反應濺射是在濺射鍍膜中，引入某些活性反應氣體與濺射成不同于靶材的化合物薄膜。反應氣體有Ｏ2、Ｎ2、ＣＨ4等。反應濺射的靶材可以是純金屬，也可以是化合物，反應濺射也可采用磁控濺射。如氮化鋁薄膜可以采用磁控濺射鋁靶材，氣體通入一比一的氬氣和氮氣，反應濺射的優點是比直接濺射氮化鋁靶材時間更快。磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮氣作為反應氣體，能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過改變反應氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調整，薄膜內組分也能相應調整。但反應氣體過量時可能會造成靶中毒。影響PECVD工藝質量的因素主要有以下幾個方面：1.起輝電壓；2.極板間距和腔體氣壓；3.射頻電源的工作頻率；上海新型真空鍍膜

通常在真空鍍膜中制備的薄膜與襯底的粘附主要與一下幾個因素有關：1.襯底表面的清潔度；2.制備時腔體的本底真空度；3.襯底表面的預處理。襯底的清潔度會嚴重影響薄膜的粘附力，也可能導致制備的薄膜在臟污處出現應力集中甚至導致開裂；設備的本底真空也是影響粘附力的重要5因素，對于磁控濺射來說，通常要保證設備的本底真空盡量低于5E-6Torr；對于某些襯底表面，通常可以使用等離子體對其進行預處理，也能很大程度增加薄膜的粘附力。惠州小家電真空鍍膜真空鍍膜過程需嚴格監控鍍膜速度。

介質薄膜是重要的半導體薄膜之一。它可用作電路間的絕緣層，掩蔽半導體主要元件的相互擴散和漏電現象，從而進一步改善半導體操作性能的可靠性；它還可用作保護膜，在半導體制程的環節生成保護膜，保護芯片不受外部沖擊；或用作隔離膜，在堆疊一層層元件后進行刻蝕時，防止無需移除的部分被刻蝕。淺槽隔離（STI，ShallowTrenchIsolation）和金屬層間電介質層（就是典型的例子。沉積材料主要有二氧化硅（SiO2），碳化硅（SiC）和氮化硅（SiN）等。

蒸發物質的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發源接陽極，工件接陰極，當通以三至五千伏高壓直流電以后，蒸發源與工件之間產生輝光放電。由于真空罩內充有惰性氬氣，在放電電場作用下部分氬氣被電離，從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區。帶正電荷的氬離子受陰極負高壓的吸引，猛烈地轟擊工件表面，致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出，從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后，接通蒸發源交流電源，蒸發料粒子熔化蒸發，進入輝光放電區并被電離。帶正電荷的蒸發料離子，在陰極吸引下，隨同氬離子一同沖向工件，當拋鍍于工件表面上的蒸發料離子超過濺失離子的數量時，則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。鍍膜技術為產品增添獨特的美學效果。

沉積工藝也可分為化學氣相沉積和物理的氣相沉積。CVD的優點是速率快，且由于在晶圓表面發生化學反應，擁有臺階覆蓋率。但從上述化學方程式中不難看出，其缺點就是產生副產物廢氣。在半導體制程中，很難將這些廢氣完全排出，難免會參雜些不純物質。因此，CVD多用于不需要精確把控材料特性的沉積涂層，如沉積各種消耗性的膜層（硬掩模）或各種厚絕緣薄膜等。PVD則向晶圓表面直接轟擊要沉積的材料。也就是說，如果想在晶圓表面沉積A物質，則需將A物質氣化后，使其沉積到晶圓表面。常用的PVD方法有濺射，這在刻蝕工藝中也曾涉及過。在這種方法中，我們先向A物質靶材轟擊離子束（主要采用惰性氣體），使A物質粒子濺射出來，再將脫落的粒子轉移至硅片表面，并形成薄膜。PVD的優點是無副產物，沉積薄膜的純度高，且還可以沉積鎢（W）、鈷（Co）等無反應能力的純凈物材料。因此，多用于純凈物的金屬布線。反應氣體過量就會導致靶中毒。上海新型真空鍍膜

鍍膜層能明顯提升產品的抗沖擊性能。上海新型真空鍍膜

在真空狀態下，加熱蒸發容器中的靶材，使其原子或分子逸出，沉積在目標物體表面，形成固態薄膜。依蒸鍍材料、基板的種類可分為：抵抗加熱、電子束、高周波誘導、雷射等加熱方式。蒸鍍材料有鋁、亞鉛、金、銀、白金、鎳等金屬材料與可產生光學特性薄膜的材料，主要有使用SiO2、TiO2、ZrO2、MgF2等氧化物與氟化物。電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場影響，被束縛在靶面的等離子體區域，二次電子在磁場作用下繞靶面做圓周運動，在運動過程中不斷和氬原子發生撞擊，電離出大量氬離子轟擊靶材。上海新型真空鍍膜