對于納 / 微機械系統的研究與制造，德國 Polos 光刻機系列展現出強大實力。無掩模激光光刻技術賦予它高度的靈活性，科研人員能夠快速將創新設計轉化為實際器件。在制造微型齒輪、納米級懸臂梁等微機械結構時，Polos 光刻機可precise控制激光，確保每個部件的尺寸和形狀都符合設計要求。? 借助該光刻機，科研團隊成功研發出新型微機械傳感器，其靈敏度和響應速度遠超傳統產品。并且，由于系統占用空間小，即使是小型實驗室也能輕松引入。Polos 光刻機以其低成本、高效率的特性，成為納 / 微機械系統領域的制造先鋒，助力科研人員不斷探索微納世界的奧秘。掩模制備時間歸零，科研人員耗時減少 60%，項目交付周期縮短 50%。遼寧BEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

微納衛星對部件重量與精度要求苛刻，傳統加工難以兼顧。Polos 光刻機在硅基材料上實現了 50nm 深度的微溝槽加工，為某航天團隊制造出輕量化星載慣性導航陀螺結構。通過自定義螺旋型振動梁圖案，陀螺的零偏穩定性提升至 0.01°/h，較商用產品性能翻倍。該技術還被用于微推進器噴嘴陣列加工，使衛星姿態調整精度達到亞毫牛級，助力我國低軌衛星星座建設取得關鍵突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。黑龍江光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米能源收集：微型壓電收集器效率 35%，低頻振動發電支持無源物聯網。

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機開發了基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體架構。其激光直寫技術在 10nm 厚度的 HfO?介質層上實現了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導均勻性提升至 95%，計算能效比達 10TOPS/W，較傳統 GPU 提升兩個數量級。基于該技術的邊緣 AI 芯片，在圖像識別任務中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應用于智能攝像頭和無人機避障系統，相關芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

德國 Polos 光刻機系列是電子學領域不可或缺的精密設備。其無掩模激光光刻技術，讓電路圖案曝光不再受限于掩模，能夠實現超高精度的圖案繪制。在芯片研發過程中，Polos 光刻機可precise刻畫出納米級別的電路結構，為芯片性能提升奠定基礎。? 科研團隊使用 Polos 光刻機，成功開發出更高效的集成電路，降低芯片能耗，提高運算速度。而且，該光刻機可輕松輸入任意圖案，滿足不同電子元件的多樣化設計需求。無論是新型傳感器的電路制作，還是微型處理器的研發，Polos 光刻機都能以高精度、低成本的優勢，為電子學領域的科研成果產出提供有力保障，推動電子技術不斷創新。科研成果轉化：中科院利用同類技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞浸潤機制。

某能源研究團隊采用 Polos 光刻機制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫技術在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極，器件的能量轉換效率達 35%，在 10Hz 振動下可輸出 50μW/cm2 的功率。通過自定義電極間距和厚度，該收集器可適配不同頻率的環境振動，在智能穿戴設備中實現了運動能量的實時采集與存儲。其輕量化設計（體積 < 1mm3）還被用于物聯網傳感器節點，使傳感器續航時間從 3 個月延長至 2 年。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業級重復精度0.1 μm。江蘇POLOSBEAM光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

微流體3D成型：復雜流道快速曝光，助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統研發。遼寧BEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入區域達155×155 mm，平臺雙向重復性精度0.1 μm，滿足工業級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實時觀測與多層對準。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復雜圖案設計流程，內置高性能筆記本電腦實現快速數據處理，成為微機電系統（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。遼寧BEAM-XL光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸