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可控硅模塊相關圖片
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可控硅模塊基本參數
  • 產地
  • 山東淄博
  • 品牌
  • 正高
  • 型號
  • 多種型號
  • 是否定制
可控硅模塊企業商機

導通角與模塊輸出電流的關系:山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關系,模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流。在小導通角(輸出電壓與輸入電壓比值很小)下輸出的電流峰值很大,但電流的有效值很小(直流儀表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小),但是輸出電流的有效值很大,半導體器件的發熱與有效值的平方成正比,會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。因此,山東可控硅模塊應選擇在強大導通角的65%以上工作,及控制電壓應在5V以上。淄博正高電氣有限公司以發展求壯大,就一定會贏得更好的明天。天津可控硅模塊價格

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可控硅模塊的特性

單向晶閘管模塊具有其獨特的特性:當陽極連接到反向電壓時,或陽極連接到正向電壓時,但控制極不增加電壓,則不會導通,當陽極和控制極同時連接到正向電壓時,將變為接通狀態。一旦接通,控制電壓將失去控制作用。無論有無控制電壓,無論控制電壓的極性如何,都將始終處于接通狀態。若要關閉,只能將陽極電壓降到某個臨界值或反向。

雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列(當電極管腳朝著帶有字符的一側向下時)。當改變施加到控制極G的觸發脈沖的大小或時間時,其接通電流的大小可以改變。 天津可控硅模塊價格歡迎各界朋友蒞臨參觀。

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接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右,如出現正向阻值接近于零值或為無窮大,表明控制極與陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經被擊穿損壞,工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動,黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,陰極接紅表筆時,萬用表指針發生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。

過電壓會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感,當正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導并導致電路故障;當施加的反向電壓超過urrm值時,可控硅模塊會立即損壞。因此,需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化,使系統轉換太晚,或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現,由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對可控硅模塊非常危險。


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可控硅模塊與其它功率器件一樣,工作時由于自身功耗而發熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發出去,就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升。致使器件特性惡化,直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中相當主要的是導通損耗。為了確保器件長期可靠地工作,設計時散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要,千萬不可大意!散熱器的常用散熱方式有:自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱問題的總原則是:控制模塊中管芯的結溫Tj不超過產品數據表給定的額定結溫淄博正高電氣有限公司周邊生態環境狀況好。天津可控硅模塊價格

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單向可控硅的檢測

  萬用表選用電阻R×1檔,用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳,此時黑筆接的引腳為控制極G,紅筆接的引腳為陰極K,另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A,紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G,此時萬用表指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆,陰極K接紅表筆時,萬用表指針發生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。 天津可控硅模塊價格

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