深圳市阿賽姆電子有限公司2025-02-16

測試 MOS 管性能可以采用多種方法和設備。首先，可以使用萬用表進行初步的簡單測試。將萬用表置于二極管檔，測量 MOS 管的源極和漏極之間的二極管壓降。正常情況下，對于 N 溝道 MOS 管，紅表筆接源極，黑表筆接漏極時，會顯示一個類似二極管導通的壓降值（一般在 0.5 - 1V 左右），反接時應顯示無窮大。這可以初步判斷 MOS 管的源漏極是否正常，以及是否存在短路或開路情況。然后，使用專門的 MOS 管測試儀可以精確測量其各項參數。測試儀可以測量閾值電壓（Vth），通過逐漸增加柵極電壓，當漏極電流達到一定值（如 1μA）時，此時的柵極電壓即為閾值電壓。還可以測量導通電阻（RDS (on)），在 MOS 管導通狀態下，通過施加一定的漏極電流，測量源極和漏極之間的電壓降，根據歐姆定律計算出導通電阻。此外，測試儀還能測量跨導（gm），即漏極電流的變化量與柵極電壓變化量的比值，反映 MOS 管的放大能力。對于高頻性能，需要使用高頻信號發生器和示波器等設備，測量 MOS 管的開關時間、上升沿和下降沿等參數，評估其在高頻應用中的性能表現。

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