背柵場效應管是一種特殊結構的場效應管，其柵極位于溝道下方，與傳統 MOS 管的柵極位置不同。嘉興南電在背柵場效應管領域進行了深入研究和開發。背柵場效應管具有獨特的電學特性，如更高的跨導和更低的閾值電壓。在低功耗電路中，背柵場效應管可實現更低的工作電壓和功耗。在模擬電路中，背柵場效應管的高跨導特性可提高放大器的增益和帶寬。嘉興南電的背柵場效應管產品采用先進的工藝技術，實現了的柵極控制和良好的器件性能。公司正在探索背柵場效應管在高速通信、物聯網和人工智能等領域的應用潛力，為客戶提供創新的解決方案。抗干擾場效應管共模抑制比 > 80dB，工業控制抗干擾性強。mos管電流

場效應管 k3569 是一款常用的高壓功率 MOS 管，嘉興南電的等效產品在參數上進行了升級。該 MOS 管的擊穿電壓為 900V，漏極電流為 12A，導通電阻低至 0.3Ω，能夠滿足高壓大電流應用需求。在開關電源設計中，k3569 MOS 管的快速開關特性減少了開關損耗，使電源效率提高了 1.5%。公司采用特殊的工藝技術，改善了 MOS 管的雪崩耐量，使其能夠承受更高的能量沖擊。此外，k3569 MOS 管的閾值電壓穩定性控制在 ±0.2V 以內，確保了在不同溫度環境下的可靠工作。在實際應用中，該產品表現出優異的穩定性和可靠性，成為高壓電源領域的器件。ld激光MOS管場效應管汽車級 MOS 管 AEC-Q101 認證，-40℃~150℃寬溫工作，車載可靠。

hy1707 場效應管是一款高壓大功率 MOS 管，嘉興南電的等效產品在參數上進行了優化升級。該 MOS 管的擊穿電壓為 1000V，漏極電流為 10A，導通電阻低至 0.5Ω，能夠滿足高壓大電流應用需求。在感應加熱設備中，hy1707 MOS 管的快速開關特性和低導通損耗使其成為理想選擇。公司采用特殊的工藝技術，改善了 MOS 管的抗雪崩能力，使其能夠承受更高的能量沖擊。此外，hy1707 MOS 管的閾值電壓穩定性控制在 ±0.3V 以內，確保了在不同溫度環境下的可靠工作。在實際應用中，該產品表現出優異的穩定性和可靠性，成為高壓大功率應用領域的器件。嘉興南電還提供 hy1707 MOS 管的替代型號推薦，滿足不同客戶的需求。

場效應管膠是用于固定和封裝場效應管的材料，嘉興南電提供多種適用于 MOS 管的封裝膠水。封裝膠水的主要作用是保護 MOS 管芯片免受機械損傷、濕氣和化學腐蝕，同時提供良好的熱傳導路徑，幫助散熱。在選擇場效應管膠時，需考慮膠水的導熱性能、電氣絕緣性能、耐溫性能和固化特性等因素。嘉興南電推薦使用導熱硅膠作為 MOS 管的封裝膠水，該膠水具有高導熱系數、良好的電氣絕緣性和耐高低溫性能。在實際應用中，應確保膠水均勻覆蓋 MOS 管芯片，并避免膠水進入引腳間隙，影響電氣連接。嘉興南電的技術支持團隊可提供膠水選型和應用指導，幫助用戶正確使用封裝膠水，提高 MOS 管的可靠性和使用壽命。低溫度系數場效應管 Rds (on) 溫漂 < 0.05%/℃，精度高。

場效應管 h 橋是一種常用的功率驅動電路，能夠實現電機的正反轉控制。嘉興南電的 MOS 管為 h 橋電路設計提供了高性能解決方案。h 橋電路由四只 MOS 管組成，形成一個 "h" 形結構。通過控制四只 MOS 管的開關狀態，可以實現電機的正轉、反轉和制動。嘉興南電的高壓 MOS 管系列能夠提供足夠的耐壓能力，確保 h 橋電路在高電壓環境下安全工作。公司的低導通電阻 MOS 管可減少 h 橋電路的功耗，提高效率。在高頻應用中，快速開關的 MOS 管能夠減少開關損耗，允許更高的 PWM 頻率控制，提高電機控制精度。此外，嘉興南電還提供 h 橋電路設計指南和參考設計，幫助工程師優化電路性能，實現可靠的電機控制。大電流場效應管 Idmax=100A，銅夾片封裝散熱優化，工業設備適用。電力mos管

嘉興南電 耗盡型 MOS 管，Vgs=0 導通，負電壓關斷，常通開關場景免持續驅動。mos管電流

5n50 場效應管是一款常用的率器件，嘉興南電的對應產品在參數上進行了優化。該 MOS 管的擊穿電壓達到 550V，漏極電流為 5A，導通電阻低至 0.35Ω，能夠滿足大多數工業和消費電子應用需求。在開關電源設計中，5n50 MOS 管的低電容特性減少了開關損耗，使電源效率提高了 2%。公司采用了特殊的背面金屬化工藝，改善了散熱性能，允許更高的功率密度應用。此外，產品的閾值電壓穩定性控制在 ±0.3V 以內，確保了在不同溫度環境下的可靠工作，為工程師提供了更寬松的設計裕度。mos管電流