除了5nm外，臺積電還在華為生產更多7nm芯片，以保證更多的手機使用，因為目前華為旗下手機銷售主力主要還是集中在搭載7nm工藝處理器的機型上。

　　8月23日消息，據產業鏈最新消息稱，華為將在下個月發布新的旗艦版麒麟處理器，其基于臺積電5nm工藝，而它也將會是全球最先推出5nm移動芯片的廠商，這要比蘋果至少快近一個月時間，后者的A14處理器同樣基于臺積電的5nm工藝。

　　本周，臺積電方面正式宣布，已經生產了第10億顆功能完好、沒有缺陷的7nm芯片(蘋果A12、華為麒麟980等都使用了這個工藝)，達成新里程碑，而EUV(極紫外光刻)技術引入7nm的商業生產，并為5nm打下堅實基礎，后者即將正式跟大家見面。

　　據最新消息顯示，臺積電為華為麒麟生產的5nm麒麟芯片，依然集成了同樣工藝的5G基帶，所以搭載的手機在續航上表現會更上一層樓，而老對手A14并沒有集成5G基帶，因為蘋果在這方面上沒有任何建樹，而是通過高通的驍龍X55方案。

　　臺積電正在進行最后的趕工生產

　　按照之前的規定，9月15日之后臺積電將不能為華為生產芯片，而隨著時間的不斷臨近，臺積電也是進行了最后的趕工，其正在集中一切力量來生產基于5nm的麒麟芯，以盡可能保證Mate 40系列的使用。

　　上游芯片產業鏈消息人士直言，華為到年底之前所需要的麒麟處理器芯片數量，不論5nm，7nm 手機芯片或是16nm，28nm例如海思自研的TWS 耳機藍牙芯片，都會在9月中前全部交付，目前的產能推進一切順利，所以不會耽誤既定機型的發布和上市。

　　除了5nm外，臺積電還在華為生產更多7nm芯片，以保證更多的手機使用，因為目前華為旗下手機銷售主力主要還是集中在搭載7nm工藝處理器的機型上，不過即便是最后的趕工，也并沒有其他廠商愿意臨時將產能貢獻給華為使用，因為大家基本都到了集中發新的階段，同時臺積電的7nm、5nm工藝產能十分有限。

　　麒麟芯或將成絕唱

　　由于美國的瘋狂打壓，余承東在之前的公開演講中表示，今年秋天上市的Mate 40，將搭載的麒麟9000可能是華為高端芯片的絕版。余承東在演講中披露，華為Mate 40搭載了我們新一代的麒麟9000芯片，將會擁有更強大的5G能力，更強大的AI處理能力，更強大的CPU和GPU。

　　“但很遺憾的是，在美國的第二輪制裁，我們芯片生產，只接受了9月15號之前的訂單，到9月15號生產就截止了。所以今年可能是我們華為麒麟高端芯片的絕版，最后一代。”余承東無奈的說道。

　　對于外界的打擊，華為方面現在公開表示，將跟中國企業一起在芯片、操作系統等核心上突圍。華為承認中國終端產業的核心技術與美國差距很大，但他們希望中國企業能夠從根技術做起，打造新生態，大家一起團結，在核心技術上進行突圍。

　　按照之前的制裁細節，只要半導體生產工藝上，哪怕使用了任何一點美國技術，都不能給華為來生產。對此，華為也表現的很無奈，他們也很遺憾，第一是在芯片領域探索，過去華為開拓了十幾年，從嚴重落后到比較落后，到有點落后，到終于趕上來，到領先，到現在又被封殺。

　　另外一點是，投資了非常巨大的研發投入，也經歷了非常艱難的過程，但很遺憾的是華為在半導體制造方面，華為在重資產投入型的領域，這種資金密集型的產業，華為沒有參與，他們只做到了芯片的設計，但沒搞芯片的制造，這是華為非常大的一個損失。

　　聯發科準備的3千萬套5G芯片或無法出貨

　　產業鏈在最新消息中還提到，由于美國升級了禁令要求，這導致聯發科為華為手機準備的5G芯片沒辦法出貨，只能靠小米、OPPO和vivo來消化。

　　按照禁令要求，使用美國技術或軟件作為基礎的外國產品，且該外國產品用于生產或開發任何零件、組件、設備都是被禁止的。處于實體清單中的華為相關子公司，禁止扮演采購者、中間收貨人、最終收貨人的角色。

　　產業鏈人士表示，如此嚴格的規定，直接導致聯發科給華為供貨5G芯片的計劃被打亂，即聯發科本來第四季度幫華為備貨了3000萬套的5G手機芯片，由于禁令，現在只能向OV小米立項求助。

　　華為日本公司方面則公開表示，目前禁令限制的主要是半導體芯片，其他零部件不受影響。

　　跟中國廠商一起努力，全方位扎根半導體

　　當然了，華為也不是只是喊喊口號，因為只有自己強大才能真的無懼制裁。在半導體方面，華為最新的態度是，將全方位扎根，突破物理學材料學的基礎研究和精密制造。在終端器件方面，比如顯示模組、攝像頭模組、5G器件等方面，華為正大力加大材料與核心技術的投入，實現新材料+新工藝緊密聯動，突破制約創新的瓶頸。

　　由于半導體產業鏈非常的長，不是一兩家家企業能夠做全的，不過華為也表示，在終端的多個器件上，華為都在投入，其也帶動了一批中國企業公司的成長，包括射頻等等向高端制造業進行跨越。

　　具體來說，華為建議產業關注EDA以及IP領域，關鍵算法和設計能力。還有包括12寸晶圓、光掩膜、EUV光源、沉浸式系統、透鏡等在內的生產設備和材料領域。而在設計與制造環節，關注IC設計能力以及IC制造和IC封測能力。其中IDM涵蓋了射頻、功率、模擬、存儲、傳感器等器件設計與制造工藝整合。

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