nGaAs是由兩種Ⅲ-Ⅴ族半導體材料組成的三元系半導體化合物，它的帶隙隨組分比例的變化而變化。基于此材料制備的IR探測器，其響應截止波長可達到3μm以上，響應范圍完全覆蓋NIR波段，是該波段探測器團體里**重要的成員。在該體系下，其他化合物性能如下圖所示：與其它的常用IR探測器相比，InGaAs探測器的興起較晚，在上世紀80年代才開始走進人類的視野。近年來，得益于NIR成像的強勢崛起，InGaAs的發展勢頭也十分迅猛。在實際生產中，一般將InGaAs材料生長在磷化銦(InP)襯底上，紅外熱像儀兩者的晶格失配度也會隨InGaAs組分的變化而變化。紅外熱像儀的工作原理是什么？在線式紅外熱像儀維修

紅外熱像儀QWIP的基礎結構是多量子阱結構,雖然該結構可以被許多Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料所實現,但基于GaAs/鋁鎵砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是應用***?技術成熟?性能優異的QWIP?對于通過改變GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相應的QWIP連續覆蓋MIR?LWIR甚至VLWIR波段?GaAs/AlGaAs材料體系在Ⅲ-Ⅴ族半導體材料團體里能一枝獨秀的**主要原因是,它與GaAs襯底在所有的A1組分條件下都能實現非常完美的晶格匹配,這一優勢使該材料體系的生長技術既成熟又低廉,極大地推動了GaAs/AlGaAs QWIP的發展?一般而言,大家所謂的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP?新型紅外熱像儀哪家便宜制冷型紅外熱像儀由于其精度高誤差小靈敏度高，使得其檢測結果更加可靠。

紅外熱像儀的使用人們經常詢問紅外熱像儀在特定情況下的使用情況以及該技術在特定環境或應用中的有效性。我們來看看問題。為什么紅外熱像儀在夜間表現更好？紅外熱像儀通常在夜間表現更好，但這與周圍環境的亮度無關。由于夜間的環境溫度（重要的是未加熱物體和環境中心的溫度）比白天低很多，熱成像傳感器可以以更高的對比度顯示溫暖的區域。即使在涼爽的日子里，太陽的熱量也會被建筑物、道路、植被、建筑材料等吸收。白天，各種物體都會在環境溫度下吸收熱量。使用熱像儀傳感器進行檢測時，這些物體與其他待檢測的溫暖物體之間的差異不是很明顯。

紅外熱像儀的工作距離是有限制的。紅外熱像儀的工作距離取決于其焦距和像素分辨率。一般來說，紅外熱像儀的工作距離在幾米到幾十米之間。在工作距離范圍內，紅外熱像儀可以提供較為準確的溫度測量結果。然而，當距離目標過遠或過近時，紅外熱像儀的測量精度可能會受到影響。如果距離目標過遠，紅外熱像儀可能無法準確地捕捉到目標的細節和溫度變化，從而導致測量誤差增加。此外，目標與紅外熱像儀之間的距離過遠還可能導致環境因素的影響增加，如大氣散射和輻射能量的衰減。另一方面，如果距離目標過近，紅外熱像儀的視場角可能會變得較小，無法覆蓋目標的整個區域，從而導致測量結果不準確。紅外熱像儀是否可以用于安全檢查和故障排查？

截止目前,紅外熱像儀HgCdTe材料依舊是制作高性能IR光子探測器的比較好的材料?與InGaAs類似,HgCdTe也是一種三元系半導體化合物,其帶隙也會隨組分的改變而改變,借此HgCdTe探測器可覆蓋1-22μm的超寬波段?HgCdTe探測器在NIR?MIR和LWIR三個波段都能表現出十分優異的性能,所以它問世不久便成為了IR探測器大家族中的霸主?然而,隨著近些年InGaAs探測器的興起,HgCdTe探測器在NIR波段的地位日趨下降;在MIR波段,雖然InSb探測器的探測率不如HgCdTe探測器,但由于InSb的材料生長技術比HgCdTe成熟,HgCdTe探測器在該波段已達不到一家獨大的地步;對于LWIR波段,HgCdTe探測器仍具有很強的統治地位?紅外熱像儀主要應用于哪些方面呢？PYROLINE HS320N compact+ 紅外熱像儀批發

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由于大尺寸HgCdTe FPA探測器的制作成本居高不下,QWIP FPA探測器被寄予厚望,因而發展迅速?在LWIR波段,目前QWIP FPA探測器的性能足以與**的HgCdTe相媲美?QWIP也存在一些缺點:因存在與子帶間躍遷相關的基本限制,QWIP需要的工作溫度較低(一般低于液氮溫度)，QWIP的量子效率普遍很低?一般而言,PC探測器的響應速度比PV慢,但QWIP PC探測器的響應速度與其它PV紅外熱像儀相當,所以大規模QWIP FPA探測器也被研制了出來?與HgCdTe—樣,QWIP FPA探測器也是第三代IR成像系統的重要成員,這類探測器在民用與天文等領域都有著大量的使用案例?在線式紅外熱像儀維修