在微流控芯片集成領(lǐng)域，某微機(jī)電系統(tǒng)實驗室利用 Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù)，在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅(qū)動的氣動泵閥結(jié)構(gòu)。其微泵通道寬度可控制在 20μm，流量調(diào)節(jié)精度達(dá) ±1%，響應(yīng)時間小于 50ms。通過軟件輸入不同圖案，可在 10 分鐘內(nèi)完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細(xì)胞代謝分析，實現(xiàn)了單個tumor細(xì)胞葡萄糖攝取率的實時監(jiān)測，檢測靈敏度較傳統(tǒng)方法提升 3 倍，相關(guān)設(shè)備已進(jìn)入臨床前驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。光刻膠broad兼容：支持AZ5214E、SU-8等材料，優(yōu)化參數(shù)降低側(cè)壁粗糙度。陜西POLOSBEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

Polos-BESM在電子器件原型開發(fā)中展現(xiàn)高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導(dǎo)入，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團(tuán)隊利用同類設(shè)備成功制備了高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。陜西POLOSBEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米客戶認(rèn)可：全球 500 + 客戶滿意度達(dá) 98%，復(fù)購率 75%，技術(shù)支持響應(yīng)時間 < 2 小時。

無掩模激光光刻技術(shù)為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具，可用于創(chuàng)建亞微米級特征，并促進(jìn)電路和器件的快速原型設(shè)計。經(jīng)濟(jì)高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無需復(fù)雜的基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備即可使用光刻技術(shù)。應(yīng)用范圍擴(kuò)展至微機(jī)電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學(xué)設(shè)備和微電子器件的設(shè)計和制造，例如以下領(lǐng)域：醫(yī)療（包括微流體）、半導(dǎo)體、電子、生物技術(shù)和生命科學(xué)、先進(jìn)材料研究。全球無掩模光刻系統(tǒng)市場規(guī)模預(yù)計在 2022 年達(dá)到 3.3606 億美元，預(yù)計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元，復(fù)合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)以及半導(dǎo)體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長，預(yù)計未來幾十年光刻市場將持續(xù)增長。

某半導(dǎo)體實驗室采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。用戶案例broad：全球超500家科研機(jī)構(gòu)采用，覆蓋高校、研究所與企業(yè)實驗室。

植入式神經(jīng)電極需要兼具生物相容性與導(dǎo)電性能，表面微圖案可remarkable影響細(xì)胞 - 電極界面。Polos 光刻機(jī)在鉑銥合金電極表面刻制出 10μm 間距的蜂窩狀微孔，某神經(jīng)工程團(tuán)隊發(fā)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)使神經(jīng)元突觸密度提升 20%，信號采集噪聲降低 35%。其無掩模特性支持根據(jù)不同腦區(qū)結(jié)構(gòu)定制電極陣列，在大鼠海馬區(qū)電生理實驗中，單神經(jīng)元信號識別率從 60% 提升至 85%，為腦機(jī)接口技術(shù)的臨床轉(zhuǎn)化奠定了硬件基礎(chǔ)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。Polos-BESM XL：大尺寸加工空間，保留緊湊設(shè)計，科研級精度實現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)一次性成型。河南桌面無掩模光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

多材料兼容：金屬 / 聚合物 / 陶瓷同步加工，微流控芯片集成傳感器一步成型。陜西POLOSBEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

一所高校的電子工程實驗室專注于新型傳感器的研究。在開發(fā)一款超靈敏壓力傳感器時，面臨著如何在微小尺寸上構(gòu)建高精度電路圖案的難題。德國 Polos 光刻機(jī)的引入解決了這一困境。其可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光的特性，讓研究人員能夠根據(jù)傳感器的特殊需求，設(shè)計并制作出獨(dú)特的電路結(jié)構(gòu)。通過 Polos 光刻機(jī)precise的光刻，成功制造出的壓力傳感器，靈敏度比現(xiàn)有市場產(chǎn)品提高了兩倍以上。該成果已獲得多項patent，并吸引了多家科技企業(yè)的關(guān)注，有望實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，為可穿戴設(shè)備、智能機(jī)器人等領(lǐng)域帶來新的發(fā)展機(jī)遇。陜西POLOSBEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米