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CMP技術依賴拋光液化學作用與機械摩擦的協(xié)同實現(xiàn)全局平坦化。在壓力與相對運動下,拋光墊將磨料顆粒壓入工件表面,化學組分先軟化或轉(zhuǎn)化表層材料,磨料隨后將其剪切去除。該過程要求化學成膜...
CMP技術依賴拋光液化學作用與機械摩擦的協(xié)同實現(xiàn)全局平坦化。在壓力與相對運動下,拋光墊將磨料顆粒壓入工件表面,化學組分先軟化或轉(zhuǎn)化表層材料,磨料隨后將其剪切去除。該過程要求化學成膜...