針對植入式醫(yī)療設備的長期安全性問題，某生物電子實驗室利用 Polos 光刻機在聚乳酸（）基底上制備可降解電極。其無掩模技術避免了傳統掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2，生物相容性測試顯示細胞存活率達 99%。通過自定義螺旋狀天線圖案，開發(fā)出的可降解心率監(jiān)測器，在體內降解周期可控制在 3-12 個月，信號傳輸穩(wěn)定性較同類產品提升 50%，相關技術已進入臨床前生物相容性評價階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。低成本科研普惠：桌面化設計減少投入，無掩膜工藝降低中小型實驗室門檻。浙江BEAM-XL光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

Polos光刻機在微機械加工中表現outstanding。其亞微米分辨率可制造80 μm直徑的開環(huán)諧振器和2 μm叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結合雙光子聚合技術（如Nanoscribe系統），用戶還能擴展至3D微納結構打印，為微型機器人及光學元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。廣東PSP光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米工業(yè)4.0協同創(chuàng)新：與弗勞恩霍夫ILT合作優(yōu)化激光能量分布，提升制造精度。

SPS POLOS μ以緊湊的桌面設計降低實驗室設備投入，光束引擎通過壓電驅動實現高速掃描（單次寫入400 μm區(qū)域）。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光，成功制備3 μm間距微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速驗證。其無掩模特性進一步減少材料浪費，為中小型實驗室提供經濟解決方案62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構合作，推動光子集成與半導體封裝技術發(fā)展。例如，Quantum X align系統的高對準精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國精密制造與全球產業(yè)鏈整合的優(yōu)勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。微型傳感器量產：80 μm開環(huán)諧振器加工能力，推動工業(yè)級MEMS傳感器升級。

一家專注于再生醫(yī)學的科研公司在組織工程支架的研究上，使用德國 Polos 光刻機取得remarkable成果。組織工程支架需要具備特定的三維結構，以促進細胞的生長和組織的修復。Polos 光刻機能夠根據預先設計的三維模型，在生物可降解材料上精確制造出復雜的孔隙結構和表面圖案。通過該光刻機制造的支架，在動物實驗中表現出優(yōu)異的細胞黏附和組織生長引導能力。與傳統制造方法相比，使用 Polos 光刻機生產的支架，細胞在其上的增殖速度提高了 50%，為組織工程和再生醫(yī)學的臨床應用提供了有力支持。無掩模技術優(yōu)勢：摒棄傳統掩模，圖案設計實時調整，研發(fā)成本直降 70%。浙江BEAM-XL光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

Polos-BESM：基礎款高性價比，適合高校實驗室基礎微納加工。浙江BEAM-XL光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

某集成電路實驗室利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術在二氧化硅基底上實現了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫速度達 10ns，較傳統 SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實現了計算與存儲的原位融合，能效比達 1TOPS/W，較傳統馮?諾依曼架構提升 1000 倍。該技術被用于邊緣計算設備，使圖像識別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關芯片已進入小批量試產階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。浙江BEAM-XL光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模