晶閘管T在工作過(guò)程中,它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)。它屬于NPNP四層器件,三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?,故除門極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子,用T1、T2。表示,不再劃分成陽(yáng)極或陰極。其特點(diǎn)是,當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,的電壓均為正時(shí),T2是陽(yáng)極,T1是陰極。反之,當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),T1變成陽(yáng)極,T2為陰極。雙向晶閘管的伏安特性,由于正、反向特性曲線具有對(duì)稱性,所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;虹口區(qū)通用可控硅設(shè)計(jì)
雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種,夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得。 很多場(chǎng)合下,鉚接不是一種推薦的方法。 [1]夾子壓接:是推薦的方法,熱阻**小。夾子對(duì)器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝(sot82 和sot78 ) 和絕緣封裝( sot186 f-pack 和更新的sot186a x-pack)。注意,sot78 就是to220ab。螺栓固定:sot78 組件帶有m3 成套安裝零件,包括矩形墊圈,墊圈放在螺栓頭和接頭片之間。應(yīng)該不對(duì)器件的塑料體施加任何力量。崇明區(qū)好的可控硅圖片大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等。
“雙向可控硅”:是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,而且*需一個(gè)觸發(fā)電路,是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開(kāi)關(guān)之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端:TRIode(取**個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān):ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)”。由此可見(jiàn)“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱。雙 向:Bi-directional(取***個(gè)字母)
控 制:Controlled(取***個(gè)字母)整流器:Rectifier(取***個(gè)字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來(lái)命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。雙 向:Bi-directional(取***個(gè)字母)三 端:Triode(取***個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,典型的生產(chǎn)商如:意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,均以此來(lái)命名雙向可控硅。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。
常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等??煽毓璧闹饕獏?shù)有:1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。虹口區(qū)通用可控硅設(shè)計(jì)
反向重復(fù)峰值電壓(VRRM)或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。虹口區(qū)通用可控硅設(shè)計(jì)
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)??煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此頻率,因元件開(kāi)關(guān)損耗***增加,允許通過(guò)的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高,成本低等等??煽毓璧娜觞c(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。虹口區(qū)通用可控硅設(shè)計(jì)
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這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,要使晶閘管導(dǎo)通,一是在它的陽(yáng)極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制極G與陰極... [詳情]
2025-08-23通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇: 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的... [詳情]
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2025-08-21當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG1的基一射間)輸入一個(gè)正的... [詳情]
2025-08-21