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MOS管的漏極 - 源極擊穿電壓是如何產生的？

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深圳市阿賽姆電子有限公司2025-02-19

當漏極 - 源極之間的電壓過高時，會超出MOS管正常工作的范圍，從而導致擊穿現象。對于N溝道MOSFET，在強電場作用下，電子可能會獲得足夠的能量發生雪崩效應或者齊納擊穿。雪崩擊穿是由于電子與晶格原子碰撞產生更多電子 - 空穴對，形成雪崩式的導電過程；齊納擊穿則是由于半導體內部強電場下能帶彎曲導致的。一旦發生擊穿，漏極電流會急劇增大，可能會損壞MOS管。

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簡介：阿賽姆是專注于電子行業的公司，生產高性價比EMC防護器件。有自己的EMC實驗室，可以協助測試和整改。
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手   機： 18822897174

網   址： http://www.asim-emc.com/

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