設計隨著電子技術的快速發展，印制電路板廣泛應用于各個領域，幾乎所有的電子設備中都包含相應的印制電路板。為保證電子設備正常工作，減少相互間的電磁干擾，降低電磁污染對人類及生態環境的不利影響，電磁兼容設計不容忽視。本文介紹了印制電路板的設計方法和技巧。在印制電路板的設計中，元器件布局和電路連接的布線是關鍵的兩個環節。折疊布局布局，是把電路器件放在印制電路板布線區內。布局是否合理不僅影響后面的布線工作，而且對整個電路板的性能也有重要影響。在保證電路功能和性能指標后，要滿足工藝性、檢測和維修方面的要求，元件應均勻、整齊、緊湊布放在PCB上，盡量減少和縮短各元器件之間的引線和連接，以得到均勻的組裝密度。按電路流程安排各個功能電路單元的位置，輸入和輸出信號、高電平和低電平部分盡可能不交叉，信號傳輸路線短。設計在不同階段需要進行不同的各點設置，在布局階段可以采用大格點進行器件布局；深圳定制PCB培訓功能

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數如下：DDR采用TSSOP封裝技術，而DDR2和DDR3內存均采用FBGA封裝技術。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內存電氣性能更好，成本更低；DDR內存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數如下表所示。深圳正規PCB培訓包括哪些避免在PCB邊緣安排重要的信號線，如時鐘和復位信號等。

布局整體思路（1）整板器件布局整齊、緊湊;滿足“信號流向順暢，布線短”的原則；（2）不同類型的電路模塊分開擺放，相對、互不干擾；（3）相同模塊采用復制的方式相同布局；（4）預留器件扇出、通流能力、走線通道所需空間；（5）器件間距滿足《PCBLayout工藝參數》的參數要求；（6）當密集擺放時，小距離需大于《PCBLayout工藝參數》中的小器件間距要求；當與客戶的要求時，以客戶為準，并記錄到《項目設計溝通記錄》。（7）器件擺放完成后，逐條核實《PCBLayout業務資料及要求》中的布局要求，以確保布局滿足客戶要求。

在設計中，從PCB板的裝配角度來看，要考慮以下參數:1)孔的直徑要根據材料條件(MMC)和材料條件(LMC)的情況來決定。一個無支撐元器件的孔的直徑應當這樣選取，即從孔的MMC中減去引腳的MMC，所得的差值在0.15-0.5mm之間。而且對于帶狀引腳，引腳的標稱對角線和無支撐孔的內徑差將不超過0.5mm，并且不少于0.15mm。2)合理放置較小元器件，以使其不會被較大的元器件遮蓋。3)阻焊的厚度應不大于0.05mm。4)絲網印制標識不能和任何焊盤相交。5)電路板的上半部應該與下半部一樣，以達到結構對稱。因為不對稱的電路板可能會變彎曲。PCB培訓還注重培養學員的實操能力。

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開槽、厚度削邊區域大小，形狀與結構圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對以上相應區域設置如下特性：禁布區設置禁止布局、禁止布線屬性；限高區域設置對應高度限制屬性；亮銅區域鋪相應網絡屬性銅皮和加SolderMask；板卡金屬導軌按結構圖要求鋪銅皮和加SolderMask，距導軌內沿2mm范圍內，禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開槽區域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區域，客戶有特殊要求除外。培訓機構會根據市場上的熱點和需求，選取一些好的PCB設計案例進行解析。深圳高效PCB培訓走線

發熱元件要一般應均勻分布，以利于單板和整機的散熱。深圳定制PCB培訓功能

淚滴的作用主要有如下幾點：1、增大焊盤機械強度，避免電路板受到巨大外力的沖撞時，導線與焊盤或者導線與導孔的接觸點斷開，也可使PCB電路板顯得更加美觀；2、焊接上，可以保護焊盤，避免多次焊接時焊盤的脫落，生產時可以避免蝕刻不均，或者鉆孔偏向導線時，避免出現連接處的裂縫而開路，且易于清洗蝕刻藥水，不留清洗死角；3、信號傳輸時平滑阻抗，減少阻抗的急劇跳變，避免高頻信號傳輸時由于線寬突然變小而造成反射，可使走線與元件焊盤之間的連接趨于平穩過渡化；深圳定制PCB培訓功能