如果陽極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導通。
1、智能功率模塊(ipms) 智能功率模塊的特點在于除了功率半導體器件外,還有驅動電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護和監測功能,如過電流和短路保護,驅動器電源電壓控制和直流母線電壓測量等。 然而,大部分智能功率模塊沒有對功率側的信號輸入進行電氣隔離。只有極少數的ipm包含了一個集成光耦。另一種隔離方案是采用變壓器 進行隔離。
若欲使可控硅關斷,也有兩個關斷條件:1) 使正向導通電流值小于其工作維持電流值;2) 使 A、K 之間電壓反向。可見,可控硅器件若用于直流電路,一旦為觸發信號開通,并保持一定幅度的流通電流 的話,則可控硅會一直保持開通狀態。除非將電源開斷一次,才能使其關斷。若用于交流電 路,則在其承受正向電壓期間,若接受一個觸發信號,則一直保持導通,直到電壓過零點到 來,因無流通電流而自行關斷。在承受反向電壓期間,即使送入觸發信號,可控硅也因 A、 K 間電壓反向,而保持于截止狀態。 可控硅器件因工藝上的離散性,其觸發電壓、觸發電流值和導通壓降,很難有統一的標準。可控硅器件控制本質上如同三極管一樣,為電流控制器件。功率越大,所需觸發電流也 越大。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。
“雙向可控硅”:是在普通可控硅的基礎上發展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯的可控硅,而且*需一個觸發電路,是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端:TRIode(取**個字母)交流半導體開關:ACsemiconductorswitch(取前兩個字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開關”。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統稱。雙 向:Bi-directional(取***個字母)控 制:Controlled(取***個字母)整流器:Rectifier(取***個字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱"死硅")更為可貴的可控性。江蘇新型可控硅模塊銷售廠家
額定通態平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。江蘇新型可控硅模塊銷售廠家
但是,它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同,是把兩個可控硅反接在一起畫成的,如圖2所示。它的型號,在我國一般用“3CTS”或“KS”表示;國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而有所不同,但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時,電極引腳向下,面對標有字符的一面)。市場上最常見的幾種塑封外形結構雙向可控硅的外形及電極引腳排列如下圖1所示。江蘇新型可控硅模塊銷售廠家
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⒊ 控制極觸發電流(IGT),俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,在規定環境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構成可控整流電路。以**簡單的單相半波可控整流電路為例,在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug,VS仍然不能導通,只有在U...