瞬態電壓抑制二極管（TVS）是一種專門用于保護電路免受瞬態高電壓沖擊的器件。當電路中出現瞬間的高電壓脈沖，如雷電感應、靜電放電、電路開關瞬間產生的浪涌電壓等，TVS 能夠迅速響應，在極短時間內進入反向雪崩擊穿狀態，將過高的電壓鉗位在安全值，吸收多余的能量，保護電路中的其他敏感元件免受損壞。在電子設備的接口電路，如 USB 接口、以太網接口等，以及電源輸入輸出端，常接入 TVS 二極管進行防護。在汽車電子系統中，由于汽車運行環境復雜，存在各種電氣干擾和電壓瞬變，TVS 二極管廣泛應用于汽車電子控制單元（ECU）、車載通信設備等的保護，確保汽車電子設備在惡劣電氣環境下可靠運行。二極管在整流電路中扮演關鍵角色，將交流電變為直流電。NTST30100CTG

    在光電檢測方面，光電二極管有著普遍的應用。在自動控制系統中，如自動照明控制系統，光電二極管可以作為光傳感器。它可以檢測環境中的光照強度變化，當光照強度低于或高于一定值時，通過電路反饋，控制系統可以自動打開或關閉照明設備。在太陽能光伏發電系統中，光電二極管也是一種重要的檢測元件。它可以測量太陽光的強度，為太陽能電池板的角度調整和功率控制提供依據，以提高太陽能發電的效率。此外，在光學測量儀器中，光電二極管可以用于測量光的強度、頻率等參數，為科學研究和工業生產中的光學測量提供了準確的手段。HEF4094BTT-Q100J在照明領域，二極管以其高效節能的特性，逐漸取代了傳統的白熾燈和熒光燈。

    二極管的關鍵特性參數包括較大整流電流、最高反向工作電壓、反向飽和電流、正向壓降等。較大整流電流決定了二極管能夠長期通過的較大正向平均電流，選型時需確保實際工作電流小于該值，以免器件過熱損壞；最高反向工作電壓是二極管能承受的較大反向電壓，超過此值會導致反向擊穿，影響電路安全。反向飽和電流越小，二極管的性能越穩定；正向壓降則影響電路的功率損耗。在電源整流電路中，需選用較大整流電流和最高反向工作電壓適配的二極管；在高頻電路中，優先考慮結電容小、反向恢復時間短的型號，以減少信號失真，合理選型是保障二極管正常工作和電路穩定運行的關鍵。

    二極管按結構可分為點接觸型、面接觸型和平面型。點接觸型二極管的 PN 結面積小，結電容低，適用于高頻信號檢波和小電流整流，如收音機中的信號處理；面接觸型二極管的 PN 結面積大，能承受較大電流與反向電壓，常用于電源整流電路；平面型二極管采用光刻、擴散等半導體制造工藝，精度高、穩定性好，是集成電路中常用的二極管類型。制造過程中，通過摻雜技術在硅或鍺等本征半導體中引入雜質，形成 P 型和 N 型半導體；再經晶圓切割、光刻、蝕刻、封裝等工序，將二極管制成適合不同應用場景的形態，其性能與制造工藝的精度密切相關。變容二極管的結電容隨反向電壓變化而改變，常用于無線電調諧電路，實現頻道頻率的準確調節。

    摻雜工藝：摻雜是為了在硅中引入特定的雜質，形成P型或N型半導體。在制造P型半導體時，通常采用硼等三價元素作為雜質進行摻雜。這可以通過離子注入或擴散等方法實現。離子注入是將硼離子加速后注入到硅片中，其優點是可以精確控制雜質的濃度和深度；擴散法則是將硅片置于含有硼雜質的氣體環境中，在高溫下使雜質擴散到硅片中。制造N型半導體則使用磷等五價元素進行類似的摻雜操作。在形成P型和N型半導體之后，就是PN結的制造。這通常通過光刻和蝕刻等工藝來實現。光刻工藝就像在硅片上進行精確的繪畫，利用光刻膠和紫外線曝光等技術，在硅片上定義出需要形成PN結的區域。然后通過蝕刻工藝，去除不需要的半導體材料，精確地形成PN結。這個過程需要極高的精度，因為PN結的質量直接影響二極管的性能，如正向導通特性和反向截止特性。二極管具有單向導電性，它只允許電流從正極流向負極。T410-800B-TR

在電路中，二極管常被用作整流器，將交流電轉換為直流電。NTST30100CTG

    肖特基二極管與普通二極管不同，它是由金屬與半導體接觸形成的。其明顯特點是正向導通壓降小，一般在 0.2 - 0.4V 之間，且開關速度快，反向恢復時間極短。這些特性使肖特基二極管在高頻電路中表現出色。在開關電源的整流環節，由于其低導通壓降，可有效降低功耗，提高電源轉換效率。在高頻通信電路中，如射頻電路、微波電路等，肖特基二極管能夠快速響應高頻信號，實現信號的快速處理和轉換，滿足現代通信技術對高速、高效器件的需求，為高頻電子設備的小型化、高性能化提供了有力支持。NTST30100CTG