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IGBT模塊基本參數
  • 品牌
  • 茵菲菱
  • 型號
  • 齊全
IGBT模塊企業商機

IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進行電導調制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時,也具有低的通態電壓。 [1] [4]IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性和開關特性。盡量在底板良好接地的情況下操作。浦東新區哪里IGBT模塊品牌

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鑒于尾流與少子的重組有關,尾流的電流值應與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關系。因此,根據所達到的溫度,降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的,尾流特性與VCE、IC和 TC有關。柵射極間施加反壓或不加信號時,MOSFET內的溝道消失,晶體管的基極電流被切斷,IGBT關斷。 [2]反向阻斷當集電極被施加一個反向電壓時,J1 就會受到反向偏壓控制,耗盡層則會向N-區擴展。因過多地降低這個層面的厚度,將無法取得一個有效的阻斷能力,所以,這個機制十分重要。另一方面,如果過大地增加這個區域尺寸,就會連續地提高壓降。 [2]正向阻斷金山區如何IGBT模塊供應商IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。

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這次從穿通(PT)型技術先進到非穿通(NPT)型技術,是**基本的,也是很重大的概念變化。這就是:穿通(PT)技術會有比較高的載流子注入系數,而由于它要求對少數載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞。另一方面,非穿通(NPT)技術則是基于不對少子壽命進行殺傷而有很好的輸運效率,不過其載流子注入系數卻比較低。進而言之,非穿通(NPT)技術又被軟穿通(LPT)技術所代替,它類似于某些人所謂的“軟穿通”(SPT)或“電場截止”(FS)型技術,這使得“成本—性能”的綜合效果得到進一步改善。1996年,CSTBT(載流子儲存的溝槽柵雙極晶體管)使第5代IGBT模塊得以實現[6],它采用了弱穿通(LPT)芯片結構,又采用了更先進的寬元胞間距的設計。包括一種“反向阻斷型”(逆阻型)功能或一種“反向導通型”(逆導型)功能的IGBT器件的新概念正在進行研究,以求得進一步優化。

IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進行電導調制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時,也具有低的通態電壓。IGBT驅動電路是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作,并同時對其進行保護的電路。IGBT的開關速度低于MOSFET,但明顯高于GTR。

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門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示,它是計算IGBT 驅動器電路所需輸出功率的關鍵參數。該電容幾乎不受溫度影響,但與IGBT集電極-發射極電壓VCE 的電壓有密切聯系。在IGBT數據手冊中給出的電容Cies 的值,在實際電路應用中不是一個特別有用的參數,因為它是通過電橋測得的,在測量電路中,加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V),在這種測量條件下,所測得的結電容要比VCE=600V 時要大一些(如圖2)。由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓,在實際開關中存在的米勒效應(Miller 效應)在測量中也沒有被包括在內,在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數據手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此,在IGBT數據手冊中給出的電容Cies值在實際應用中**只能作為一個參考值使用。當柵極和發射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時,P/NJ3結受反向電壓控制。嘉定區哪里IGBT模塊廠家現貨

在安裝或更換IGBT模塊時,應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。浦東新區哪里IGBT模塊品牌

大電流高電壓的IGBT已模塊化,它的驅動電路除上面介紹的由分立元件構成之外,已制造出集成化的IGBT**驅動電路。其性能更好,整機的可靠性更高及體積更小。選擇IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時,由于開關損耗增大,發熱加劇,選用時應該降等使用。浦東新區哪里IGBT模塊品牌

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