其擴散管深入到所述再生液調配缸中；液體泵，其一端通過管道連接所述再生液調配缸的循環出液口，另一端通過管道連接所述射流器的進液口，用于將所述再生液調配缸中的電解后液通過所述管道抽取至所述射流器的進液口。進一步地，所述酸性蝕刻液電解后液處理系統還包括：曝氣裝置，用于向所述再生液調配缸中的電解后液輸送氣體以進行攪拌。進一步地，所述酸性蝕刻液電解后液處理系統還包括：后續處理系統，用于向經過所述再生液調配缸處理過的電解后液中加入氯化鈉、鹽酸并攪拌均勻。更進一步地，所述電解槽的陽極為石墨電極，陰極為鈦或鈦合金板狀電極。更進一步地，所述電解槽中陰極與陽極之間的距離為55mm。更進一步地，所述電解槽的電流密度為300a/m2。本實用新型所提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統通過簡單的結構實現了電解后廢液的再生利用，可節約能耗和藥品，提高經濟效益。附圖說明圖1是本實用新型實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統的結構圖；圖2是本實用新型第二實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統的結構圖。具體實施方式為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解。蘇州博洋專業生產BOE蝕刻液歡迎詢價。湖南一種BOE蝕刻液銷售廠

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    本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時，晶圓表面會出現不均勻的現象，體現于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現氮化硅層的均勻蝕刻。技術實現要素：本發明所要解決的技術問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進一步地，本發明涉及上述蝕刻液。

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