Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計,寫入區(qū)域達155×155 mm,平臺雙向重復性精度0.1 μm,滿足工業(yè)級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭,支持實時觀測與多層對準。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復雜圖案設計流程,內置高性能筆記本電腦實現快速數據處理,成為微機電系統(tǒng)(MEMS)和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術帶到了桌面上,進一步提升了其優(yōu)勢。微型傳感器量產:80 μm開環(huán)諧振器加工能力,推動工業(yè)級MEMS傳感器升級。安徽德國POLOS光刻機光源波長405微米
石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉移,Polos 光刻機的激光直寫技術避免了傳統(tǒng)濕法轉移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列,成功制備出石墨烯場效應晶體管,其電子遷移率達 2×10? cm2/(V?s),接近理論極限。該技術支持快速構建多種二維材料異質結,使器件研發(fā)效率提升 5 倍,相關成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領域的應用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。陜西BEAM-XL光刻機光源波長405微米Polos-BESM XL:加大加工幅面,滿足中尺寸器件一次性成型需求。
超表面通過納米結構調控光場,傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機的激光直寫技術在石英基底上實現了亞波長量級的圖案曝光,將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學實驗室利用該設備,研制出寬帶消色差超表面透鏡,在 400-1000nm 波長范圍內成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實時優(yōu)化結構參數,使器件研發(fā)周期從數周縮短至 24 小時,推動超表面技術從理論走向集成光學應用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。
一所高校的電子工程實驗室專注于新型傳感器的研究。在開發(fā)一款超靈敏壓力傳感器時,面臨著如何在微小尺寸上構建高精度電路圖案的難題。德國 Polos 光刻機的引入解決了這一困境。其可輕松輸入任意圖案進行曝光的特性,讓研究人員能夠根據傳感器的特殊需求,設計并制作出獨特的電路結構。通過 Polos 光刻機precise的光刻,成功制造出的壓力傳感器,靈敏度比現有市場產品提高了兩倍以上。該成果已獲得多項patent,并吸引了多家科技企業(yè)的關注,有望實現產業(yè)化應用,為可穿戴設備、智能機器人等領域帶來新的發(fā)展機遇。高頻元件驗證:成功開發(fā)射頻器件與IDC電容器,加速國產芯片產業(yè)鏈突破。
大尺寸晶圓的高效處理:Polos-BESM XL的優(yōu)勢!Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計,寫入區(qū)域達155×155 mm,平臺重復性精度0.1 μm,滿足工業(yè)級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭,實時觀測與多層對準功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復雜圖案設計,內置高性能筆記本實現快速數據處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術,用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域,為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。德國工藝:精密制造基因,10 年以上使用壽命,維護成本低,設備殘值率達 60%。北京德國BEAM光刻機光源波長405微米
柔性電子制造:可制備叉指電容器與高頻電路,推動5G通信與物聯(lián)網硬件發(fā)展。安徽德國POLOS光刻機光源波長405微米
德國Polos-BESM系列光刻機采用無掩模激光直寫技術,突破傳統(tǒng)光刻對物理掩膜的依賴,支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進行快速曝光。其亞微米分辨率(most小線寬0.8 μm)和405 nm紫外光源,可在5英寸晶圓上實現高精度微納結構加工18。系統(tǒng)體積緊湊,only占桌面空間,搭配閉環(huán)自動對焦(1秒完成)和半自動多層對準功能,大幅提升實驗室原型開發(fā)效率,適用于微流體芯片設計、電子元件制造等領域。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術帶到了桌面上,進一步提升了其優(yōu)勢。安徽德國POLOS光刻機光源波長405微米
德國Polos-BESM系列光刻機采用無掩模激光直寫技術,突破傳統(tǒng)光刻對物理掩膜的依賴,支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進行快速曝光。其亞微米分辨率(most小線寬0.8 μm)和405 nm紫外光源,可在5英寸晶圓上實現高精度微納結構加工18。系統(tǒng)體積緊湊,only占桌面空間,搭配閉環(huán)自動對焦(1秒完成)和半自動多層對準功能,大幅提升實驗室原型開發(fā)效率,適用于微流體芯片設計、電子元件制造等領域。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術帶到了桌面上,進一步提升了...